EVERSPIN

EVERSPIN非易失性存储器具吸引力嵌入式技术

相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。MRAM是一种非易失性存储
NETSOL·2019-12-20 15:00

EVERSPIN非易失性存储器具吸引力嵌入式技术

相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。MRAM是一种非易失性存储
NETSOL·2019-12-20 15:00

EVERSPIN非易失性MRAM具吸引力的嵌入式技术

相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。MRAM是一种非易失性存储
英尚微电子·2019-12-20 13:40

everspin自旋转矩MRAM技术

everspin的最新MR
NETSOL·2019-12-19 14:00

everspin自旋转矩MRAM技术

everspin的最新MR
NETSOL·2019-12-19 14:00

everspin自旋转矩MRAM技术

everspin的最新MR
英尚微电子·2019-12-19 14:36

STT-MRMA技术优点

但是，随着EverspinTechnologies推出256MbSTT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。
NETSOL·2019-12-17 14:00

STT-MRAM技术改变现状

但是，随着EverspinTechnologies推出256MbSTT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。
英尚微电子·2019-12-17 13:24

Everspin非易失性MRAM切换技术

Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。在读取期间，传输晶体管被激活，并且通过将单元的电阻与参考器件进行比较来读取数据。
NETSOL·2019-12-11 15:00

Everspin非易失性MRAM切换技术

Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。在读取期间，传输晶体管被激活，并且通过将单元的电阻与参考器件进行比较来读取数据。
NETSOL·2019-12-11 15:00

Everspin非易失性MRAM切换技术

Everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。
英尚微电子·2019-12-11 14:49
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