氮化镓充电器芯片 NV6128、NV6127、NV6125 QFN6x8mm

NV6128 氮化镓功率芯片具有开尔文源极,有效降低寄生参数对高频开关的影响。NV6128导阻为70mΩ,在纳微的氮化镓功率芯片中最低。芯片额定工作电压为650V,峰值耐压800V,在系统中的可靠性更高,支持2MHz高开关频率。该芯片采用QFN6*8mm封装,在使用电流检测电阻时仍能得到增强的散热。NV6128内部整合集成栅极驱动器,支持10-30V供电,且导通压摆率可编程。应用于300W图腾柱PFC+AHB氮化镓电源方案。

参数:NV6128 电源开关/驱动器 N 通道 20A 30-QFN
开关类型:通用
输出数:1
比率 - 输入:输出:1:1
输出配置:高压侧或低压侧
输出类型:N 通道
接口:PWM
电压 - 负载:650V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10V ~ 24V
电流 - 输出(最大值):20A
导通电阻(典型值):70 毫欧
输入类型:非反相
工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:30-PowerVQFN(6x8)

NV6127 采用QFN6*8mm封装,散热性能升级,125mΩ导阻,内置驱动器支持10-30V供电。最高支持2MHz开关频率。
NV6127 氮化镓芯片的产品应用有华硕300W氮化镓电源,联想90W闪充双口氮化镓充电器、倍思120W氮化镓+碳化硅PD快充充电器等。

参数:NV6127 电源开关/驱动器 N-CH 12A 30QFN
开关类型:通用
输出数:1
比率 - 输入:输出:1:1
输出配置:高压侧或低压侧
输出类型:N 通道
接口:PWM
电压 - 负载:650V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10V ~ 30V
电流 - 输出(最大值):12A
导通电阻(典型值):125 毫欧
输入类型:非反相
特性:-
故障保护:-
工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:30-PowerVQFN(6x8)

氮化镓充电器芯片 NV6128、NV6127、NV6125 QFN6x8mm_第1张图片

NV6125 是流行的 NV6115 650 V GaNFastTM 电源 IC 的热增强版本,针对高频和软开关拓扑进行了优化。
NV6125 氮化镓功率芯片,内置驱动器,无需外置驱动器,175mΩ导阻,耐压650V,支持2MHz开关频率,采用散热增强的QFN6*8mm封装,适用于升压,降压,半桥,全桥开关电源等诸多应用场合。
应用
交流-直流、直流-直流、直流-交流
QR 反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 谐振、D 类
无线电源、太阳能微型逆变器、LED 照明、TV SMPS、服务器、电信

参数:NV6125  8A 电源开关/驱动器 IC 1:1 N 通道  30QFN(6x8)
输出配置:高压侧或低压侧
输出类型:N 通道
接口:PWM
电压 - 负载:650V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10V ~ 24V
电流 - 输出(最大值):8A
导通电阻(典型值):175 毫欧
输入类型:非反相
工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:30-PowerVQFN

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