Lange耦合器结构如图,输入端口①的输入功率一部分直接传送给直通端口②,另外一部分耦合到耦合端口③,在理想的定向耦合器中,没有功率传送到隔离端口④。Lange耦合器的直通端口②与耦合端口③之间有90°的相位差,可见Lange耦合器是正交耦合器。Z0为输入输出微带线阻抗,W为微带线的宽度,S为微带线之间的间距,λ/4为工作带宽中心频点处的四分之一波长。
Lange耦合器的耦合系数常用C表示,影响耦合系数C的参数如下:
a) 线宽W
b) 缝隙宽度S
c) 基板介电常数
d) 导体厚度T
缝隙宽度S、微带线宽W和导体厚度T对耦合系数C有较大影响,而基板介电常数主要对特性阻抗有影响。
耦合端口的输出功率对输入端口的功率的比值
隔离端口的输出功率对输入端口的功率的比值
耦合端口的输出功率对隔离端口的输出功率的比值
直通端口的输出功率对输入端口的输入功率的比值
(以ADS2016版本进行仿真设计,其他版本设置和仿真可能会不一致)
频率范围:0~20GHz;
中心频率fc:12GHz
在8~16GHz的输入驻波比:<1.2
在中心频点fc:12GHz的插损和耦合度:2.9dB < IL = C <3.1dB
在8~16GHz的定向度:D > 17dB
在8~16GHz的隔离度:I > 20dB
命名为“lange_coupler“,新建一个原理图cell,并命名为“lange_coupler”,一切采取默认设置即可。
加入微带lange耦合器和微带基片MSUB(在TLines-Microstrip中),并插入S_Params模板,并另外添加两个端口Term,用线连接起来,如图所示
小技巧:在Simulation-S_Params中,可以插入等式控件,”MeasEqn”,在栏中输入“Radio =S(2,1)/S(3,1)“,如图所示。
1端口为输入端,2端口为直通端,3端口为耦合端,4端口为隔离端,Radio为直通端口和耦合端口之间的相位差。
采用氧化铝作为微带线的介质基板,设置如图所示:
使用介电常数为9.6氧化铝基板制作3dB Lange耦合器有以下的经验公式:
W/H = 0.107, 其中W是微带线宽
S/H = 0.071,S为微带线之间的间距,H为微带线基板的厚度
L = λ/4,工作带宽中心频点处的四分之一波长。
计算得到 W = 1.605mil,S = 1.065mil,L = 100mil,设置参数如图:
扫频范围:0.01GHz~20GHz,step:0.01GHz,点击仿真,查看结果,可以将S(1,1)转换成VSWR,设置如下:
结果明显不满足设计要求,接下来进行参数优化。
通过理论分析,微带线宽W,微带线间距S和导体厚度T对耦合系数C产生影响。
W优化范围1-2,S优化范围0.8-1.5,T的优化范围为0.1~0.2(可以自行设置范围,如果没有达到条件可以适当加宽范围进行优化)
(在“Optim/Stat/Yield/DOE“元器件库)
在“Optimization Type”栏中选择“Random”项,在Number of iterations 栏中数字为100。常用的优化方法有Random(随机),和Gradient(梯度)等。其中,随机法通常用于大范围搜索,梯度法则用于局部收敛。
优化完成后查看各个指标是否满足要求,如果不满足在进行优化,记得把参数更新到原理图中,update design。
(注意:优化后查看结果发现之前的结果都是空白无效的,这时候就需要把参数更新到原理图中,重新仿真一下结果就出来了。)
将无关的器件进行失效,执行菜单命令Layout—Generate/update layout,如图所示
基材从原理图中导入进来的
这里不知道怎么修改的话,可以查看一下3D preview
结果是有些恶化,需要在原理图重新进行优化,在进行版图仿真,这里不做进一步的优化。