内存识别(10)

hynix(hyundai) 现代
现代内存的含义：
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hyxxxxxxxxxxxxxxxx
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1 、 hy 代表是现代的产品
2 、内存芯片类型： (57=sdram ， 5d=ddrsdram) ；
3 、工作电压：空白 =5v ， v=3.3v,u=2.5v
4 、芯片容量和刷新速率： 16=16mbits 、 4kref ； 64=64mbits 、 8kref ； 65=64mbits 、 4kref ； 128=128mbits 、 8kref ； 129=128mbits 、 4kref ； 256=256mbits 、 16kref ； 257=256mbits 、 8kref
5 、代表芯片输出的数据位宽： 40 、 80 、 16 、 32 分别代表 4 位、 8 位、 16 位和 32 位
6 、 bank 数量： 1 、 2 、 3 分别代表 2 个、 4 个和 8 个 bank ，是 2 的幂次关系
7 、 i/o 界面： 1:sstl_3 、 2:sstl_2
8 、芯片内核版本：可以为空白或 a 、 b 、 c 、 d 等字母，越往后代表内核越新
9 、代表功耗： l= 低功耗芯片，空白 = 普通芯片
10 、内存芯片封装形式： jc=400milsoj ， tc=400miltsop- �� ， td=13mmtsop- �� ， tg=16mmtsop- ��
11 、工作速度： 55:183mhz 、 5:200mhz 、 45:222mhz 、 43:233mhz 、 4:250mhz 、 33:300nhz 、 l:ddr200 、 h:ddr266b 、 k:ddr266a
现代的 mbga 封装的颗粒