希捷f3系列硬盘固件结构解析

研究f3硬盘也有一段时间了，也算是有一些技术方面的突破，也推出了f3专修工具，但是自己对于技术还是很保守的，有些东西自己花了大量时间去研究实在不想去共享出来，这几天被朋友点醒了一下，决定在博客里面公开一些研究出来的技术。

希捷在2008年收购迈拓以后，推出的新型号硬盘，从7200.11开始，就是F3类型的硬盘（因为在终端指令下显示为F3 T）。F3硬盘的固件结构改进自希捷原来的SCSI硬盘，盘体结构改进自ATA硬盘。原来的SCSI硬盘特有的编译器问题也带进了ATA硬盘中。

F3硬盘的PCB中包含有大量的硬盘适配参数，在PCB脱离盘体单独接电后也可以获取一部分信息。

F3硬盘启动流程：在PCB的主控芯片中包含一段最原始的引导代码（boot code），在硬盘加电后，pcb上的（reset）复位电路开始工作，检查主控芯片，电机驱动芯片，ram等的电路完整性，在检查通过后硬盘的控制权交给boot code，它加载rom中的数据到ram中运行，这时候硬盘的控制权已经交给ram了，这里要说一下ram，通常购买硬盘时关注的几个参数（品牌、容量、接口、缓存）这个缓存就是指的pcb上的ram，ram大小现在常见的硬盘有8M、16M、32M、64M等。这个容量指的是这个pcb上ram的物理容量，但是在这个物理容量基础下，又划分了几个逻辑概念，（最少包括核心ram，系统ram和用户ram）然后再去盘片的固件区中加载一些缺陷列表，译码表和smart模块等，于是硬盘启动完成。