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MSP430系列Flash存储器C语言环境下的参数保存和擦写技巧

SavetheImportantParametersandClearTechniqueofMSP430SeriesFlashmemorizerinC-CompileMSP430系列Flash存储器C语言环境下的参数保存和擦写技巧本文来自

forzy·2020-08-07 13:55

powerpc2020 Localbus_norflash 驱动及dos文件系统挂载调试总结

题目有点长，将题目进行拆解涉及三个步骤，一配置Localbus总线使cpu可以通过localbus访问norflash设备，二调试norflash的驱动（擦写功能），三将norflash挂载上dos文件系统

alang24&8·2020-08-07 12:09

NAND FLASH学习(一) nand flash操作概述

但是如果仅用一个块作为交换的话，它就会被频繁擦写，因而寿命会大大降低。所以在该系统中，保留了10个块用来作为交换区，轮流使用。另

EMMA3SLP·2020-08-07 11:02

FLASH 擦写时间比较

【Nandflash的一些典型(typical)特性】k9f1208x0b1.页擦除时间是200us，有些慢的有800us。（528）2.块擦除时间是2ms.（528*32）看了24c512的手册，一个page才128个byte，512/8bit=64kbyte总共个500个page，想写满64k得写500个page，手册中貌似写一个page都要花10mS，估计得用5-10S才能写满....而sp

zyboy2000·2020-08-07 11:33

如何提高FLASH的擦写次数

在实际应用中，用户经常需要在程序运行过程中保存或读取一些数据，这些数据在工作中经常会变化，而且掉电后也不能丢失，所以需要及时地进行存储，存储这些数据常用的存储器是EEPROM。HXM6002虽然本身不带EEPROM，但是它支持自编程技术，可以利用FLASH来模拟EEPROM，这样不仅简化了设计，而且降低了成本。一般情况下，FLASH都是以2的n次方为一页，在执行擦除指令时，一次最少要擦除一页的数据

Alex.Wang~·2020-08-07 10:43

实现flash延长写寿命算法

flash的擦写次数是有限的，NANDflash中每个块的最大擦写次数为100万次，而NOR是10W次，flash单个存储单元bit只能从1变为0，而不能从0变成1。

杨善锦·2020-08-07 10:05

STM32 FLASH的擦写寿命

这个问题,其实从STM32各个型号的datasheet就可以看出来.对比了几个文档之后,我发现STM32F10x系列的不同型号,他们的最少擦写寿命不一样.仔细对比了下,原来是版本的问题.在老版本中,写的内容如下

niepangu·2020-08-07 10:04

项目中遇到的问题————Flash擦写

在断电保护的压力测试的过程中，不知道为什么，总是运行几十次就卡掉了。而且极其不稳定，有时几十次，有时几百次。用star抓包，发现所有包都很正常，就是在最后发送完以后，没有回状态字，而是直接卡死。刚开始猜想可能的原因，可能是误差累计造成的。因为记得以前在通信的时候晕倒过，如果每一个字节的传送，有时间误差，前几帧还能正常传送，但是随着误差的不断累计，就会造成字节不能正常传送，现在想想不可能是这个错误，

mikuj·2020-08-07 10:01

STM8L151 在IAR中实现Flash/EEPROM的擦写

在STM8L151G6U6中可支持字节擦写和块擦写，块擦写可一次擦写很所字节。字节擦写比较简单，需要注意的是块擦写，在块擦写中，需要配置一个地方。

jnu_fangzebin·2020-08-07 10:08

SPI Flash的擦写注意事项

从规格书上看，SPIflash一般支持3种擦写方式：按sector擦写，按block擦写，整片chip擦写。

bobbypollo·2020-08-07 10:51

STM32内部Flash读写问题

STM32Flash读写之Flash调试技巧文章目录1.先熟悉所用MCU的Flash存储大小以及扇区地址2.Flsah写之前为什么要先擦除3.Flash擦除长时间占用CPU4.实测Flash擦写占用的时间

Terry-M·2020-08-07 09:42

uboot详解

一条串行数据线(SDA)，一条串行时钟线(SCL)；【2】串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；【3】一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写

wyh135792·2020-08-05 15:36

linux下TF卡测试寿命的测试程序编写

因为使用到了金士顿的32G的TF卡，所以我们要知道它的寿命，可是官网上并没有明确的指出擦写次数的最小值。所以我们只能自己测。我是设想直接打开文件然后写入数据最后关闭反复一秒一次直到写不进。

qq_1494026430·2020-08-05 13:47

51单片机学习笔记（2）——51单片机简介

随着技术的发展，Flash以其可重复擦写且容量大成本低的优点成为现在绝大多数单片机的程序存储器。对于单片机来说Flash最大的意义是断电后数据不丢失。RA

Horse~·2020-08-05 01:39

PDD 笔试反思记录

一个二叉树的有2016个节点最多有几个拥有两个子节点的应该是1007我擦写错了第二个求一个直线段的长度不知道对错没有参考意义第三个是输出旋转数组源码#include#includeusingnamespacestd

weixin_34357436·2020-08-04 20:20

ARM，单片机，FPGA，嵌入式各自的区别及特点

这些存储器可多次电擦写，使程序开发实验更加方便，工作更可靠

keepinthesunshine·2020-08-03 16:50

linux/init/main.c（一）

1.BIOS自检BIOS(BasicInput/OutputSystem)又称基本输入输出系统，现在的主板都使用一种叫FlashEPROM的芯片来存储系统BIOS，里面的内容可通过使用主板厂商提供的擦写程序擦除后重新写入

CHS007chs·2020-08-02 21:06

PHP设计模式之观察者模式

使用场景假设项目经理让我们写了一个登陆接口，咔咔擦擦写完了第二天让我们加入统计登陆次数，然后在后面加代码第三天让我们判断登陆地区，又在后面加代码第四天让我们在用户登陆后推送活动，再再后面加代码第N天，这个接口已经杂乱到没人想维护了我们需要让项目保持高内聚低耦合

遗失的美好灬·2020-08-01 07:59

如果有回到过去的车票，素媛，你要么？

沟通的磁性可擦写板。素媛是个很坚强的女生，善良诚实，即使上学迟

浅赤·2020-08-01 03:10

[STM32F4xx 学习] 如何在RAM中调试程序

总结起来有以下两点原因：1.Flash擦写次数有限，STM32F4xx的Flash擦写次数只有上万次，见图1Flash规格描述图1.STM32F4xxFlash寿命与保存时间2.程序下载到RAM里面要比下载到

weixin_30532987·2020-08-01 03:31

优盘（U 盘）采用TLC, MLC, SLC芯片的区别与使用寿命

最近一直在看大家在讨论sandisk，pny，金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题，让大家基本都不敢用U盘存数据了按照之前的擦写参数TLC1000次MLC10000次SLC4万-10万次（这个也是前几天看论坛才知道不同制程的

iteye_8122·2020-07-31 18:13

你的孤独，虽败犹荣（二）

我尝试着写下我们的故事，但依旧是擦擦写写多次，仍然不知该从何说起。夜已深，夜空中的点点繁星眨巴着他们明亮的眼睛，给这浩瀚星空增添了几分灵动。

长情_M·2020-07-31 10:00

关于Linux输出重定向的问题

输出重定向很简单，echoabc>log就是把“abc”以擦写模式写到log里。。而echoabc>>log则是以追加模式写到log里。但是这样只能重定向一些正常的输出，而一些warmin

师大先生·2020-07-31 09:47

STM32 进阶教程 11 - RAM中运行程序

前言上一讲我们讲到stm32可以将代码直接下载到RAM中时行程序调试，同时可以有效避开STM32Flash擦写次数有限问题，其实除了仿真调试时将程序设置在RAM中可以解决FLASH擦写次数问题外，如果程序实际运行时能直接在

张礼富·2020-07-30 22:50

MCS-51单片机模块实训一 LED控制

1，CPUAT89S51AT89S51是一款低功耗，高性能的8位微处理器，有4KBZ可在系统编程(ISP)Flash闪速存储器，1000次擦写周期，它与工业标准的80C5

liu_shenglun·2020-07-30 22:39

单片机日志记录系统

，get；存储器使用华邦的w25q64，最低擦除的为1个sector(4096Bytes)；日志系统主要分为三个部分1、日志索引，2、断电日志存储区，3、日志存储区1、日志索引：为了避免对单个地址持续擦写造成块损坏

00jackey·2020-07-30 22:02

FLASH延长写寿命算法

NANDFLASH比NORFLASH容量大，价格低，NANDflash中每个块的最大擦写次数为100万次，而NOR10W次，FL

活在珍贵的人间·2020-07-30 22:14

单片机中的各种存储器

EEPROM和FLASH的最主要的区别1.EEPROM可以按位擦写,而FLASH只能一大片一大片的擦。2.EEPROM一般容量都不大,如果大的话,相对与FLASH就没有价格上的优势了。

进击的横打·2020-07-30 22:25

STM8S---IO复用配置(STVP方式)

因为FLASH保存的数据是掉电不丢失的，先用STVP把OptionBytes擦写好后，再用STVD仿真器烧写程序就可实现IO复用了。程序方式配置IO复用见这里2配置流

别打名名·2020-07-30 22:23

单片机ROM,RAM和FLASH的作用

由于FLASHROM比普通的ROM读写速度快，擦写方便，一般用来存储用户程序和需要永久保存的数据。譬如说，现在家用的电子式电度表，它的内核是一款单片机，该单片机的程序就是存放在ROM里的。

魔都一棵葱·2020-07-30 22:43

一点一滴做好嵌入式2

芯片基本都包括其内部的RAM、外部RAM、EEPROM、Flash等Flash程序存储器，其有擦写寿命，而且小芯片的Flash擦写寿命都不高，所有在程序中最好不要随意的去擦写。

大_猫·2020-07-30 12:39

stm32 利用Flash进行储存数据

由于Flash具有擦写速度快，读取方便，掉电不丢失等优点，在工程项目中，常常开辟一块儿数据来存放各个传感器的数据！

xiaoleiacm·2020-07-30 05:24

父母的陪读误区

五分钟才打开书，20分钟才写几个字，不停地擦擦写写。打也打了，骂也骂了，就是不管用，差点儿被孩子气出了心脏病。也有家长自嘲地说：“孩子就随他去吧，还是自己的命要紧。”就变成了佛系育儿。

5239林中漫步·2020-07-30 03:44

STM32的读写flash功能在正式项目还是不要用了。?????还是要用的。

unsv29·2020-07-30 02:36

ARM 之 STM32F407zgt6 外设篇 ----------- FLASH 存储部分数据

FLASH和EEPROM的区别在于：Flash存储器：擦除次数10万次左右，最小擦写单位通常为一个sect

周波峰·2020-07-29 23:48

FLASH知识及读写擦除规则

W25Q80W25Q16W25Q32块163264扇区2565121024页4096819216384字节数1MByte（8Mbit）2MByte（16Mbit）4MByte（32Mbit）三、常用FLASH擦写规则最小擦除单位

丨匿名用户丨·2020-07-29 21:25

关于NorFlash的一点总结

开发板:mini2440NorFlash:SST39VF1601NorFlash简单来说与sdram与Nand的中间品，它能像sdram一样直接读，但是又得像nand一样编程擦写。

mdy09·2020-07-29 21:49

STM32学习笔记-FLASH读写

STM32的FLASH除了可以烧写如程序外，还可以供给用户做存储器，存储参数用，但是要注意的是，FLSAH的擦写次数是有限制的，10万次。

哈哈哈士奇·2020-07-29 20:09

工具使用之J-link重刷固件

在这就说说几个要点：1、擦写完原本固件后，电脑会提示无法识别USB，这个不用理会。2、重新插上USB，电脑会安装一个驱

---牧马人---·2020-07-29 15:46

解决STM32 Flash擦写操作导致USART接收丢数据

问题：该问题由客户提出，发生在STM32F103VDT6器件上。据客户工程师讲述,在其产品设计中使用了STM32片上Flash模拟了EEPROM的功能，用于存贮数据。在软件调试时，发现开启此功能，会影响到USART通信，导致偶尔发生个别数据接收不到的现象。调研：检查其软件代码，发现其中对Flash上数据的更新操作分为如下几个步骤：1.保存Flash页上的数到RAM中；2.擦除Flash页；3.修改

梦断星魂·2020-07-29 15:08

STM32F4(SRAM调试)

STM32F4(SRAM调试)1，目的由于STM32的FLASH擦写的次数是有限的，所以为了保护我们的FLASH，延长MCU的使用时间，我们可以在SRAM上进行调试，SRAM是暂存器，掉电后里面的内容会丢失的

XinLiBK·2020-07-29 14:53

这四本书，让孩子轻松爱上学习

有时候就会怀疑自己是不是生了个小笨蛋还是自己的教导方式不对、、、、、、、但只从从朋友那买了这基本早教识别卡后，很明显，她的学习兴趣提升了很多早教认知卡可随意擦写，反复写，时间久了也就记住了，老师还打电话给我说他学习成绩比以前提升了很多

木子李_1ec4·2020-07-28 12:40

Linux平台下SSD的TRIM指令的最佳使用方式(不区别对待NVMe)

如果要改变这个块中的一位，首先要将整个块擦写成1，然后再写入更新的数据。为了解决擦写块的低效，SSD的策略是将需要改写的块，读取出来，进行数据修改，然后写入到新的，已经擦除完的块中。

东北小狐狸·2020-07-23 18:00

UBOOT_NAND驱动分析

NAND_FLASH(K9F1208U0C)驱动分析》一文中，通过分析AT91SAM9260EK开发板Bootstrap中的NAND驱动时，发现该代码为了优化代码体积（4KB限制），没有实现nand的擦写驱动

lshiceman·2020-07-16 02:04

【旅游行业快讯】2016年12月23日星期五

~早起鸟瞰行业~2016年12月23日星期五【旅游快讯】1、新加坡航空将增加飞往澳大利亚、欧洲、东南亚和西亚的航班2、公安部将启用电子往来台湾通行证签注可重复擦写3、瑞士国家旅游局携手凯撒旅游共同发布中国首部滑雪攻略书

Miss_Raquel·2020-07-15 22:23

SimonLiu的ESP8266与AliOS Things 学习教程系列之十二：Flash操作之KV组件（Key-Value键值组件）

欢迎加入交流群：ESP8266AliOSThings群号：107723112系列文章目录：SimonLiu的ESP8266与AliOSThings学习教程系列目录对于flash介质而言，它是有一定的擦写次数限制的

SimonLiu009·2020-07-15 15:46

BIOS 漫谈

1.什么是可擦写(Flash)的BIOS?BIOS的发音是"bye-ose,"是基本输入/输出系统的缩写。BIOS是机器的硬件自带的、在电脑没有访问磁盘上程序之前决定机器基本功能的软件系统。

zzyspeak·2020-07-15 13:30

BIOS的二十四个解答