PDK文件学习
1、
layout.cdb :默认的主文件(可以在master.tag中自定义,几乎很少用,但是在出错等情况下还是有用的)
layout.cd% :最近一次存盘信息。
layout.db- :异常退出后系统自动保存的信息。
2、
.db文件是数据库数据存放文件,每种软件都有自己的存放格式,就是数据的排列方式,后缀名均为.DB
GDS文件是电路版图的一种文件格式,要通过Cadence软件Stream in,就可以看到版图的内容了
3、
MIM电容被称为极板电容,是Mn和Mn-1金属构成的,利用上下层金属间的电容构成。由于上下层金属在三维空间内搁着氧化层较远,因此会在上下层金属添加CTM层次,并且用通孔进行连接上下层金属,以此来达到缩小极板间距,增加电容。
MOM电容为finger电容,主要是利用同层metal边沿之间的电容,在版图设计过程中,为了缩小面积,可以进行叠加多层金属。
4、
BULK是衬底
5、
hcell是用来声明版图的哪些模块和电路的哪些模块是一一对应关系,主要用于LVS做层次化检查。
xcell也具有这个作用,主要用于提取门级后仿寄生。加入xcell列表中的pcell器件(主要和rf器件相关)或者模块则不会再提取自己内部的寄生。
hcell是做lvs时版图和电路对应的,xcell指定pex不做寄生抽取的cell
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ULL MOS:Ultra Low Leakage MOS,超低泄露MOS
7、
芯片的shrinkage:
就是不改版图直接照比例缩小,例如0.13um缩成0.11um,这通常是在数字IC较常见,可以增加chip的产出
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1mil = 25.4um
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后端文件释义
GDSII:它是用来描述掩模几何图形的事实标准,是二进制格式,内容包括层和几何图形的基本组成。
CIF:(caltech intermediate format),叫caltech中介格式,是另一种基本文本的掩模描述语言。
LEF:(library exchange format),叫库交换格式,它是描述库单元的物理属性,包括端口位置、层定义和通孔定义。它抽象了单元的底层几何细节,提供了足够的信息,以便允许布线器在不对内部单元约束来进行修订的基础上进行单元连接。
包含了工艺的技术信息,如布线的层数、最小的线宽、线与线之间的最小距离以及每个被选用cell,BLOCK,PAD的大小和pin的实际位置。cell,PAD的这些信息由厂家提供的LEF文件给出,自己定制的BLOCK的LEF文件描述经ABSTRACT后生成,只要把这两个LEF文件整合起来就可以了。
DEF:(design exchange format),叫设计交换格式,它描述的是实际的设计,对库单元及它们的位置和连接关系进行了列表,使用DEF来在不同的设计系统间传递设计,同时又可以保持设计的内容不变。DEF与只传递几何信息的GDSII不一样。它还给出了器件的物理位置关系和时序限制等信息。
DEF files are ASCII files that contAIn information that represent the design at any point during the layout process.DEF files can pass both logical information to and physical information fro place-and-route tools.
SDF:(Standard delay format),叫标准延时格式,是IEEE标准,它描述设计中的时序信息,指明了模块管脚和管脚之间的延迟、时钟到数据的延迟和内部连接延迟。
dspF、RSPF、SBPF和SPEF:
DSPF(detailed standard parasitic format),叫详细标准寄生格式,属于CADENCE公司的文件格式
RSPF(reduced standard parasitic format),叫精简标准寄生格式,属于CADENCE公司的文件格式
SBPF(synopsys binary parasitic format),叫新思科技二进制寄生格式,属于SYNOPSYS公司的文件格式
SPEF(standard parasitic exchange format),叫标准寄生交换格式,属于IEEE国际标准文件格式
以上四种文件格式都是从网表中提取出来的表示RC值信息,是在提取工具与时序验证工具之间传递RC信息的文件格式。
ALF:(Advanved library format),叫先进库格式,是一种用于描述基本库单元的格式。它包含电性能参数。
PDEF:(physical design exchange format)叫物理设计交换格式。它是SYNOPSYS公司用在前端和后端工具之间传递信息的文件格式。描述了与单元层次分组相关的互连信息。这种文件格式只有在使用SYNOPSYS公司的Physical Compiler工具才会用到,而且.13以下工艺基本都会用到该工具。
TLF:TLF文件是描述cell时序的文件,标准单元的rise time,hold time,fall time都在TLF内定义。时序分析时就调用TLF文件,根据cell的输入信号强度和cell的负载来计算cell的各种时序信息。
GCF:GCF文件包括TLF/CTLF文件的路径,以及综合时序、面积等约束条件。在布局布线前,GCF文件将设计者对电路的时序要求提供给SE。这些信息将在时序驱动布局布线以及静态时序分析中被调用。
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LOD(Length of Diffusion) Effect:
对于相同大小栅极,因其所在扩散区的相对位置及尺寸大小不同而有不同电学效应,这是由于浅槽沟道隔离(Shallow Trench Isolation, STI)有不同的应力效应,所以又称STI应力效应。 0.25以下工艺大多数采用STI隔离技术,STI会产生许多隔离岛,也产生了不定型或不均匀双轴压应力。处在有源区的应力状态是不均匀的,它与整个有源区的面积有关。 STI主要影响器件的饱和电流(Idsat)和阈值电压(Vth)。 STI延展效应可以通过以下两个参数来描述:SA,SB。这两个参数分别表示栅到有源区两边缘的距离。 MOSFET特性参数如Vth、Idsat, 会因为以下函数变化:
Stress=1/(SA+L/2)+1/(SB+L/2)
其中L指栅长,由此可见,只有当SA、SB均变大时,应力才会变小。
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