MOS管和IGBT区别,一看就懂

MOS管即MOSFET,又叫绝缘栅场效应管,是场效应管的一种类型。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。IGBT的电路符号至今并未统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

这是MOS管和IGBT管的内部结构:

MOS管和IGBT区别,一看就懂_第1张图片



 

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。

另外,MOS管和IGBT的选择可以参考以下几点:

MOS                          IBGT

切换功率大于100KHz           切换功率低于25KHz

输入电压低于250V             输入电压高于1000V

较小的输出功率的场合         较大输出功率的场合

                            电流变化较小的负载

总的来说,MOSFET优点是高频特性好,工作频率高,缺点是导通电阻大,在高压大电流场合功耗较大;IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。

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