2011年NAND闪存的七大趋势

2011年NAND闪存市场会有何变化？以下是来自Barclays Capital的七大趋势分析：

1、NAND之年

2011年将可能成为NAND闪存年。虽然大多数NAND产品都为30nm左右，但20nm左右的NAND更具有竞争力。NAND闪存得益于两大厂商控制的75%市场，即三星（占40%）和东芝/Sandisk（占33%）的共同垄断。2011年，NAND的资本支出将有可能首次超过DRAM的资本支出。

2、“苹果”效应

2010年平板市场将需要有更多的发展来满足供需平衡，否则将导致失衡。Applied Materials公司公开发表声明称除了紧缩，还需要一家200 kwspm(月产20万片)的初制晶圆片厂来支持预期的需求。苹果的自身需求相比2010年，有望在2011年至少翻一番。但也有可能因为现在所有的 Macbook都是基于SSD而增至三倍。

3、三星：领导者，追随者

总体而言，所有厂商都将转移至各种形式的20nm。三星的27nm、美光的25nm、东芝的24nm和 Hynix的26nm。
三星无疑是一个生产盈利的领导厂商，但在NAND技术方面却未必处于领先的前沿地位。三星最近才成为多层单元制造队伍中新队员。而不久之后三星已经能够制造3xnm和2xnm节点的NAND芯片。三星还将在2011年制造27纳米节点，以给3xnm节点减少35%的成本。三星预计2010年底3xnm和以下几何尺寸将占80%。

4、感谢东芝

这场兴起的闪存风背后源于东芝的停电事故，在2011年第一季度的停产。临时的停电又出现了，这一次还是东芝。尽管影响不是很大，不过它将有助于2011年一月和二月的价格稳定，这很可能是因为生产线上有20%的产品在一定程度上受到了停电的影响。

5、东芝平板电脑？

东芝目前正在大力增加32纳米/24纳米，也将发布自己的平板电脑。东芝在2010年8月已经开始生产24纳米NAAD闪存芯片。此外，他还于2010年 7月开始兴建了Y5厂房，并将于春节完成。但有点需要明确，与英特尔450mm D1X晶圆厂不同的是，该设施还不具备支持EUV工具的技术能力。

6、海力士的复活

很长一段时间，海力士曾被产量问题所困扰，例如6xnm和4xnm节点。但最近他们的产量有大幅的提升，且接近了3xnm 和2xnm的领导地位，逆境求生的本能和良好的管理带来了奇迹。
海力士将在相当短的时间过渡至3xnm，继而再转向至2X nm。海力士目前仅有一座十二英寸厂M11，2010年度海力士有可能达到30kwsp的能力。但根据其较弱的资产负债表，海力士还需要大力确保追加资本。

7、美光增长

美光2011财年资产最近达到了24～29亿美元的范围，其中新加坡IMFS 的NAND增长份额占据了三分之二。美光计划在2011年低将提升60% IMFS的100kwspm潜在能力。最近美光将其在IMFS（美光和英特尔合资建立）中所占股份从50%提升到了71%。IMFS现在利用的是2位 MLC，有可能使用由东芝和三星共同开发的更好的3位MLC。美光预计在2011年第一季度会交叉25-nm。