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存储器器件选型

存储器器件选型

FLASH

DataFlash：ATMEL - AT45

型号 容量 接口 页大小 工作电压 (V)
AT45DB021D 2Mbit SPI,RapidS 264 2.7
AT45DB041D 4Mbit SPI,RapidS 264 2.5,2.7
AT45DB081D 8Mbit SPI,RapidS 264 2.5,2.7
AT45DB161D 16Mbit SPI,RapidS 528 2.5,2.7
AT45DB321D 32Mbit SPI,RapidS 528 2.7

DataFlash：ATMEL - AT26

型号 容量 接口 页大小 工作电压 (V)
AT26DF041 4Mbit SPI 256 2.7-3.6
AT26DF081A 8Mbit SPI 256 2.7-3.6
AT26DF161 16Mbit SPI 256 2.7-3.6
AT26DF161A 16Mbit SPI 256 2.7-3.6
AT26DF321 32Mbit SPI 256 2.7-3.6
AT26F004 4Mbit SPI 256 2.7-3.6

Nor Flash：Micron - M25P
型号 容量 (Mbit) 接口 速度 （MHz） 页大小 (bytes) 工作电压 (V) ROHS 类型
M25P10-A 1 SPI 50 256 2.3-3.6 YES Data Storage
M25P16 16 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Data Storage
M25P32 32 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Data Storage
M25P40 4 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Data Storage
M25P64 64 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Data Storage
M25P80 8 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Data Storage

Nor Flash：Micron - M25PE
型号 容量 (Mbit) 接口 速度 （MHz） 页大小 (bytes) 工作电压 (V) ROHS 类型
M25PE16 16 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Page Erase
M25PE20 2 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Page Erase
M25PE80 8 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Page Erase

Nor Flash：Micron - M25PX
型号 容量 (Mbit) 接口 速度 （MHz） 页大小 (bytes) 工作电压 (V) ROHS 类型
M25PX64 64 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Dual I/O

Nor Flash：Micron - M45PE
型号 容量 (Mbit) 接口 速度 （MHz） 页大小 (bytes) 工作电压 (V) ROHS 类型
M45PE10 1 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Page Erase
M45PE16 16 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Page Erase
M45PE20 2 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Page Erase
M45PE40 4 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Page Erase
M45PE80 8 SPI 75 256 2.7-3.6 YES Page Erase

Nor Flash：SPANSION - S29GL-P
型号 容量 接口 电压 访问速度 数据总线宽度 工艺技术
S29GL128P 128Mb Page (No SRW) 3V 90, 110 ns x8/x16 90 nm MirrorBit
S29GL256P 256Mb Page (No SRW) 3V 90, 110 ns x8/x16 90 nm MirrorBit
S29GL512P 512Mb Page (No SRW) 3V 100, 110, 120 ns x8/x16 90 nm MirrorBit
S29GL01GP  1Gb Page (No SRW) 3V 110, 120, 130 ns x8/x16 65 nm MirrorBit

NAND Flash：SAMSUNG - K9F1
型号 容量 结构 工作电压 (V) 封装类型
K9F1G08U0C 1Gbit x8 2.7-3.6 TSOP

RAM

ISSI - 异步SRAM

类型 型号 容量 组织结构 工作电压 速率 (ns) 封装 备注
5V高速率 IS61C256AL 256K 32K*8 5V 10/12 SOJ28,TSOP1-28  
5V高速率 IS61C1024AL 1M 128K*8 5V 12 SOJ32,TSOP1-32,STSOP1-32 SOJ分两种尺寸
5V低功耗 IS62C256AL 256K 32K*8 5V 25/45 SOP28,TSOP1-28  
5V低功耗 IS62C1024AL 1M 128K*8 5V 35 SOP32,TSOP1-32  
高速率低功耗 IS61LV6416 1M 64K*16 3.3V 8/10/12 SOJ44,TSOP2-44,MBGA48   
高速率低功耗 IS61LV25616AL 4M 256K*16 3.3V 10/12 SOJ44,TSOP2-44,LQFP44,MBGA48   
高速率低功耗 IS61LV5128AL 4M 512K*8 3.3V 8/10/12 SOJ36,TSOP2-44,MBGA36   
高速率低功耗 IS61LV51216 8M 512K*16 3.3V 8/10/12 TSOP2-44,MBGA48   
PowerSaver低功耗 IS62LV256AL 256K 32K*8 3.3V 20/45 SOJ28,SOP28,TSOP1-28  
PowerSaver低功耗 IS62WV1288BLL 1M 128K*8 2.5-3.6V 45/55 SOP32,TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36  
PowerSaver低功耗 IS62WV12816BLL 2M 128K*16 2.5-3.6V 45/55/70 MBGA48,TSOP2-44 2CS可选 
PowerSaver低功耗 IS62WV2568BLL 2M 256K*8 2.5-3.6V 55/70 TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36  
PowerSaver低功耗 IS62WV25616BLL 4M 256K*16 2.5-3.6V 55/70 MBGA48,TSOP2-44   
PowerSaver低功耗 IS62WV5128BLL 4M 512K*8 2.5-3.6V 55/70 TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36,TSOP2-32,SOP32    
PowerSaver低功耗 IS62WV51216BLL 8M 512K*16 2.5-3.6V 45/55 MBGA48,TSOP2-44   

CYPRESS - SRAM

型号 容量 接口 工作电压 速率 (ns)
CY62128B 128K*8 并口 4.5V-5.5V 70
CY62128E 128K*8 并口 4.5V-5.5V 45
CY62136V 128K*16 并口 2.7V-3.6V 55
CY62148E 512K*16 并口 4.5V-5.5V 45
CY62148EV30 512K*16 并口 2.2V-3.6V 45
CY62256 32K*8 并口 4.5V-5.5V 50/70

Micron - SDRAM

型号 容量 结构 位宽 电压 接口
MT48LC64M4A2 256 Mb 4 x 16M x 4bits 4 bits 3.3 V 并行
MT48LC32M8A2 256 Mb 4 x 8M x 8bits 8 bits 3.3 V 并行
MT48LC16M16A2 256 Mb 4 x 4M x 16bits 16 bits 3.3 V 并行

Samsung - SDRAM

型号 容量 结构 位宽 电压 接口
K4S560432E 256 Mb 4 x 16M x 4bits 4 bits 3.3 V 并行
K4S560832E 256 Mb 4 x 8M x 8bits 8 bits 3.3 V 并行
K4S561632E 256 Mb 4 x 4M x 16bits 16 bits 3.3 V 并行

DALLAS - NV SRAM

型号 存储类型 容量 组织结构 接口 工作电压 电压容差 速率 (ns)
DS1225Y 非易失SRAM 64K 8K*8 并口 4.5V～5.5V 5V±10% 150,170,200
DS1230Y 非易失SRAM 256K 32K*8 并口 4.5V～5.5V 5V±10% 70,85,100,120,150,200
DS1230AB 非易失SRAM 256K 32K*8 并口 4.75V～5.25V 5V±5% 70,85,100,120,150,200
DS1245AB 非易失SRAM 1M 128K*8 并口 4.75V～5.25V 5V±5% 70,85,100,120

SK Hynix - SDR SDRAM
型号 存储类型 容量 组织结构 Power 工作电压 RoHS 速率 (ns)
H57V1262GTR CMOS同步DRAM 128Mb x16 Normal/Low 3.3V O 50/60/70/75
H57V2562GTR CMOS同步DRAM 256Mb x16 Normal/Low 3.3V O 50/60/70/75

EEPROM

ATMEL - I²C EEPROM

型号 容量 接口 结构 工作电压(V) 特点 其它属性
AT24C02B 2Kbit I2C 256×8 1.8-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C02C 2Kbit I2C 256×8 1.7-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C04B 4Kbit I2C 512×8 1.8-5.5 full memory Write Protect 支持4个器件地址
AT24C08B 8Kbit I2C 1024×8 1.8-5.5 full memory Write Protect 支持2个器件地址
AT24C16B 16Kbit I2C 2048×8 1.8-5.5 full memory Write Protect 支持1个器件地址
AT24C16C 16Kbit I2C 2048×8 1.7-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C32C 32Kbit I2C 4096×8 1.8-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C64B 64Kbit I2C 8192×8 1.8-5.5 1/4 memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C64C 64Kbit I2C 8192×8 1.8-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C64D 64Kbit I2C 8192×8 1.7-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C128B 128Kbit I2C 16384×8 1.8/2.7-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C128C 128Kbit I2C 16384×8 1.7-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C256B 256Kbit I2C 32768×8 1.8/2.7-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C256C 256Kbit I2C 32768×8 1.7-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C512B 512Kbit I2C 65536×8 1.8-3.6/2.5-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C512C 512Kbit I2C 65536×8 1.7-3.6/2.5-5.5 full memory Write Protect 支持8个器件地址
AT24C1024B 1024Kbit I2C 131,072×8 1.8-3.6/2.5-5.5 full memory Write Protect 支持4个器件地址

ATMEL - 3-wire EEPROM

型号 容量 接口 结构 工作电压 特点
AT93C46D 1Kbit 3-WIRE 128×8 或 64×16 1.8V-5.5V  用户可选内部结构
AT93C56A 2Kbit 3-WIRE 256×8 或 128×16 1.8V-5.5V 或 2.7V-5.5V  用户可选内部结构
AT93C66A 4Kbit 3-WIRE 512×8 或 256×16 1.8V-5.5V 或 2.7V-5.5V  用户可选内部结构
AT93C86A 16Kbit 3-WIRE 2048×8 或 1024×16 1.8V-5.5V 或 2.7V-5.5V  用户可选内部结构

DALLAS - 1-wire EEPROM

型号 容量 接口 结构 工作电压 特点
DS2431 1Kbit 1-Wire 256×4 2.8V-5.25V 带写保护模式
DS28E01-100 1Kbit 1-Wire 256×4 2.8V-5.25V 带写保护模式

FRAM铁电存储器

F-RAM - I²C接口

型号 容量 最大工作电流 最大读写频率 封装 电压 备注
FM24C512 512Kb 1.5mA 1MHz EIAJ SOIC8 5V  
FM24C256 256Kb 1.2mA 1MHz EIAJ SOIC8 5V  
FM24CL64B 64Kb 300uA 1MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V  
FM24CL64 64Kb 400uA 1MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V AEC-Q100认证 Grade 3 (-40~85℃)
FM24C64C 64Kb 400uA 1MHz SOIC8 4.5-5.5V  
FM24C64B 64Kb 400uA 1MHz SOIC8 4.5-5.5V  
FM24C64 64Kb 1.2mA 1MHz SOIC8 5V AEC-Q100认证 Grade 3 (-40~85℃)
FM24CL16B 16Kb 300uA 1MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V  
FM24CL16 16Kb 400uA 1MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V AEC-Q100认证 Grade 3 (-40~85℃)
FM24C16C 16Kb 400uA 1MHz SOIC8 4.5-5.5V  
FM24C16B 16Kb 400uA 1MHz SOIC8 4.5-5.5V  
FM24C16A 16Kb 1.0mA 1MHz SOIC8 5V  
FM24CL04B 4Kb 300uA 1MHz SOIC8 2.7-3.6V  
FM24CL04 4Kb 300uA 1MHz SOIC8 2.7-3.6V  
FM24C04C 4Kb 400uA 1MHz SOIC8 4.5-5.5V  
FM24C04B 4Kb 400uA 1MHz SOIC8 4.5-5.5V  
FM24C04A 4Kb 1.0mA 1MHz SOIC8 5V  

F-RAM - SPI接口

型号 容量 最大工作电流 最大读写频率 封装 电压 备注
FM25CL64 64Kb 10mA 20MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V  
FM25640 64Kb 3.0mA  5MHz SOIC8 5V AEC-Q100认证 Grade 3 (-40~85℃)
FM25C160 16Kb 8mA 20MHz SOIC8 5V AEC-Q100认证 Grade 3 (-40~85℃)
FM25L04 4Kb 6mA 14MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V  
FM25L16 16Kb 5.5mA 18MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V AEC-Q100认证 Grade 3 (-40~85℃)
FM25040A 4Kb 8mA 20MHz SOIC8 5V  

F-RAM - 并行

型号 访问时间 最大工作电流 容量 封装 电压
FM22L16 55ns 18mA 4M (256Kx16) TSOP-II-44 3.3V
FM20L08 60ns 22mA  1M (128Kx8) TSOP-I-32 3.13-3.63V
FM18L08 70ns 15mA 256K (32Kx8) SOIC28 PDIP28 TSOP-I-32 3.0-3.65V
FM1808 70ns 25mA 256K (32Kx8) SOIC28 PDIP28 5V
FM1608 120ns 15mA 64K (8Kx8) SOIC28 PDIP28 5V

加密存储器

|ATMEL CryptoMemory®
型号 简述
AT88SC0104C 2.7V-5.5V，ATMEL CryptoMemory®，1-Kbit用户存储器，带加密认证。
AT88SC0204C 2.7V-5.5V，ATMEL CryptoMemory®，2-Kbit用户存储器，带加密认证。
AT88SC0104CA 2.7V-3.6V，ATMEL CryptoMemory®，1-Kbit用户存储器，带加密认证。
AT88SC0204CA 2.7V-3.6V，ATMEL CryptoMemory®，2-Kbit用户存储器，带加密认证。

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    现在有如下这样一个表： A表 ID Name time ------------------------------ 0001 aaa 2006-11-18 0002 ccc 2006-11-18 0003 eee 2006-11-18 0004 aaa 2006-11-18 0005 eee 2006-11-18 0004 aaa 2006-11-18 0002 ccc 20
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    js的跨越问题，普通的ajax无法获取服务器返回的值。   第一种解决方案，通过getson，后台配合方式，实现。 Java后台代码： protected void doPost(HttpServletRequest req, HttpServletResponse resp) throws ServletException, IOException { String ca
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按字母分类： ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ其他