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非易失性存储器MRAM
三星正在改善1Gb
MRAM
寿命问题
mram
芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存以及硬盘的新型存储器介质。写入速度可达到NAND闪存的数千倍,此外其制作工艺要求低,产
英尚微电子
·
2020-01-21 15:16
MRAM
STT-MRAM
NAND闪存
非易失性MRAM
Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南
自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-
MRAM
)是一种持久性存储技术,可利用各种工业标准接口提供性能,持久性和耐用性。
NETSOL
·
2020-01-20 16:00
Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南
自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-
MRAM
)是一种持久性存储技术,可利用各种工业标准接口提供了性能,持久性和耐用性。
英尚微电子
·
2020-01-20 16:45
DDR4/DDR4存储器
ST-DDR4
everspin
非易失性MRAM
Everspin串口串行
mram
演示软件分析
在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-
MRAM
位单元的开发方面处于市场领先地位。
NETSOL
·
2020-01-19 15:00
everspin
非易失性存储器
MR4A16B
Everspin科技公司表示:“Everspin将持续快速扩展
MRAM
产品组合,以协助更多客户实现产品差异化的目标。
NETSOL
·
2020-01-17 15:00
everspin
非易失性存储器
MR4A16B
磁性随机存储器(
MRAM
)和集成磁(IntegratedMagnetic)产品的领导厂商everspin公司16MbMRAM,进一步强化了该公司在
MRAM
领域的领导地位。
英尚微电子
·
2020-01-17 15:31
mram芯片
Everspin
everspin代理
非易失性MRAM
到2029年
MRAM
收入将增长170倍
一份新市场报告预计,从2018年到2029年,独立
MRAM
和STT-
MRAM
的收入将增长170倍,达到近40亿美元的收入。
NETSOL
·
2020-01-16 15:00
到2029年
MRAM
收入将增长170倍
一份新市场报告预计,从2018年到2029年,独立
MRAM
和STT-
MRAM
的收入将增长170倍,达到近40亿美元的收入。
NETSOL
·
2020-01-16 15:00
到2029年
MRAM
收入将增长170倍
一份新市场报告预计,从2018年到2029年,独立
MRAM
和STT-
MRAM
的收入将增长170倍,达到近40亿美元的收入。
英尚微电子
·
2020-01-16 15:10
Everspin
MRAM
mram芯片
非易失性MRAM
STT-
MRAM
存在的两个弊端
随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化,基于自旋转移矩效应的STT-
MRAM
器件应运而生。
NETSOL
·
2020-01-15 14:00
STT-
MRAM
存在的两个弊端
随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化,基于自旋转移矩效应的STT-
MRAM
器件应运而生。
NETSOL
·
2020-01-15 14:00
STT-
MRAM
存在的两个弊端
随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化,基于自旋转移矩效应的STT-
MRAM
器件应运而生。
英尚微电子
·
2020-01-15 13:19
everspin
STT-MRAM
低功耗pSTT-MRAM
非易失性MRAM
MRAM
技术进入汽车应用
通常
MRAM
的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比,当今的
非易失性存储器
可以接受
MRAM
设备的性能和吞吐量。
NETSOL
·
2020-01-14 11:00
MRAM
技术进入汽车应用
通常
MRAM
的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比,当今的
非易失性存储器
可以接受
MRAM
设备的性能和吞吐量。
NETSOL
·
2020-01-14 11:00
everspin
MRAM
在汽车市场中的应用
通常
MRAM
的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比,当今的
非易失性存储器
可以接受
MRAM
设备的性能和吞吐量。
英尚微电子
·
2020-01-14 11:56
everspin
mram芯片
MRAM技术
非易失性MRAM
企业SSD中everspin的DDR3 STT-
MRAM
随着企业固态驱动器(SSD)在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进,SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性,性能和添加重要的新功能的同时,还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备,下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构,这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的
NETSOL
·
2020-01-13 11:00
企业SSD中everspin的DDR3 STT-
MRAM
随着企业固态驱动器(SSD)在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进,SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性,性能和添加重要的新功能的同时,还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备,下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构,这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的
英尚微电子
·
2020-01-13 11:21
everspin
mram芯片
STT-MRAM
非易失性MRAM
各大原厂看好
MRAM
发展
MRAM
是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍,此外,其制作工艺要求低,良品率高,可以很好的控制成本。
NETSOL
·
2020-01-10 16:00
各大原厂看好
MRAM
发展
MRAM
是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍,此外,其制作工艺要求低,良品率高,可以很好的控制成本。
英尚微电子
·
2020-01-10 16:26
everspin
MRAM
mram芯片
非易失性MRAM
everspin展示28nm单机1Gb STT-
MRAM
芯片
Everspin自成立长期以来一直是
MRAM
产品开发的领导者,向市场展示了其28nm单机1GbSTT-
MRAM
芯片。
英尚微电子
·
2020-01-09 14:30
Everspi
MRAM芯片
STT-MRAM
非易失性MRAM
everspin展示28nm单机1Gb STT-
MRAM
芯片
Everspin自成立长期以来一直是
MRAM
产品开发的领导者,向市场展示了其28nm单机1GbSTT-
MRAM
芯片。
NETSOL
·
2020-01-08 14:00
基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-
MRAM
自旋转矩磁阻随机存取存储器(ST-
MRAM
)有望成为一种快速,高密度的
非易失性存储器
,可以增强各种应用程序的性能,特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
英尚微电子
·
2020-01-07 14:55
非易失性MRAM
Everspin
STT-MRAM
非易失性MRAM
案例研究RAID控制器应用程序中的everspin
mram
MRAM
实时捕获事务信息,以便在发生系统故障时可以恢复数据。写入
MRAM
的数据日志还可以捕获系统状况和状态,以进行远程诊断和修复
英尚微电子
·
2020-01-07 14:52
everspin
MRAM
MRAM性能
非易失性MRAM
案例研究RAID控制器应用程序中的everspin
mram
MRAM
实时捕获事务信息,以便在发生系统故障时可以恢复数据。写入
MRAM
的数据日志还可以捕获系统状况和状态,以进行远程诊断和修复
NETSOL
·
2020-01-06 13:00
案例研究RAID控制器应用程序中的everspin
mram
MRAM
实时捕获事务信息,以便在发生系统故障时可以恢复数据。写入
MRAM
的数据日志还可以捕获系统状况和状态,以进行远程诊断和修复
NETSOL
·
2020-01-06 13:00
基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-
MRAM
自旋转矩磁阻随机存取存储器(ST-
MRAM
)有望成为一种快速,高密度的
非易失性存储器
,可以增强各种应用程序的性能,特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
NETSOL
·
2020-01-06 13:00
基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-
MRAM
自旋转矩磁阻随机存取存储器(ST-
MRAM
)有望成为一种快速,高密度的
非易失性存储器
,可以增强各种应用程序的性能,特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
NETSOL
·
2020-01-06 13:00
everspin
非易失性存储器
中
MRAM
的潜在用途
everspin
非易失性存储器
中
MRAM
的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况,时间和温度而泄漏和击穿的相反,
MRAM
(磁性随机存取存储器)使用1个晶体管–1个磁性隧道结(MTJ)体系结构作为MTJ
NETSOL
·
2019-12-31 11:00
everspin
非易失性存储器
中
MRAM
的潜在用途
everspin
非易失性存储器
中
MRAM
的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况,时间和温度而泄漏和击穿的相反,
MRAM
(磁性随机存取存储器)使用1个晶体管–1个磁性隧道结(MTJ)体系结构作为MTJ
英尚微电子
·
2019-12-31 11:24
everspin
非易失性存储器MRAM
MRAM
非易失性MRAM
everspin 4Mb串行SPI
MRAM
专用于智能电表
随着技术的进步,批量生产的静止式电表能以很低的成本获得强大的数据处理和存储能力,促使了小型用户电表的智能化水平得到大幅提升,静止式电表也逐步取代了传统的机电式电表。智能电表是基于现代通信技术、计算机技术、测量技术,对电能信息数据开展采集、分析、管理的先进计量装置。智能电表需要进行数据记录以进行能源管理和计费,并具有增强的可靠性,以便在恶劣环境下长期使用。另外需要长时间保留数据,以便公用事业公司可以
英尚微电子
·
2019-12-30 14:06
SPI
MRAM芯片
mram
everspin
非易失性MRAM
汽车工业中的everspin随机存取存储器
MRAM
MRAM
(磁阻式随机存取存储器)具有消除这种复杂性的潜力,并使KAM和NVM的管理过程更轻松,更强大。板载
MRAM
器件与下一代动力总成微处理器一起使用。
NETSOL
·
2019-12-27 15:00
汽车工业中的everspin随机存取存储器
MRAM
MRAM
(磁阻式随机存取存储器)具有消除这种复杂性的潜力,并使KAM和NVM的管理过程更轻松,更强大。板载
MRAM
器件与下一代动力总成微处理器一起使用。
英尚微电子
·
2019-12-27 15:28
everspin
随机存取存储器MRAM
MRAM
非易失性MRAM
航空航天专用Everspin非易失性
MRAM
存储器
TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司(ÅAC)开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据,以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成:3轴地磁传感器,通过3D封装系统技术制造的MPU芯片,制造的4MbitMRAM(磁性随机存取存储器)芯片由EverspinTechnologies和IMU(惯性测量单元)芯片组成。ÅACMicr
NETSOL
·
2019-12-26 14:00
航空航天专用Everspin非易失性
MRAM
存储器
TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司(ÅAC)开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据,以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成:3轴地磁传感器,通过3D封装系统技术制造的MPU芯片,制造的4MbitMRAM(磁性随机存取存储器)芯片由EverspinTechnologies和IMU(惯性测量单元)芯片组成。ÅACMicr
NETSOL
·
2019-12-26 14:00
航空航天专用Everspin非易失性
MRAM
存储器
TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司(ÅAC)开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据,以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成:3轴地磁传感器,通过3D封装系统技术制造的MPU芯片,制造的4MbitMRAM(磁性随机存取存储器)芯片由EverspinTechnologies和IMU(惯性测量单元)芯片组成。ÅACMicr
英尚微电子
·
2019-12-26 14:52
Everspin
everspin
MRAM
非易失性MRAM
痞子衡嵌入式:飞思卡尔i.MX RTyyyy系列MCU外设那些事(2)- 善变的FlexRAM
众所周知,i.MXRT系列内部没有
非易失性存储器
,但内部SRAM还是必备的,这个SRAM可用于存放data、Stack、Heap段或者Non-XIP代码text段等
痞子衡
·
2019-12-25 20:00
痞子衡嵌入式:飞思卡尔i.MX RTyyyy系列MCU外设那些事(2)- 善变的FlexRAM
众所周知,i.MXRT系列内部没有
非易失性存储器
,但内部SRAM还是必备的,这个SRAM可用于存放data、Stack、Heap段或者Non-XIP代码text段等
痞子衡嵌入式
·
2019-12-25 20:00
精密
MRAM
芯片制造系统
MRAM
是一种非常复杂的薄膜多层堆叠,由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成,部分薄膜层的厚度仅达数埃,比人类的发丝还要薄500000倍,相近于一颗原子的大小,如何控制这些薄膜层的厚度、沉积均匀性
NETSOL
·
2019-12-25 14:00
精密
MRAM
芯片制造系统
MRAM
是一种非常复杂的薄膜多层堆叠,由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成,部分薄膜层的厚度仅达数埃,比人类的发丝还要薄500000倍,相近于一颗原子的大小,如何控制这些薄膜层的厚度、沉积均匀性
NETSOL
·
2019-12-25 14:00
最为精密的
MRAM
芯片制造系统
MRAM
是一种非常复杂的薄膜多层堆叠,由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成,部分薄膜层的厚度仅达数埃,比人类的发丝还要薄500000倍,相近于一颗原子的大小,如何控制这些薄膜层的厚度、沉积均匀性
英尚微电子
·
2019-12-25 13:37
MRAM
非易失性MRAM
MRAM芯片制造系统
非易失性MRAM
MR25H10-1Mb密度SPI串行接口
MRAM
everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(
MRAM
)设备,由131,072个8位字组成。
NETSOL
·
2019-12-24 17:00
MR25H10-1Mb密度SPI串行接口
MRAM
everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(
MRAM
)设备,由131,072个8位字组成。
NETSOL
·
2019-12-24 17:00
MR25H10-1Mb密度SPI串行接口
MRAM
everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(
MRAM
)设备,由131,072个8位字组成。
英尚微电子
·
2019-12-24 16:59
MR25H10CDF
everspin
mram芯片
非易失性MRAM
100亿!又一半导体公司科创板上市!
聚辰股份此次募集资金总额超过10亿元,主要用于以EEPROM为主体的
非易失性存储器
技术开发及产业化项目、混合信号类芯片产品技术升级和产业化项目及研发中心建设。
itwriter
·
2019-12-24 08:00
EVERSPIN
非易失性存储器
具吸引力嵌入式技术
相关研究指出,如果以嵌入式
MRAM
取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省高达90%的功耗;如果采用单一晶体管
MRAM
取代六个晶体管SRAM,则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸,这些功率与面积成本优势将使
NETSOL
·
2019-12-20 15:00
EVERSPIN
非易失性存储器
具吸引力嵌入式技术
相关研究指出,如果以嵌入式
MRAM
取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省高达90%的功耗;如果采用单一晶体管
MRAM
取代六个晶体管SRAM,则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸,这些功率与面积成本优势将使
NETSOL
·
2019-12-20 15:00
EVERSPIN非易失性
MRAM
具吸引力的嵌入式技术
相关研究指出,如果以嵌入式
MRAM
取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省高达90%的功耗;如果采用单一晶体管
MRAM
取代六个晶体管SRAM,则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸,这些功率与面积成本优势将使
英尚微电子
·
2019-12-20 13:40
EVERSPIN
内存芯片
非易失性MRAM
everspin自旋转矩
MRAM
技术
MRAM
的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(freelayer),固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。
MRAM
是一种非易失性的磁性随机存储器。
NETSOL
·
2019-12-19 14:00
everspin自旋转矩
MRAM
技术
MRAM
的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(freelayer),固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。
MRAM
是一种非易失性的磁性随机存储器。
NETSOL
·
2019-12-19 14:00
everspin自旋转矩
MRAM
技术
MRAM
的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(freelayer),固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。
MRAM
是一种非易失性的磁性随机存储器。
英尚微电子
·
2019-12-19 14:36
非易失性MRAM
Everspin
everspin代理
非易失性MRAM
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