eeprom 和 flash 区别，及页的概念

EEPROM和flash的区别 

之前对各种存储器一直不太清楚，今天总结一下。

存储器分为两大类：ram和rom。

ram就不讲了，今天主要讨论rom。

rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改rom中的内容了。

EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。

狭义的EEPROM：

这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

flash:

flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。

flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。

flash分为nor flash和nand flash。nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。

nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页）

由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。

使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。

因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。

（这句话可以看出，可以按字节寻址的都可以当做数据存储器，就是程序可以直接在上面运行，因为cpu寻址可以是但地址去寻址。

那eeprom也不行，没有地址线，只有i2c接口，注意eeprom是可以按字节操作，但是和按字节寻址还有区别，这里按字节寻址是指cpu通过地址线直接去寻址。spi flash就不行，nand flash也不行。所以一般情况下ram和nor flash可以。）

另一篇区别：

掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的想少量参数保存在EEPROM中，其擦除次数较Flash多，Flash用来做程序和一些掉电保护和不需要修改的数据。

Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品，它的最大特点是必须按块（Block）擦除（每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格），而EEPROM则可以一次只擦除一个字节（Byte），目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM就显的不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做不到。

FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，EEPROM在运行中可以被修改，而FLASH在运行时不能修改，EEPROM可以存储一些修改的参数，Flash中存储程序代码和不需要修改的数据，所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory。EEPROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的，现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是FloatingGate Debice，一类是Charge TrappingDebice，这里的分类标准主要是program与crase的机制不同。

一：FLASH和EEPROM的区别

   1:相同点是两者都能掉电存储数据

   2：不同点是：

                                     A：FALSH写入时间长，EEPROM写入时间短。

                B：FLASH擦写次数少（10000次），EEPROM次数多（1000000次）

二：单片机的数据存储器不能用FLASH，因为：

    1：FLASH有一定的擦除，写入次数，一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次。

    2：FLASH写入数据需要比较长的时间，大约需要4-6ms，而且写FLASH需要加上9V的高压，麻烦。

三：至于EEPROM，可以作为数据存储器，但是单片机如atmegal28，一般用RAM作为数据存储器，因为EEPROM工艺复杂，成本高，适合于存储掉电保护的数据，而这类数据往往不需要太多，所以一般的单片机都没在内部集成EEPROM，需要的时候可以让单片机外挂24C01一类的串行EEPROM。

区别：

1、  FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作

2、  FLASH写入时间长，EEPROM写入时间短

3、  FLASH擦写次数少（10000次），EEPROM次数多（1000000次）

4、  FLASH的电路结构简单，成本低，EEPROM工艺复杂，成本高