.场效应管在漏端预夹断后，为什么还有漏电ID

当两个耗尽区有交点时，就出现预夹断

当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源湍最厚，漏端最薄，逐渐升高。在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源端最厚，漏端最薄，当VDS增大到栅一漏电位差VGS= VLS= VGS(rh)时，漏端预夹断。这个夹断区成了漏一源间电流通路上电阻最大的区。V璐的任何一点增加都必然会集中降在这里，使预夹断区具有很强的电场。由于现在被夹的只是漏端的一个小区域，在预夹断区左边还有N沟道，这些自由电子仍可在沟道中漂移，在到达预夹断区时，就受夹断区强电场的吸引，滑入漏区。所以，在漏端预夹断后，漏一源之间仍有漏极电流ID。

其它问题：

40.当温度升高时，二极管的反向饱和电流应该如何变化？当温度升高时，二极管的反向饱和电流应该增大。因为温度升高时，本征半导体激发增大，半导体中少子的数量增多，而反向饱和电流是由少子形成的。41.二极管PN结中存在哪几种电容？形成原因是什么？二极管PN结存在两种电容：势垒电容和扩散电容。(1)势垒电容：二极管PN结的空间电荷区的电荷是随外加电压变化的。例如外加正向电压，当电压升高时，N区的电子和P区的空穴就会进入耗尽区进而中和部分带正电荷的失主离子和带负电荷的受主离子，就如同有部分电子和空穴存入PN结，相当于对一个电容充电。当外加正向电匪下降时，部分电子和空穴从耗尽区脱离，如同电容放电。势垒电容的大小与PN结面积成正比，与耗尽区的厚度成反比。当PN结上加反向电压时，耗尽区厚度变大，故势垒电容很小。但由于势垒电容是与结电阻并联，其作用不可忽略。所以势垒电容在反向偏置时更加重要。(2)扩散电容：为了使PN结形成扩散电流，PN结内电荷必须要有浓度差，PN结边缘处的浓度大，远离PN结处浓度小，也就是说在P区有电子的积累，N区有空穴的积累。当外加正向电压变大，有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求。反之，电压变小时，载流子积累变少。这就如同电容的充电和放电。当PN结正向偏置时，电流随外加电压变化大，扩散电容较大。反向偏置时，电流较小，扩散电容很小，一般可忽略。