擦写

基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案

作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势：1.非易失性存储器芯片，比传统的SRAM或者DRAM在数据保持方面更强；2.芯片容量较大，单颗芯片容量高达1Gb；3.采用DDR4接口，带宽可以到2.7GB/s，超强性能；4.擦写次数几十亿
英尚微电子·2020-08-22 16:28

基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案

作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势：1.非易失性存储器芯片，比传统的SRAM或者DRAM在数据保持方面更强；2.芯片容量较大，单颗芯片容量高达1Gb；3.采用DDR4接口，带宽可以到2.7GB/s，超强性能；4.擦写次数几十亿
英尚微电子·2020-08-22 16:27

Nordic--nrf52832--FDS(一)基本介绍

因为操作的是片上flash，所以在擦写flash的时候CPU会暂停，这对于ble来说很可能影响底层的链路上的时序。所以对于ble应用来说，不能通过flash相关
liefyuan·2020-08-22 10:55

NRF52840 nrfjprog 擦写问题

1问题描述1）在用到nrfjprog对hex文件进行升级时，发现第一次升级后无法跳到app中，进入updater，要再次进行升级才可以跳到app2）如果将板子的flash清空，即全部擦除，再用nrfjprog对hex文件进行升级，则可跳到app中2问题解决1）怀疑我们烧进去的bin文件，在往板子里烧的过程中被篡改，导致烧录前及烧进板子里的bin有差异用J-Flash将板子内的bin读出来，与烧录前
Amazing_anna·2020-08-22 10:01

网卡地址和ip地址的区别

网卡的物理地址通常是由网卡生产厂家烧入网卡的EPROM(一种闪存芯片，通常可以通过程序擦写)，它存储的是传输数据时真正赖以标识发出数据的电脑和接收数据的主机的地址。就是你的电脑
hellocsz·2020-08-21 17:05

玩机入门 - 刷机

ROM中包含手机的操作系统，一般情况下为了手机系统的安全是不允许被擦写的，因此ROM中的内容只能被读取而不能被更改擦写。
TimeScience·2020-08-21 07:34

STM32 FLASH

FLASH擦写时间和供电大小有关，供电电压越大，擦写时间越小，空间前4X16K,1X64K,NX128#defineVoltageRange_1((uint8_t)0x00)/*!
zyboy2000·2020-08-20 09:23

几种存储器的学习笔记

EPROM采用浮栅管单元技术，具备可重复擦写功能的存储器，E表示可擦除，特征是用于紫外线照射的石英窗。E^2PROM即电可擦除
PowerofEvil·2020-08-20 05:18

Qt QPainter CompositionMode解读及图片透明度设置

CompositionMode_SourceQPainter::CompositionMode_DestinationInQPainter::CompositionMode_DestinationOut调节图片透明度画板橡皮擦写在最后前言
yejin_tianming·2020-08-19 22:04

Deepin挂载内存盘

笔者猜想是由于其分区太小，经常擦写的缘故吧。故此，设置内存盘。
EthanChou2020·2020-08-19 00:54

痞子衡嵌入式：轻松为i.MXRT设计更新Segger J-Link Flash下载算法文件

主流MCU开发环境（MCUX/IAR/Keil）以及调试工具（J-Link）的Flash下载算法设计思路基本都差不多，简单的说，就是把Flash擦写操作的底层驱动
痞子衡·2020-08-18 19:14

OTP与MTP && AP与BP

MASKROM的MCU价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不变的应用场合；FALSHROM的MCU程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途；OTPROM
DBOY·2020-08-18 10:53

firmware

Firmware编辑本段重要性Firmware的重要性不言而喻，采用可擦写的介制是为了对其进行升级。
heycare·2020-08-17 22:35

驱动、固件

固件(Firmware)就是写入EROM（可擦写只读存储器）或EEPROM(电可擦可编程只读存储器)中的程序。固件担任着一个系统最基础最底层工作的软件。
Li_Sunrain·2020-08-17 20:00

用VHDL编写testbench激励文件

最近在做nandflash的擦写，要用VHDL编写激励文件做仿真，之前一直用的Verilog，现在总结如何用VHDL语言编写testbench。
Jakcia·2020-08-16 13:23

学习鸟哥私房菜（三）之linux磁盘与文件系统管理

1.磁盘的物理组成：磁盘癿物理组成，整颗磁盘癿组成主要有：*囿形癿磁盘盘(主要记彔数据癿部分)；*机械扃臂，不在机械扃臂上癿磁盘读叏头(可擦写磁盘盘上癿数据)；*主轴马达，可以转劢磁盘盘，讥机械扃臂癿读叏头在磁盘盘上读写数据
皓月峰·2020-08-16 13:35

nfs启动开发板总结

在开发板上要使用nfs方式启动linux的主要原因：可以在电脑上完成程序的调试，不用反复擦写flash,快速完成开发。
开心an·2020-08-16 04:43

FAE手抄之华大单片机总纲篇_HC32L136

手抄之华大单片机总纲篇_HC32L136产品特性产品特性48MHzCortex-M0+32位CPU平台灵活的功耗管理：0.6μA@3V深度休眠模式，4μs超低功耗唤醒时间128K/256K字节Flash存储器，具有擦写保护功能
Ardnantisy·2020-08-15 20:51

linux块设备驱动简介和实例

针对不带磁头设备，暂时先扇区(或者块)读取到ram中缓存，只修改ram中相应位置数据，在写回到块设备，减小擦写次数。
xmzzy2012·2020-08-14 04:07

数据结构python版（一）

由有限数量的明确有限指令构成指令执行在有限步后终止指令每次执行都能获得唯一的结果原则上可以由人单独采用纸笔完成，而不依靠其他辅助每条指令可以机械性地被准确执行，不需要智慧和灵感(2)图灵机计算模型一条无限长的分格纸带，每格可以记录1个符号一个读写头，可在纸带上左右移动，能读出和擦写格子的字符一个状态寄存器
tl3029·2020-08-12 11:28

MSP430平台下实现AT24C02的读写操作

个人博客：http://brainware360.cn/EEPROM可以随机访问和修改其中的任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
yedongnan001·2020-08-11 15:17

EEPROM存储电路（M24C64芯片）

电可擦写可编程只读存储器（ElectricallyErasableProgrammableRead-onlyMemory,EEPROM）实现掉电情况下保存数据，设计温湿度变送器采用M24C64芯片．芯片的
weixin_30404405·2020-08-11 14:14

关于AVR单片机熔丝位的设置和拯救方法大全 AVR单片机熔丝位的设置和详细的拯救方法

在每一种型号的AVR单片机内部都有一些特定含义的熔丝位，其特性表现为多次擦写的E²PROM。
xiaowumemo·2020-08-11 13:54

24C02重要补充

最近用了个AT24C02B，用管脚模拟的I2C协议，调试时候发现，写进去之后再读回来还是默认值0xFF，后来调试后发现，读写之间的时间间隔短了，导致芯片来不及擦写完毕，此时读的话，还是未修改之前的。
yk__peng·2020-08-11 11:36

经验分享——EEPROM读写及数据管理

简单说一下优缺点吧：(1)片内集成的感觉挺便宜的，和MCU一起卖的，对成本要求严格的，写次数很少的场合一般会考虑，至少能省个2、3毛钱吧；(2)缺点的话，可能擦写次数、稳定性没有外挂的专用芯片厉害；2）
咸菜白饭·2020-08-11 11:53

I2C总线（二）EEPROM - AT24C02简介

1.EEPROM可以按位擦写，flash只能大片擦除2.EEPROM一般容量都不大，一般都在64Kbit以下3.AT24C02存储容量2Kbit，内容分为323页，每页8Byte，共256Byte，操作时有两种寻址方式
LouisGou·2020-08-11 11:54

EEPROM存储芯片24C02

工作电压范围为1.8V到6.0V，具有低功耗CMOS技术，自定时擦写周期，1000000次编程/擦除周期，可保存数据100年。24C02有一个16字节的页写缓冲器和一个写保护功能。
weixin_30553065·2020-08-11 10:41

EEPROM实验（24C02）

与400KHzI2C总线兼容1.8到6.0伏工作电压范围低功耗CMOS技术写保护功能当WP为高电平时进入写保护状态页写缓冲器自定时擦写周期1,000,000编程/擦除周期可保存数据100年8脚DIPSOIC
问鼎63·2020-08-11 10:55

STM8内部EEPROM的使用详解

1内存映射STM8S105集成了多达1K的EEPROM（掉电数据不会丢失）最高可以支持30万次的擦写次数，用户可以将一些数据保存在EEPROM中，具体的memorymap如下图所示；在这里内存一页的大小为
小麦大叔·2020-08-08 22:54

eMMC的使用寿命分析-- 3，TCL电视查看EMMC擦写次数和判断EMMC使用寿命是否到期方法

https://www.jdwx.info/thread-754363-1-1.html方法1（适用于大部分机芯）：在系统启动之后查看EMMC擦写次数，串口打印信息输入命令如下：tclsu(或者su)cat
Ricardo_Yu·2020-08-07 22:19

Spi flash基于FAT的简单日志系统（FTL）设计

最近一直在想给自己做的简易Hmi组态屏做一个保证FAT的稳定层，也就是所谓的日志系统(好像听人说这类玩意有个名字叫做FTL，又叫擦写均衡算法，嘛，反正纠结名词不是我喜欢的做法，所以就叫FTL吧)。
淡漠想敏·2020-08-07 22:48

NOR Flash擦写和原理分析

1.NORFLASH的简单介绍NORFLASH是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NORFLASH支持ExecuteOnChip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NORFLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NANDFLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NORFLASH很适合作为启动程序的存储介质.NORFLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据
xiaofei0859·2020-08-07 22:15

【STM32】FLASH擦写+FLASH相关操作+注意事项

有关FLASH读写的函数：有关库函数：实现掉电不丢失的主函数（Flash一定要先擦后写）：#defineFLASH_START_ADDR0x0801f000//写入的起始地址intmain(void){//主程序u16a;//定义变量//初始化程序RCC_Configuration();//时钟设置LED_Init();//LED初始化KEY_Init();//按键初始化a=FLASH_R(FLA
Joseph Cooper·2020-08-07 21:17

C90FL Flash分配及擦写读使用笔记

如图，CPU总共有10个Block一、分配原则：1.只有LowAddressSpace可以作为程序启动地址。如此程序启动地址可以有6个。优先级由高到低L0>L1>L2...>L52.控制器上电后，最先启动的程序（如StartBootBlock）最好放在L0里，客户Boot放在L3或L4里，App程序从L5开始3.不要把L0用作Nvram，因为程序运行过程中擦除Nvram时一旦断电，L0异常。连接U
南山顶上一片红·2020-08-07 20:56

Ti的C28x系列的DSP（28069）使用经验，I2C与EEPROM（AT24C256C）

项目中使用的EEPROM的型号为AT24C256C，擦写次数约为100万次，内存约32768字节。项目中实际DSP需要写入的EEPROM中的字节，约100个。
湖心水动影无双·2020-08-07 20:50

NOR Flash擦写和原理分析 （二）

NorFlash上电后处于数据读取状态（ReadingArrayData）。此状态可以进行正常的读。这和读取SDRAM/SRAM/ROM一样。(要是不一样的话，芯片上电后如何从NorFlash中读取启动代码。~)一般再对Flash进行操作前都要读取芯片信息比如设备ID号。这样做的主要目的是为了判断自己写的程序是否支持该设备。NorFlash支持2种方式获取ID号。一种是编程器所用的方法需要高电压（
weixin_34235457·2020-08-07 20:53

NOR Flash擦写和原理分析

1.NORFLASH的简单介绍NORFLASH是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NORFLASH支持ExecuteOnChip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NORFLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NANDFLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NORFLASH很适合作为启动程序的存储介质.NORFLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据
weixin_33794672·2020-08-07 20:34

NOR Flash擦写和原理分析 （一）

1.NORFLASH的简单介绍NORFLASH是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NORFLASH支持ExecuteOnChip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NORFLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NANDFLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NORFLASH很适合作为启动程序的存储介质.NORFLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据
猪哥-嵌入式·2020-08-07 19:53

PFlash和DFlash的区别

Dflash，就是Dataflash,通常是FlexNVM，可以划分为EEPROM备份以及Dataflash，如果是dataflash，可以与主flash并存，在主程序存储器运行时，人人可以擦写，可以用于存放
技术OR艺术·2020-08-07 17:52

嵌入式文件系统详解

因为Flash存储器的擦写次数是有限的,N
冰夫子·2020-08-07 17:41

Flash擦写操作导致USART接收丢数据的话题

问题：该问题由客户提出，发生在STM32F103VDT6器件上。据客户工程师讲述,在其产品设计中使用了STM32片上Flash模拟了EEPROM的功能，用于存贮数据。在软件调试时，发现开启此功能，会影响到USART通信，导致偶尔发生个别数据接收不到的现象。调研：检查其软件代码，发现其中对Flash上数据的更新操作分为如下几个步骤：1.保存Flash页上的数到RAM中；2.擦除Flash页；3.修改
古剑听风·2020-08-07 16:22

flash的读写擦除

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
Phenixyf·2020-08-07 15:15

【IoT】STM32 Flash 均衡保存算法

FLASH的擦写次数是有限的，一般是10W次，FLASH单个存储单元bit只能从1变为0，而
简一商业·2020-08-07 15:50

flash的读写擦除

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
娃娃儿学推车儿·2020-08-07 15:46

spi flash擦写调试记录

最近在调试spiflash的擦写，问题是flash擦写uboot时，不成功。原来的uboot丢失。
虎皮猫大人王·2020-08-07 14:29

转【Nucleo心得】+ STM32L系列单片机内部EEPROM的读写

STM32L的EEPROM使用寿命设计为100000次擦写以上，容量为2K-4K，这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。
joneming·2020-08-07 14:55

MSP430系列Flash存储器C语言环境下的参数保存和擦写技巧

SavetheImportantParametersandClearTechniqueofMSP430SeriesFlashmemorizerinC-CompileMSP430系列Flash存储器C语言环境下的参数保存和擦写技巧本文来自
forzy·2020-08-07 13:55

powerpc2020 Localbus_norflash 驱动及dos文件系统挂载调试总结

题目有点长，将题目进行拆解涉及三个步骤，一配置Localbus总线使cpu可以通过localbus访问norflash设备，二调试norflash的驱动（擦写功能），三将norflash挂载上dos文件系统
alang24&8·2020-08-07 12:09

NAND FLASH学习(一) nand flash操作概述

但是如果仅用一个块作为交换的话，它就会被频繁擦写，因而寿命会大大降低。所以在该系统中，保留了10个块用来作为交换区，轮流使用。另
EMMA3SLP·2020-08-07 11:02

FLASH 擦写时间比较

【Nandflash的一些典型(typical)特性】k9f1208x0b1.页擦除时间是200us，有些慢的有800us。（528）2.块擦除时间是2ms.（528*32）看了24c512的手册，一个page才128个byte，512/8bit=64kbyte总共个500个page，想写满64k得写500个page，手册中貌似写一个page都要花10mS，估计得用5-10S才能写满....而sp
zyboy2000·2020-08-07 11:33
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