一些常用的储存器的控制引脚

NAND FLASH:

CLE:  COMMAND  LATCH  ENABLE 命令锁存

ALE:  ADDRESS  LATCH  ENABLE  地址锁存

CE#:  CHIP ENABLE  片选

RE#  READ ENABLE; 读使能

WE#:  WRITE ENABLE 写使能

WP  WRITE PROTECT 写保护

R/B:  READY /BUSY OUTPUT 芯片状态, 就绪还是忙;

 

NOR FLASH

WP#:  WRITE PROTECT    写保护

CE#  CHIP ENABLE        片选

OE#  OUTPUT ENABLE     输出使能

WE#  WRITE WNABLE     写使能

 

BYTE: 用于控制数据的宽度

 

SDRAM

 

CLK:  CLOCK             时钟 系统时钟输入   

CKE  CLOCK ENABLE     时钟使能, 当不活动时,控制内部时钟

CS#  CHIP SELECT        片选

BA0 BA1 : BANK ADDRESS  当行锁存有效时,所选的BANK有效

                           当列锁存有效时,可以对所选的BANK进行读写;

RAS#  ROW ADDRESS STROBE  行地址锁存

CAS#  COLUMN ADDRESS STROBE 列地址锁存

WE#  WRITE ENABLE             写入使能

LDQM(LOW BYTE)    DATA INPUT/OUTPUT MASK 数据输入输出屏蔽,用于字节的读写

UDQM(UPPER BYTE)     

 

SRAM

 

CS#  CHIP SELECT

OE#  OUTPUT ENABLE

WE#  WRITE ENABLE