合肥长鑫：已将国产内存工艺从46nm提升到10nm级

　　作者：宪瑞

　　在 9 月 19 日开幕的中国闪存技术峰会，合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了主题演讲，指出合肥长鑫已将奇梦达的 46nm 内存工艺技术水平提升到了 10nm 级别。

　　在这个名为《DRAM 技术趋势与行业应用》的演讲中，平尔萱博士谈到了内存技术的发展、应用以及面临的技术挑战等问题，其中也涉及到了长鑫的内存技术来源及改进。

　　长鑫的技术来源已经不是秘密，此前在 GSA+Memory 存储峰会上，长鑫存储的董事长兼 CEO 朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，提到了长鑫的 DRAM 内存技术来源，主要就是已破产的奇梦达公司，获得了一千多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB 数据，在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过 25 亿美元。

　　奇梦达已经破产多年，他们的内存技术实际上停留在了前几代的水平，平尔萱博士称长鑫已经借助先进的设备将奇梦达 46nm 工艺水平的内存芯片推进到了 10nm 级别。

　　不过公开报道中没有说明平尔萱博士所说的 10nm 级别到底是什么水平，理论上 20nm 之后的都可以叫做 10nm 级，但三星是在 20nm、18nm 之后发展了 1Xnm、1Ynm、1Znm，从 1Xnm 工艺才开始称作 10nm 级内存。

　　结合之前的报道，长鑫公司今年底会量产 19nm 工艺、8Gb 核心的 DDR4 内存芯片，不知道这个内存是否就是平尔萱博士所说的 10nm 级内存。

　　不论是 19nm 还是其他工艺的内存，总体来说国内公司如果能在年底量产 10nm 级别的内存，起点还是非常高的，与国际先进水平的差距也就2-3 年的样子，这个水平相比其他芯片的差距就小太多了。