10N60-ASEMI高压MOS管10N60

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10N60-ASEMI高压MOS管10N60

型号:10N60

品牌:ASEMI

封装:TO-22AB

最大漏源电流:10A

漏源击穿电压:600V

RDS(ON)Max:0.85Ω

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS管

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55℃~150℃

备受欢迎的10N60 MOS管

  ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了10N60的最大漏源电流10A,漏源击穿电压600V.

•细节体现差距

10N60,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

10N60具体参数为:最大漏源电流:10A,漏源击穿电压:600V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220AB

10N60-ASEMI高压MOS管10N60_第1张图片

10N60-ASEMI高压MOS管10N60_第2张图片 

10N60-ASEMI高压MOS管10N60_第3张图片 

 

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