20160407

4620 4000rad/min 30s大约7um 100℃坚膜2~3min 曝光5~7s 显影25%TMAH:水=1:8 60~90s 后烘110℃ 5.6.7min都可。

STS深硅刻蚀 快速50min,测台阶345um。

LPCVD苗斌NH3:SiH2Cl2=280:70sccm 785℃ 50min 前25片6寸挡片 25片2寸片中间膜厚仪测209um。张应力GPa,低应力富硅工艺一般在100MPa以内(NH3:SiH2Cl2=12:96sccm,温度850℃),温度越高,应力越小,NH3:SiH2Cl2比例越大应力越小。

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