早在ARM TechCon 2014大会上,ARM携手合作伙伴全面展示其在移动设备、物联网与服务器等领域的芯片技术最新成果。根据eetimes网站报道,笔者了解到,尽管ARM SoC已取得了更大地进展,但尚未达到其黄金时期,其中核心技术正朝主流的FinFET技术节点迈进,而物联网与嵌入式系统也持续市场扩张。

    面对市场的变化需求,正如ARM CEO Simon Segars在ARM TechCon 2014上强调“成功的技术是无形的”。尽管芯片的尺寸不断变小,但连接性、性能与能效对于消费者而言要更加的“不可见”。同时,为了促进硬件与服务快速发展,如软件定义网络(SDN),通过虚拟化将有效降低复杂度,带来更有效率的系统,从而帮助用户的应用发展。

    向物联网与嵌入式市场扩张天天娛樂城
    随着物联网应用扩展,ARM推出mbed平台主要针对来整合开发应用。针对这方面,ARM宣布了一系列新工具,如Power Grid Architect可简化电网SoC系统的开发,笔者了解该SoC采用最新的“FinFET”3D晶体管技术。

    此外,ARM扩大了与台积电10nm的工艺技术合作,之前采用16nm的FinFET技术上ARM Cortex-A53和A57内核的测试比预期要好。同时与Synopsys合作取得了成果,ARM和Synopsys基于FinFET的技术提供更为先进的ARM V8核心芯片。

    而在ARM TechCon 2014上,不仅体现ARM全面芯片技术,同时也在多个方面展示出其解决方案的应用领域之广,通过收集ARM TechCon上产品和技术,去全面体验ARM芯片带来的技术创新。

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