LED的电学特性

2、LED的电学特性

2.1 正向工作电流If:是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。

2.2 正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在 IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时,VF将下降。

2.3 伏安特性:I-V曲线

伏安特性表征LED芯片PN结制备性能的主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质(单向导电性,即外加正偏压表现低接触电阻,反之为高接触电阻)如下图:

                               

正向死区(图OA段):A点对应的电压VA为开启电压,当V<VA时,外加电场尚克服不了因载流子扩散而形成势垒电场,此时电阻R很大,发光二极管呈高阻态;开启电压对于不同LED其值不同,GaAs为1V,红色GaAsP为1.2V,GaP为1.8V,GaN则为2.5V。

正向工作区(AB段):电流IF与外加电压VF呈指数关系 ,即IF = IS *exp( qVF/KT –1)

其中IS 为反向饱和电流 ,当V>VF时,即正向工作区内,IF 随VF呈现指数上升: IF = IS*exp(qVF/KT )

反向死区(-VR

反向击穿区(V<-VR): VR 称为反向击穿电压;VR 电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V<- VR时,则出现IR突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同,各种LED的反向击穿电压VR也不同。

2.4 伏容特性:C-V特性

鉴于LED的芯片有9×9mil (250×250um),10×10mil,11×11mil (280×280um),12×12mil (300×300um),故pn结面积大小不一,使其结电容(零偏压时)C≈n+pf左右。

如下图(由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得)所示,C-V特性呈二次函数关系。

                                      

 

2.5 响应时间

响应时间表征某一器件跟踪外部信息变化的快慢程度,LED的响应时间达到10-6~10-7S(us级)。响应时间从使用角度来看,就是LED点亮与熄灭所延迟的时间,即图中tr 、tf 。图中t0值很小,可忽略,响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。

                                                       

LED的点亮时间——上升时间tr是指LED接通电源使发光亮度达到正常的10%开始,一直到发光亮度达到正常值的90%所经历的时间,这就是LED的点亮时间。

LED的熄灭时间——下降时间tf是指LED正常发光减弱至原来的10%所经历的时间,这就是LED的熄灭时间。

不同材料制得的LED响应时间各不相同;如GaAs、GaAsP、GaAlAs其响应时间<10-9S,GaP为10-7 S。因此,由上述材料制成的LED可用在10~100MHZ高频系统。

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