电子电路元件基础知识（3）三极管与 MOS管篇2019-02-07

三极管：

三极管是电流控制电流的半导体器件

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不管是PNP还是NPN三极管，带箭头的那条腿，是发射极（E）。另一条是集电极（C）。

箭头向外，是NPN型（Ib>Ie导通 否则关断），

箭头向里，是PNP型（Ib

NPN型三极管  ，要使CE完全导通，BE之间最少要1ma电流 PNP型也一样。

NPN三极管的E发射极一般接地

PNP三极管E发射极一般接电源

三极管射极跟随

上两图：一个精密的大电流（300ma）恒压源  运放跟随器和三极管射极跟随

mos管：

mos管是电压型控制器件

不管箭头朝里还是朝外，带箭头的脚都是S极（源极）

寄生二极管（体二极管）方向判定：

MOS管的作用：

用大功率N沟道来说：

如果s极有5V电压，则Vg>Vs 4.5V 即Vg>9.5V D和S才会完全导通 

如果Vg=0V  ，但是Vs有5V电压 那么Vd会有5V电压  因为体二极管是正向的

如果Vg=0V ，但是Vd有5V电压，那么Vs没有电压，因为体二极管是反向的

每个型号的MOS管，它的导通电压是不一样的，都有自己的阈值电压！一般是4.5V。阈值电压在数据手册里看Vgs（th）参数。

栅极G和漏极D之间有个电容Crss，叫反向传输电容，也叫米勒电容。

mos的导通损耗与负载电流成正比。

总结：电路设计中，要注意电压和电流，电压足够了，电流不够是不行的，反之一样。

当电流不够时，可以用三极管驱动大电流。

当电压不够时，可以用MOS管。

综合运用最好，电路中为了减小功率损耗，在满足电压的情况下，尽可能的加大电阻，减小电流，减少功耗。电流减小了，必然造成后级电路驱动能力不足，这时候，就要用三极管驱动大电流。（三极管射极跟随）。

IGBT特点：（开关器件）

1.导通电流比较大

2.导通速度慢

3.导通压降为一定的值

UVLO：欠压锁定

Voltage feedback pin：电压反馈脚

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