open-drain and push-pull

http://blog.21ic.com/user1/2873/archives/2008/49225.html

 

具有开漏 (OD) 输出 的器件是指内部输出和地之间有个 N 沟道的 MOSFET （Q 1 ），这些器件可以用于电平转换的应用。输出电压由 Vcc' 决定。 Vcc' 可以大于输入高电平电压 VCC （ up － translate ）也可以低于输入高电平电压 VCC （ down － translate ）。

开漏器件对于各种电压节点间的电平转换非常有用。

但是，这种电平转换的方法存在一些缺点。例如，当输出电平为低时， N 沟道三极管是导通的，这样在 Vcc' 和 GND 之间有一个持续的电流流过上拉电阻 R 和三极管Q 1 。这会影响整个系统的功耗。采用较大值的上拉电阻可以减小电流。但是，但是大的阻值会使输出信号的上升时间变慢。

开漏输出器件的优点如下：
●  可以用于各种电压节点的 Up-translate 和 down － translate 转换
●  可以将多个开漏输出的 Pin 脚，连接到一条线上， 形成 “ 与逻辑 ” 关系 ,即“线与”功能， 任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为 0 了。这也是 I2C ， SMBus 等总线判断总线占用状态的原理。

 

具有推挽 (push-pull) 输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的 MOSFET ，当 Q1 导通、 Q2 截止时输出高电平；而当 Q1 截止导通、 Q2 导通时输出低电平；即可以吸电流，也可以贯电流；

但是缺点是，一条总线上只能有一个 push-pull 输出的器件；

 

 

open-drain 顧名思義只有 NMOS , drin open ,只有 pull-down(sink current) 的能力.p7YZC}
push-pull 有PMOS+NMOS 故有  push (source couurent from PMOS) 和 pull( sink current to NMOS) 之能力!1D+
open-drain 未接 pull-up 電阻則只能做 float / pull-low 的動作

 

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