本文以F407ZGT6单片机为例，测试其内部SRAM读取速度和外部扩展的型号为IS62WV51216的SRAM读取速度。

目录一、SRAM控制原理1.1、型号为IS62WV51216的SRAM芯片外观：1.2、SRAM芯片的内部功能框架：1.2.1、SRAM的存储矩阵：1.2.2、地址译码器、列I/O及I/O数据电路1.2.3

基于STM32简易计算器硬件平台CPU：STM32F103ZE屏幕：LCD屏幕接口(NT35310)触摸屏：XPT2046(SPI接口)外扩内存：IS62WV51216(FSMC驱动)2.功能实现1.完成

IS62WV51216高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片选

不足的情况，需要对STM32单片机进行外扩RAM的处理，可以选择更换更高RAM容量的单片机，除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改，STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216

不足的情况，需要对STM32单片机进行外扩RAM的处理，可以选择更换更高RAM容量的单片机，除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改，STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216

开发板ZET6芯片该芯片内部自带了64k字节的SRAM,以及512K的内部FLASHIROM1=0x80000=512K和IRAM1=0X10000=64k的大小同时开发板外置了1M字节外部SRAM芯片（IS62WV51216

不足的情况，需要对STM32单片机进行外扩RAM的处理，可以选择更换更高RAM容量的单片机，除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改，STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216

不足的情况，需要对STM32单片机进行外扩RAM的处理，可以选择更换更高RAM容量的单片机，除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改，STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216

比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太够用IS62WV51216简介IS62WV51216是ISSI（IntegratedSiliconSolution,Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16

原理图根据原理图配置cubeMX的FMC配置完后生成hal库代码。FMC接口有A\B\C\D四种控制模式，具体区别可以参考添加链接描述。驱动SRAM只需要选择模式A。在模式A下，需要关心地址的建立时间和数据的建立时间。cubeMX生成的相关代码在FMC.C文件的Timing结构体中。/*Timing*//*Thisconfigurationisatsystemclockbit80Mhz*/Timi

IS62WV51216序号名称说明连接MCU引脚I/O0双向数据总线FSMC_D0PD1485I/O1双向数据总线FSMC_D1PD1586I/O2双向数据总线FSMC_D2PD0114I/O3双向数据总线

SRAM使用的是55ns的IS62WV51216，需要先分析IS62WV51216对读写的时序要求。

ISSIIS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输

引脚定义FSMC配置步骤1.使能对应引脚GPIO时钟2.配置GPIO引脚模式3.使能FSMC时钟4.FSMC初始化5.存储器块使能举例#defineBank1_SRAM3_ADDR((u32)(0x68000000))//首地址0x60000000，每块0x40000000voidSRAM_gpio_init(){GPIO_InitTypeDefgpiof={GPIO_Pin_0|GPIO_Pin