节省电池寿命：在有机发光二极管（OLED）或柔性有机发光二极管（AMOLED）屏幕上，黑色像素是不发光的，因此在暗黑模式下使用这些屏幕

红外接收二极管电路图一：如图所示，图是红外线遥控接收装置实例。红外线传感器有多种，这里选用光电二极管TPS604。

由于有电感的存在，若没有箝位二极管D1存在，V1点点位将会被拉到很负，从而损坏Q1。

其工作电路为，在Vdc和开关管Q1之间串接电感L1，电感下端通过整流二极管D1给输出电容和负载供电。

瞬态抑制二极管简称TVS管，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏

像其他二极管一样，TVS管也有相应的参数，本文就结合实例，阐述一下TVS管的参数，尤其是TVS管的击穿电压和钳位电压的区别。

TVS二极管，电路保护器件之一，目前是最受广大制造生产商的认可和青睐。何为TV

SM712瞬态电压抑制器（TVS）二极管设计用于多点数据传输标准RS-485应用中的不对称（12V至-7V）保护。

在电路设计中，PTC（正温度系数热敏电阻）和TVS（瞬态电压抑制二极管）通常一起使用以提供过流和过电压保护。

文末可领全部文档1、PN结是晶体二极管的基本结构，也是一般半导体器件的核心。2、射极输出器没有电压放大能力，由于其输出电阻小，所以有较强的带负载能力。3、振荡器是一个具有选频网络的正反馈放大器。

一、瞬态抑制二极管(TVS)的注意事项工作电压/反向截止电压（VR=VRWM）此参数不需要降额，保证大于等于工作电路最大工作电压即可，越接近越好。该参数为TVS的固有参数。

一、最大反向漏电流IR（ReverseLeakageCurrent）和额定反向关断电压VR=VRWM（Stand-offVoltage）：VR是TVS的最大直流工作电压，当TVS两极的电压小于VR时，TVS处于关断状态，此时流过的最大反向漏电流为IR；二、最小击穿电压VBR（BreakdownVoltage）和测试电流IT：VBR是TVS的最小雪崩电压，当反向电压达到VBR时，TVS已变成低阻通路

无法获取该波形下Ipp和VC(max)的准确值，推荐步骤如下：1、确定VRWM，假设VRWM=5V；VBR≈1.2VRWM≈6；VC(max)≈1.4VBR≈8.4V（10/1000us嵌位系数可取1.2）；Ipp(干扰)=[1000-8.4]/12=82.6A；Pppm(干扰)=Ipp(干扰)×VC(max)=82.6×8.4≈0.7kW；考虑到温度降额，干扰形成的Pppm为：最大Pppm(干扰

•8-24V宽供电电压•驱动高侧和低侧N通道MOSFET•4A峰值输出源电流和汇电流•升压电源电压范围可达120V•集成阴极负载二极管•TTL兼容输入，-10V输入•45ns传输延迟•1000pF负载下

说明当设备未通电或未配置设备时，英特尔®Arria®VFPGAGPIO引脚上的内部箝位二极管是否处于活动状态？

二极管：Diodes，也可以用pn来找。晶体管：Transistorsmos管：MOSFETled灯：LED灯：Lamp开关：Switch按键开关：Butto

1．实验任务如图4.9.1所示，开关SP1接在P3.7/RD管脚上，在AT89S51单片机的P1端口接有四个发光二极管，上电的时候，L1接在P1.0管脚上的发光二极管在闪烁，当每一次按下开关SP1的时候

一.闪烁灯[实验任务]在P1.0端口上接一个发光二极管L1，使L1在不停地一亮一灭，一亮一灭的时间间隔为0.2秒。[硬件电路]与上面点亮小灯的连接完全相同。

六、STM32外部的设备和电路外部设备LED：发光二极管，正向通电点亮，反向通电不亮左边是正级，右负是负极如果没有剪过引脚，那么长脚是正极，短脚是负极看图也可以区分，内部较小的一边是正极，较大的一边是负极蜂鸣器

特点➢高效率：高达96%➢500KHz频率运行➢2A输出电流➢不需要肖特基二极管➢4.5V至21V输入电压范围➢

该装置集成了主开关和同步整流器，以获得高效率，而不需要外部肖特基二极管。它是理想的动力便携式设备运行的单细胞锂离子(Li)电池。输出电压可调节低至0.6V。

电流通过R4，R5流经发光二极管，发光二极管D1点亮。2、由于三极管Q1导通后，电容C

前言上一期我们介绍了电压、电流、电阻等基本概念以及最基本的元器件电阻器、电容器、电感器、熔断器、二极管、三极管等。接下来我们就一起走进模拟电路。这期主要介绍一下简单的模拟电路——NE555。

热拔插（Hot-Swapping）系统指的是在不关闭电源的情况下插入或移除硬件设备的能力。在这样的系统中，使用I2C总线可能会遇到一些问题，这是因为I2C总线的设计并不原生支持热拔插，而是为静态配置和通信而设计的。以下是一些避免在热拔插系统中使用I2C总线的原因：总线内容易受干扰：I2C总线使用开漏（open-drain）或开集（open-collector）设计，需要外部上拉电阻来确保线路在没有

TVS（瞬态电压抑制器）二极管和MOV（金属氧化物压敏电阻）通常被用于电路中以提供浪涌保护。

有机发光二极管(OLED)是一种高对比度和分辨率的显示器，可以使用户易于阅读。这种显示器没有背光并且自己创建背光，这使得他们比LCD清晰，更平滑。

一，准备需面包板，跳线(杜邦线也行)，NPN晶体管，二极管，220欧姆电阻，1千欧姆电阻，arduino二，npn晶体管参数封装类型：TO-92晶体管类型：NPN最大集电极-发射极电压(Vceo)：30v

一、毫安时和毫瓦时二、开关电路三、继电器四、半导体五、二极管六、三极管七、三极管应用案例一、毫安时和毫瓦时毫安时（mAh）和毫瓦时（mWh）是两个不同的物理量，它们分别表示电量和能量的度量单位。

在MOSFET驱动电路中，并联在栅极上的齐纳二极管（Zenerdiode）通常用来限制栅极电压，防止过压损坏MOSFET。

实验内容与步骤基于串口的方式1，以仿真方式实现单片机的双机通信实验实验目标：单片机甲、乙双机串行通信，双机RXD和TXD相互交叉相连，甲机P1口接8个开关，乙机P1口接8个发光二极管；双方晶振均采用1

ToF-单点测距原理它由一个发射二极管、接收二极管、调制模块，解调模块、处理器几部分组成。调

数码管驱动原理数码管，也称LED数码管，按发光二极管单元连接方式可分为“共阳极数码管”和“共阴极数码管”。我们使用的正点原子NANOSTM32F103开发板板载的数码管为四位共阴极

题目解析：让发光二极管以1HZ闪烁，周期为频率的倒数，也就是发光二极管以1s为周期闪烁。闪0.5s，灭0.5s。思路解析:1、选择一个发光二极管体现实验现象。

【基础知识】(1)电路中的逻辑状态：0代表的是低电平，1代表高电平(2)半导体元开关：【1】二极管单向导通性普通二极管发光二极管光敏二极管稳压二极管【2】三极管（开关特性）C：集电集B:基集E:发射集PNP

三极管相关三极管的形象描述二极管简单求解（理想）优先导通（理想）恒压降稳压管（二极管plus）基础工作模块理想稳压管的工作特性晶体管之三极管(“两个二极管的组合”)电弧打火机电路1.闭合开关，电流经过T1

不同点在于电感和二极管，MOS管的位置关系的变化。Cuk电源是一种非隔离的直流电源转换器，其基本结构包括输入滤波电容、开关管、输入电感、输出电感和输出电容等元件。

12V错误电压输入后稳压二极管将其上端电位钳在6V（适二极管属性而定），由此R1两端形成电位差激发三极管工作，此时12V的电会通过R3流向地。

掌握二极管的基本特性；掌握二极管的常见应用以及分析方法；2.掌握电容的基本特性以及工作原理；掌握电容的常见应用以及对应的理论计算方法；电容的作用，选型，容值识读与检修：容抗降压，滤波，耦合（滤低频），旁路

常见的光电传感器包括光敏电阻（LDR）、光电二极管及反射式/对射式光电开关等。例如，若使用LDR，

电路由八个独立的达林顿管组成，每个达林顿管带有续流二极管，可用于驱动继电器、步进电机等感性负载。单个达林顿管在输入电压低至1.8V状态下支持电流500mA输出，将达林顿管并联可以得到更大输出电流能力。

其中内置的同步整流器通过在衰减周期内，打开合适的低内阻的开关管以取代反向续流二极管来降低功耗。当芯片监测到过压时芯片会关断同步整流以减小

•目前非800V系统充电桩采用三相维也纳整流+LLC电路，其中PFC整流可以采用二极管，PFC升压可以采用650VIGBT或者SJMOSFET，LLC采用650VSJMOSFET。

•副边采用低FOM值的SGT同步整流电路，相比肖特基二极管整流能有更低的损耗，有利于系统效率的提高。

今天小编来带领大家来学习第四个模块，蜂鸣器模块：一、材料准备①2kΩ电阻2个②npn三家管1个③二极管1个二、电路原理图三、理论学习日常生活中，喇叭

SI114X系列产品具有多个高灵敏度光电二极管

数码管，也称作辉光管，是一种可以显示数字和其他信息的电子设备，通常一位数码管的引脚是有10个，其中7个用来组成数字（a,b,c,d,e,f,g），此外还有一个小数点(dp)，所以数码管内部共有8个发光二极管

一、什么是ESD二极管ESD二极管与TVS二极管原理是一样的，也是为了保护电，但ESD二极管的主要功能是防止静电。

光电二极管高速激光脉冲探测器的核心是一个PIN二极管，也就是光电二极管。光电二极管是一种将光转换为电流的半导体器件，在p（正）和n（负）层之间，存在一个本征层。光电二极管接受光能作为输入以产生电流。

负压产生电路分析大概就是利用了电容两端电压不能突变的原理，MT3608是一个升压芯片，VBUS是USB处取的5V，然后通过MT3608升压到15V，并且额外通过二极管和电容，产生一个负压，然后过79L12

是德科技E9304A二极管功率传感器测量频率范围为9kHz至6GHz的平均功率，功率范围为-60至+20dBm。该传感器非常适合甚低频(VLF)功率测量。