擦写

嵌入式linux系统中常用的文件系统

https://blog.csdn.net/li_wen01/article/details/80090624嵌入式linux系统中常用的文件系统：闪存主要有NOR和NAND两种技术；因为Flash存储器的擦写次数是有限的
马克make·2020-07-11 17:56

磁盘,fdisk分区,MBR,dd命令

光盘和磁盘、u盘、软盘、硬盘有什么区别①光盘：cdrom/dvdrom:光驱（光盘驱动器）rom：只读ram：可以擦写cd：700Mdvd:4G②软盘：floppy：软驱（软盘驱动器）③U盘：U盘，全称
斯言甚善·2020-07-11 15:38

数据库原理复习2

1.概念设计中的的数据描述１）实体２）实体集３）属性４）实体标识符2.逻辑设计中的数据描述１）字段２）记录３）文件４）关键码3.物理设计中的数据描述物理存储介质层次１）高速缓冲存储器２）主存储器３）快擦写存储器
EvalApply·2020-07-11 04:52

24C01驱动

24系列EEPROM可重复擦写100万次，数据可以掉电保存100年不变，有1K位、2K位、4K位、8K位等存储容量的系列产品，24C01就是其中的1K位容量的产品。
WJ_LI·2020-07-10 22:44

SSD定期做Secure Erase

但由于SSD存储单元的可擦写次数有限及错误诊断策略的影响，也会出现一些意想不到的状况。前段时间，一同事的SSD挂了，BOIS都无法识别。虽然子在保固期内可以置换新的，但数据是没法找回来了。
SarahCla·2020-07-10 16:14

CVTE2020暑假实习招聘---笔试题目

nandflash：要在NandFlash上面读写数据，要外部加主控和电路设计；擦写快；存储密度高，成本低；适合大容量的存储设备。区别：NAND和NO
嵌入式软件和硬件·2020-07-10 09:44

STC15F2K60S2内E2PROM应用

这就需要使用内部EEPROM(EEPROM可以擦写100000次)或FLASHROM等存储器来实现。
GU-student·2020-07-08 09:22

关于nor flash和nand flash启动过程区别

带有EBI（三总线）接口，支持线性读取，支持片上程序执行（XIP）；虽然擦写速度慢，但是读取速度很快（也许是因为可以进行线性读取）；更加稳定，不容易出现位翻转；成本高，相同体积下容量更小；接口简单，操作更方便
memset·2020-07-08 08:33

计算机组成原理第三章笔记整理

内存易失SRAM显存/高速缓存非易失只读存储器ROM存储固定数据/代码在正常状态下只能读取数据掩膜ROM出厂写入，无法修改可编程ROM（PROM）用户写入，无法修改可擦除可编程ROM（EPROM）多次擦写
巴川笑笑生·2020-07-07 19:50

关于NorFlash的一点总结

开发板:mini2440NorFlash:SST39VF1601NorFlash简单来说与sdram与Nand的中间品，它能像sdram一样直接读，但是又得像nand一样编程擦写。
Linux学习之路·2020-07-07 14:50

RT-Thread开发问题参考链接

RT-Thread开发问题参考链接RT-Thread移植rt-thread移植适配i.MXRT1050在线擦写QSPIFlash作数据备份i.MXRT1050从外部QSPINorFlash启动Keilsct
returningprodigal·2020-07-07 00:36

中学时期错过的少年

我擦写黑板不在意地说。虽然我是个外貌协会者可是没看到本人有多帅之前
ZOE130·2020-07-06 19:21

关于SSD寿命问题的探讨

擦写次数如何算？要了解SSD固态硬盘的寿命，需要先了解一下SSD固态硬盘中的存储介质NAND闪存。
古猫先生·2020-07-06 13:03

UBOOT中NAND操作

nandwrite0x200000000x1000000x200000-//(3)nandread0x200000000x1000000x200000-//(4)(1)从串口下载到SDRAM的0x20000000处(2)从1M处开始擦写
yanshilei·2020-07-06 10:28

玩转ESP32（3）：partition table使用

ESP-IDF框架中实现的一种分配flash的方式，对spi_flash_{read|write|erase}等接口进行了封装，增加了越界检查，同时尽量避免了直接操作flash地址，所以更加简单安全，但分区表擦写操作本身不具备擦写均衡
雅可·2020-07-06 10:17

Atmel爱特梅尔AT89S52单片机开发实训装置,QY-DPJ12

AT89S52是美国ATMEL公司生产的低电压，高性能CMOS8位单片机，片内含8kbytes的可反复擦写的只读程序存储器（PEROM）和256bytes的随机存取数据存储器（RAM）器件采用ATMEL
上海求育·2020-07-06 07:01

STM32 实现内部Flash的读写（HAL库版）

可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程，在进行写入操作之前必须先执行擦除。一个NandFlash由多个块(Block)组成，每个块里面又包含很多页(page)。
weixin_30449239·2020-07-05 20:14

ARM中FLASH和RAM、ROM的区别

普通的单片机主要用作程序存贮器就是FLASH,也就是替代以前的ROM,最大的优点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写。目前市场上单片机的FA
WangLanguager·2020-07-05 19:52

固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别

1、具体含义不同：SLC即SingleLevelCell，速度快寿命长，价格较贵，约10万次擦写寿命。
九品下·2020-07-05 19:34

【2019/09/16】关于固态硬盘你不得不知道的那些事

内部组成闪存颗粒厂商颗粒封装(灰色地带)主控接口及协议固态硬盘与机械硬盘的比对固态硬盘的分类选购注意事项写放大OP空间不要经常擦写固态硬盘什么是SSD掉速为什么SSD在系统中显示的容量小于标准值2019
lambor20000216·2020-07-05 08:01

SPI专题（一）----STM32驱动FLASH(W25Q128)

W25Q128的擦写周期多达10W次，具有20年的数据保存
小白来拓荒·2020-07-05 06:54

STM32 Flash操作（擦写）过程中器件复位导致数据丢失问题

在操作内部flash这部分中，查看数据手册得知：对于操作128KB的扇区擦写32位数据需要的时间，典型值是1S。
暖暖的纠结·2020-07-05 04:21

STM8做IAP(Bootloader)时在RAM中执行Flash块擦写函数问题

1、STM8的外设库驱动提供了很多代码，要求不高的话直接用库驱动即可2、Flash块擦写速度快，但是必须要把函数放到RAM中执行（因为MCU的是NorFlash，普通的函数都是直接在Flash上执行的）
lv_fu·2020-07-04 23:16

痞子衡嵌入式：轻松为i.MXRT设计更新Segger J-Link Flash下载算法文件

主流MCU开发环境（MCUX/IAR/Keil）以及调试工具（J-Link）的Flash下载算法设计思路基本都差不多，简单的说，就是把Flash擦写操作的底层驱动
痞子衡嵌入式·2020-07-04 22:00

痞子衡嵌入式：轻松为i.MXRT设计更新Segger J-Link Flash下载算法文件

主流MCU开发环境（MCUX/IAR/Keil）以及调试工具（J-Link）的Flash下载算法设计思路基本都差不多，简单的说，就是把Flash擦写操作的底层驱动
痞子衡·2020-07-04 22:00

对NVM区的合理使用

NVM区有10万次擦写寿命或10年存储寿命，因此用户使用时要结合自己项目的应用场景和业务逻辑进行合理分配，达到高效使用NVM区，下面展开说明。
linksafe2014·2020-07-04 21:51

SD卡学习笔记

主控程序不需要关注SD具体是怎么实现读写与擦写的。每个sector可以耐受100,000次写操作，无限次读操作。每当sector被用命令erase命令擦除了，那么写操作将会更快。
临峰不畏·2020-07-04 17:30

一款非接触式感应卡的介绍(RFID、NFC)

产品介绍芯片：NXPMifare1S50存储容量：8Kbit，16个分区,每分区两组密码工作频率：13.56MHZ通讯速度：106Kboud读写距离：5—10CM读写时间：1-2MS工作温度：-20℃-85℃擦写次数
幻影浪子·2020-07-04 15:36

电脑固态硬盘接口分类

固态硬盘（英文简称SSD）是一种采用固态电子存储芯片阵列（颗粒分为SLT,MLC,TLC可擦写次数逐渐降低）而制成的硬盘，其接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，但读取速度更快，解决了新时代传统机械硬盘的性能瓶颈
eacxzm·2020-07-04 15:44

nandflash你不知道的那些事（一）：存在的损耗

前面提到，当一个闪存块接近或者超出其最大擦写次数时，可能导致存储单元的永久性损伤，不能再使用。随着闪存工艺不断向前，这个擦写次数也变得越来越小。
亚历山大的陀螺·2020-07-04 14:03

普通IC、M1、UID、CUID、FUID、UFUID卡的区别

普通IC卡，0扇区不可以修改，其他扇区可反复擦写，我们使用的电梯卡、门禁卡等智能卡发卡商所使用的都是M1卡，可以理解为物业发的原卡。
gis-cc·2020-07-04 13:59

51单片机——硬件基础

1、单片机内部资源STC89C52：8KFLASH、512字节RAM、32个IO口、3个定时器、1个UART、8个中断源（1）Flash（硬盘）——程序存储空间——擦写10万次，断电数据不丢失，读写速度慢
a1314521531·2020-07-04 09:15

STM32L系列单片机内部EEPROM的读写

STM32L的EEPROM使用寿命设计为100000次擦写以上，容量为2K-4K，这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。
WangSanHuai2010·2020-07-04 09:10

Firmware

编辑本段重要性Firmware的重要性不言而喻，采用可擦写的介制是为了对其进行升级。厂家可以提供对Firmware的升级，以便为Firmware增加更多的功能或改进其性能，甚至修正其中的错误。
OKAMIPANDA·2020-07-04 07:53

STM32F10x Flash 模拟 EEPROM

Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1万次，较EEPROM低一个量级。
Cracent·2020-07-04 05:22

固态硬盘相关知识

SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC3倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC=Multi-LevelCell
weixin_34143774·2020-07-04 03:23

STM32F0xx系列 基于LL库的Flash模拟EEPROM

于是我就仿照LL库的风格写了一个Flash函数库，连接：Flash的函数2.这里的代码移植自STM32F091RC-Nucleo的官方应用直接到ST的固件包里去找ST的例程，直接移植官方例程的优点是，擦写平衡什么的
梁檀·2020-07-04 01:03

固件（Firmware），固件与驱动的区别

固件：Firmware.就是写入EROM（可擦写只读存储器）或者EEPROM（电可茶歇可编程只读存储器）中的程序。
廖马儿·2020-07-04 00:50

windows10 快速启动开启与关闭

所以小编建议，如果你是固态硬盘的话，可以考虑关闭快速启动这个选项，毕竟固态硬盘有擦写次数限制，机械硬盘的话则可以考虑打开快速启动。1.win
litdaijiaqi·2020-07-02 08:25

可反复擦写5万次的手写板，竟然还能用橡皮擦能清除屏幕！

作为一名文艺青年，平时写字画画是我的一大爱好。心情不错，来个创作！还记得我们之前介绍过的BoogieBoard电子手写板吗？小木用的就是它。虽然好用，只不过有时候不小心画错了，只能重新来。伤心啊……不过，从今天开始，你再也不用重复这么悲惨的事了。全球首款支持局部擦除的手写板来了——blackboard这是一款BoogieBoard旗下最新推出的多功能手写板。说起这个品牌，那必须要夸一下——所谓专业
数据与算法之美·2020-07-01 14:07

DVD光盘的文件系统(好记性总比不过烂笔头)

UDF(UniversalDiskFormat)，它最早用于可擦写光盘的写入与重写。它是DVD标准的文件系统。ISO9660可以与电脑的操作系统兼容。
指缝间的风·2020-06-30 09:02

STM32 YMODEM实现bootloader

接下来就是你要重点了：其实bootloader说白了，就是在原有APP程序再加上另一段程序---bootloader，这个bootloader可以对你flash进行擦写操作。那么关于
蓝色理想yg·2020-06-30 05:12

解密SSD，slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒区别介绍

SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速
罗技123·2020-06-28 21:35

单片机成长之路（51基础篇） - 002 STC单片机冷启动和复位有什么区别

还支持ISP下载，不用编程器，只要一个MAX232和一些廉价的元件就能写程序，可擦写10万次。因此是一款很好用的单片机。
weixin_30446613·2020-06-27 19:46

stc89c51单片机

51的主要性能:与MCS-51单片机产品兼容、8K字节在系统可编程Flash存储器、1000次擦写周期、全静态操作：0Hz～33Hz、三级加密程序存储器、32个可编程I/O口线、三个16位定时器/计数器八个中断源
vivivi_vivivi·2020-06-27 11:11

物联网-移远M26模块OpenCPU开发第2讲（FLASH处理）

众所周知，flash的擦写次数为10W次，超过这个次数后flash就没有用了。这个项目需要频繁的对其进行写操作，要想设备工作3~5年，10W明显不够用呀。
顾小豆·2020-06-27 10:01

EMMC 介绍

针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术速度：eMMC4.4的读取速度大约为104MB/s、eMMC4.5则为200MB
zjuestcer·2020-06-27 09:58

STC89C52RC特点及引脚介绍

其程序的电可擦写特性，使得开发与试验比较容易，为很多嵌入式控制系统提供了一种灵活性高且价廉的方案。STC89C52RC的
笨小孩的明天·2020-06-27 06:32

Timeout while checking target RAM, core does not stop

本人遇到该问题的时机：研究STM32ISP烧写HEX文件时，无法擦写Flash，FlashLoaderDemo提示擦写失败。其实就是此时选择错了芯片类型。
2974786048·2020-06-26 17:32

JZ2440：nandflash

qqliyunpeng/article/details/51180276芯片的型号：K9F2G08U0C1.硬件部分：1.1简介：芯片大小：256MByte记忆单元阵列：(256M+8,192K)bitx8bit擦写次数比较少
qqliyunpeng·2020-06-26 04:21
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