优盘(U 盘) 采用TLC, MLC, SLC芯片 的区别 与使用寿命

最近一直在看大家在讨论sandisk,pny,金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题,让大家基本都不敢用U盘存数据了
按照之前的擦写参数
TLC1000次
MLC 10000次
SLC4万-10万次(这个也是前几天看论坛才知道不同制程的slc擦写次数不一样)
注明是擦写意思就是你把里面东西删除了再存上一次才算一次擦写,只读取里面文件的不算
假设你一天需要3次擦写那么
全新的TLC可以用到2014年
全新的mlc可以用到2041年
全新的slc可以给你的孙子的孙子了
大家现在有几个手里还有32M以下U盘的
注明是一直在使用的不是收藏的或者垃圾堆的。。。。。
其实就是想说大的加工厂已经在用tlc了说明这个技术已经没啥问题了,大家玩U盘不要总被这个参数困扰,当然追求读写的还是去买slc吧。tlc读写和mlc感觉区别不是很大


现在的U盘很少见到SLC了,用MLC就已经是厂商对得起良心了。用chipgenius点我下载可以检测。


上图为 MLC


上图为 TLC



而在NAND闪存方面,受到成本、速率和容量的综合因素考虑,目前市场上主要包括三大类NAND Flash闪存,分别为SLC、MLC和TLC,它们的价格呈阶梯形式,TLC价格甚至直逼0.5美元/GB。

SLC(Single-Level Cell)NAND采用了单层设计,单个Cell同一时间只能存储1个bit的数据,由于设计结构的简单,具有存储速率快、寿命长的特点,平均寿命大约为10万次,不过产品的容量和成本较高,主要应用在性能级的企业SSD上,另外在一些高端优盘上也可以见到它。

采用SLCNAND的ORICO UE3优盘读写达160MB/s

MLC(Multi-Level Cell)NAND则为双层设计,单个Cell同一时间只能存储2个bit的数据,成本、速率和容量得到了非常好的平衡,目前单颗容量已经高达128Gb(16GB),不过产品的使用寿命大约只有10000次。

大容量PCI-E SSD也会采用采用MLC NAND闪存

TLC(Trinary-Level Cell)则基本是从成本考虑的,采用了三层设计,单个Cell同一时间只能存储3个bit的数据,寿命非常有限,大约只能擦除500次。


SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次。

现在市场上面有许多TLC的芯片,TLC做的U盘你敢用吗?我不敢!



论坛里有坛友发了QLC的U盘,虽然是个扩容盘,山寨的货。但是也让我们见识到了TLC不是在最底层了,他下面还有个寿命更短的家伙。


SLC被我们一些人称为神话了,在品牌U盘当中,采用SLC的U盘意见屈指可数了,如前段时间部分坛友购买的金田 USB3.0的U盘就是双贴SLC制成的,速度也还不错。当然还有其他的,这个大家去发现吧。

有坛友说,很多高速USB3.0给媒体送测的U盘是SLC的,但是市面销售的却为MLC,这很明显是欺骗消费者的。具体回复坛子里有,可是忘哪了。

SLC的优越性能还有寿命这个坛子里都知道,就是贵。。。所以他被在成本的压力下,变得非常稀少。

MLC已经开始少了,KST,威刚,闪迪等等厂商都已经采用TLC在主流U盘上了。这让大家对这些品牌感到了惋惜。我想这也还是迫于成本的限制吧。
MLC在SLC面前虽然逊色不少,但是他现在在我们心目中的形象突然高了起来,在这个唾弃TLC追捧MLC的时代,MLC变得非常的火热,买个品牌的U盘,首先都要看看是不是MLC,如果是TLC的,我想肯定会觉得运气不好,有点想骂厂商了吧。

MLC的性能中规中矩,但是价格也适中,制作成U盘速度也不错,像博帝的四通道 USB2.0速度可是逼近SLC的,在USB3.0下,也有不俗的表现,这也是我们一直力挺MLC的原因。

TLC,大家都在唾弃他,但是他还是迎面而上啊,逐渐成为各U盘厂商的宠儿啊,价格低廉,成本也控制的更加低了,所以现在U盘很便宜也是合理的,不过按照现在的价格,MLC和TLC的价格却差得不很大,但是性能却差得好远好远。这个我们不选择TLC也是有道理的。但是由于TLC的加入,U盘的价格不才多姿多彩吗?

QLC,这个我也是几天才发型的新东西,如同我在那帖子的回复一样,我认为他作为一个代替光盘的产品还是不错的,虽然他的是、擦写寿命有限,但是想想光盘的寿命,他已经很客观了,但是价格几多,这个就不清楚了。

作为芯片级的产品,他容量可以做得比较大,不会像光盘一样受到比较大的限制,而且他也不会像光盘一样怕被刮花了。把电影弄进QLC制成的产品,再加入相应的防复杂措施,这也是不错的代替品不是吗?


X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后,架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
2009年TLC架构正式问世,代表1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低。
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般,这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火,之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。
TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高,对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品,则一定要使用SLC或MLC芯片。
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机,都必须要使用SLC或MLC芯片,因此这两种芯片都处于缺货状态,而TLC芯片却是持续供过于求,且将整个产业的平均价格往下拉,使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时,出现罕见的市场规模缩小情况发生,从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元,减少6.5%。
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别:
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次。
目前,安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度:采用H2testw v1.4测试,三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s,读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s,读取速度: 14.3MByte/s。
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大。
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命。
MLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC【容量大了一倍,寿命缩短为1/10】。
TLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20】。
闪存产品寿命越来越短,现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐,但是其固有的缺点,也不得不让我们考虑一番。
什么是SLC?
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
  SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC?
MLC英文全称(Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。
  英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate(闪存存储单元中存放电荷的部分),然后利用不同电位(Level)的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度。
与SLC比较MLC的优势:
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势。
与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大。如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升。
与SLC比较MLC的缺点:
MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入。
其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。
再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。 


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