三种MMIC放大器偏置电压顺序
HBT自偏置放大器偏置顺序
1、有两种HBT放大器，自偏置和带电流控制的自偏置，下图是HBT自偏置放大器最简单的偏置。这些放大器只需要接通集电极电压。有一个设置电流的偏置电阻。放大器有一个电流反射镜来控制基极电压。
2、
电阻值的计算
3、打开电源并设置为零(0)伏，请务必使用数字万用表验证这一点。测量电源正负端之间的电压，因为它们是浮动的。
4、将放大器射频端口连接到微波测试设备。在某些情况下，射频端口可能需要隔直或Bias tee。检查数据手册以确定它们是否必需。
5、集电极电源负极接放大器地，正极接放大器集电极(Vc)
6、监测集电极电流。将集电极电源增加到数据手册上所示的所需集电极工作电压。当电源电压达到Vc时，应该看到正确的集电极电流，Icc。
8、损坏的部件可能会出现以下一些症状:通过调整电源电压无法改变的高漏极电流、无漏极电流、低增益或无增益。如怀疑有损坏;审查数据表，审查程序偏置放大器，并审查您的组装说明与组装。
HBT Self-Biased Amplifi er with Control Bias Sequence
带控制顺序的HBT 自偏置放大器
1、第二个HBT放大器具有电流控制。这类似于自偏置HBT放大器，但现在电流镜有一个控制电压。这被称为断电(PD)控制电压，它设置电流。图2显示了一个典型的块示意图。
2、打开电源并设置为零(0)伏，请务必使用数字万用表验证这一点。测量电源正负端之间的电压，因为它们是浮动的。
3、将放大器射频端口连接到微波测试设备。在某些情况下，射频端口可能需要隔直或Bias tee。检查数据手册以确定它们是否必需。
4、集电极电源负极接放大器地，正极接放大器集电极(Vc)
5、集电极电源负极接放大器地，正极接放大器下电控制端子(Vpd)。
6、监测集电极电流。将集电极电源电压增加到数据手册中的电压。应该没有集电极电流，Icc
7、监测集电极电流。将Vpd电源电压提高到所需电压。当电源达到数据表值时，应该可以看到正确的集电极电流Icc
8、损坏的部件可能有以下一些症状:通过调整栅极电压无法改变的高漏极电流，无漏极电流，低增益或无增益。如怀疑有损坏;审查数据表，审查程序偏置放大器，并审查您的组装说明与组装。
标准放大器偏置顺序
1、标准放大器有漏极和栅极电压。栅极电压被用于调整漏极电流，使其达到合适的输出电压放大器的操作。
2、假设被测试的放大器是一个双电压供电的模块，正电压为漏极-源极，负电压为栅极-源极
4、将放大器射频端口连接到微波测试设备。在某些情况下，射频端口可能需要隔直或Bias tee。检查数据手册以确定它们是否必需。
5、连接漏极电源的负极到放大器的地，栅极源的正极到放大器的地。
6、现在将栅极电源的负端连接到放大器的栅极端。将漏极电源的正极连接到放大器的漏极。
注意:此时应该没有电流流过由于电压电源被设置为零(0)伏
7、将栅极电源电压增加到足以截断漏极电流的电压。对于pHEMT器件，这两个值通常在-2和-1V之间。
请注意，在这种情况下，由于栅极电源连接到放大器的方式，增加栅极电压会导致放大器栅极上的负电压增加。
由于栅极泄漏的少量的栅极电流此时可以测量。如果有栅极漏电，则电流应符合要求mA。
8、将漏极电源电压提高到所需的漏极工作电压(每个数据表，pHEMT通常为+3V至+7V)。如果栅极没有被截止，可能会有一些漏极电流。电流不应该超过几毫安。
9、最后，监测漏极电流，同时降低栅极电源电压。漏极电流将开始流动。将电流调整到数据手册上推荐的水平。
10、如果观察到任何振荡，修改测试板，将200欧姆电阻与门线串联在一起。这些电阻应尽可能靠近放大器的栅极端子。
11、损坏的部件可能会出现以下一些症状：通过调整栅极电压无法改变的高漏极电流，无漏极电流，低增益或无增益，在MMIC上直流阻塞部分的RF端口上的电压。如怀疑有损坏;审查数据表，审查程序偏置放大器，并审查您的组装说明与组装。
级联分立放大器偏置顺序
1、级联分立放大器使用两个基础的FET放大单元串联，栅极接漏极，可以被串联很多级。这种结构最大的好处是带宽可以很宽。
2、假设测试的级联分立放大器是一个需要三个电源供电的模块，第一是为漏极，正电源供电。第二是为第一级的栅极供负电压，第三是为第二级的栅极供正电压，
3、打开所有电源并设置为零(0)伏，请务必使用数字万用表验证这一点。测量电源正负端之间的电压，因为它们是浮动的。
4、将放大器射频端口连接到微波测试设备。在某些情况下，射频端口可能需要隔直或Bias tee。检查数据手册以确定它们是否必需。
5、漏极电源的负极接放大器地，第一栅极电源的正极接放大器地，第二栅极电源开路。
6、现在将第一栅极电源的负端连接到放大器的栅极端子(Vgg1)。将漏极电源的正极连接到放大器的漏极端。注意:在这一点没有电流应该流动，因为所有的电压电源被设置为零(0)伏。
7、将第一栅极电源电压Vgg1增加到足以截止漏极电流的电压。对于pHEMT，这通常在-2和1V之间。由于漏极电源当前设置为零电压，因此没有漏极电流。
8、由于栅极泄漏，在这一点上可以测量到少量的栅极电流，这可能在毫安范围内
9、将漏极电源电压提高到所需的漏极工作电压(每个数据表);pHEMT通常为+5至+12伏)。漏极电流仍应在微安范围内，但可能在毫安范围内，因为栅极电源可能没有完全关闭放大器。
10、连接第二栅极电源至第二栅极(Vgg2)。增加第二栅极电源电压使上级偏置。对于pHEMT，这通常在+0到+5伏特之间。第一栅极和第二栅极的栅极电流都应在微安培范围内。漏极电流仍然很小。
11、最后，监测漏极电流，同时降低第一栅极电源电压。漏极电流将开始流动。将电流调整到数据表上推荐的水平
12、如果观察到任何振荡，修改测试板，将200欧姆电阻与门线串联在一起。这些电阻应尽可能靠近放大器的栅极端子。
13、损坏的部件可能会出现以下一些症状：通过调整栅极电压无法改变的高漏极电流，无漏极电流，低增益或无增益，在MMIC上直流阻塞部分的RF端口上的电压。如怀疑有损坏;审查数据表，审查程序偏置放大器，并审查您的组装说明与组装。