写保护设置——二、NOR FLASH

二、NOR FLASH

以Winbond的W25Q16DVSSIG型NOR FLASH为例，W25Q16DVSSIG容量为16Mbit（16777216bit，2Mbit×8，2097152bit×8,1FFFFF×8），即有2097152个地址，每个地址对应8bit数据。

2.1 状态寄存器

W25Q16DVSSIG的寄存器里有个状态寄存器，要想搞懂NOR FLASH写保护的机制，先要了解这些比特位的功能。

STATUS Register Bit Definition

2.2 状态寄存器不同位的含义和功能

状态寄存器各个位含义如下：

由上表可知，状态寄存器中，与写保护相关的寄存器为：CMP、SEC、TB、BP2、BP1、BP0、SRP1、SRP0以及硬件管脚/WP。

2.3 对状态寄存器的软保护、硬保护设置

对状态寄存器进行软保护、硬保护的设置是通过操作状态位SRP1、SRP0以及硬件管脚/WP实现的。

SRP1、SRP0、/WP不同组合下的写保护方式如下表所示。

由上表可知，/WP只是用来通过硬保护来控制状态寄存器是否能够被改变，且能否通过管脚/WP控制状态寄存器是否可写还受SRP1、SRP0的影响。

除了通过管脚/WP搭配SR1、SR0对状态寄存器进行硬保护外，还可以仅通过SRP1和SRP0（SRP1：SRP0为10）对状态寄存器进行软保护。

所以，对于W25Q16DVSSIG型NOR FLASH，不管/WP管脚是接高电平还是接低电平，都可以通过软件更改状态寄存器的SRP1、SRP0的值来对NOR FLASH的状态寄存器进行写保护的禁用和使能。

2.4 对存储阵列进行写保护的区域设置

在经过2.3节对状态寄存器设置好通过软件保护还是硬件保护后，即可参考下表对存储阵列进行写保护的区域进行设置。

2.5 参考文献

1、W25Q16DVSSIG_(WINBOND(台湾华邦))价格_PDF手册-云汉芯城