E-COM-NET
首页
在线工具
Layui镜像站
SUI文档
联系我们
推荐频道
Java
PHP
C++
C
C#
Python
Ruby
go语言
Scala
Servlet
Vue
MySQL
NoSQL
Redis
CSS
Oracle
SQL Server
DB2
HBase
Http
HTML5
Spring
Ajax
Jquery
JavaScript
Json
XML
NodeJs
mybatis
Hibernate
算法
设计模式
shell
数据结构
大数据
JS
消息中间件
正则表达式
Tomcat
SQL
Nginx
Shiro
Maven
Linux
场效应管
电源管理MOS管 18mΩ 贴片
场效应管
50P06 TO-252 MOS管
贴片
场效应管
50P06的产品特点:VDS=-60VID=-50ARDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V封装:TO-252贴片
场效应管
50P06的用途:电池保护负载开关UPS不间断电源贴片
场效应管
50P06
mk015
·
2024-02-27 10:19
硬件工程
pcb工艺
驱动开发
3.3V和5V双向电平转换电路
“当我们使用3.3V单片机(STM32系列)和5V的器件通信时(IIC设备),电平转换就势在必行了”01经典电平转换电路1.1、这是一款经典的电平转换电路,该电路的核心是一个N沟道
场效应管
,外加2个不同电压的上拉电阻
万里黄沙
·
2024-02-20 16:49
硬件
单片机
嵌入式硬件
世微AP9235 dc-dc升压恒流电源驱动IC 2.8-30V 输出电流2A SOT23-6
另外,内部集成了一个导通电阻为0.8Ω的
场效应管
,外部可使用微型电感和电容,以缩小印制板
深圳市世微半导体有限公司
·
2024-02-20 13:38
驱动芯片
降压恒流芯片
电源管理芯片
单片机
嵌入式硬件
LED电源驱动
开源
方案开发
如何分辨
场效应管
的N沟道和P沟道?
1、
场效应管
分辨方法:第一种方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。
Sofie_6804
·
2024-02-09 08:15
《数电》理论笔记-第2章-组合逻辑电路
2CMOS门电路CMOS门电路由
场效应管
构成。特点:集成度高、功耗低、速度慢、抗静电能力差。目前已可与TTL门电路相媲美。因此,CMOS门电路获得广泛应用,特别在大规模集成电路和微
刘景贤
·
2024-02-07 11:06
笔记
场效应管
学习笔记
目录一、
场效应管
的基本原理二、
场效应管
的特性三、
场效应管
的应用四、学习总结一、
场效应管
的基本原理
场效应管
(Field-EffectTransistor,简称FET)是一种利用电场效应控制电流的半导体器件
㉨㉨
·
2024-02-04 19:45
零基础学模拟电路
模电
模拟电路常考知识点
场效应管
是电压控制电流器件。有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同的放大器甲和乙,对同一信号源进行放大,在负载开路的情况下,测得甲的输出电压小,这说明甲的输入电阻小。要求组成的多级放大电
微电子爱好者
·
2024-02-03 23:18
嵌入式硬件
场效应和MOS管有什么区别呢?
1.
场效应管
(FET)分为MOS
场效应管
(MOSFET)和结型
场效应管
(JFET)。现在主要使用MOS
场效应管
,即通常所称的MOS管。
Sofie_6804
·
2024-02-01 19:42
模电:MOS管的工作原理
场效应管
,不费电,消耗的功率少。
背负永恒疾风命运之皇子
·
2024-01-29 09:59
单片机
嵌入式硬件
人工智能
知识图谱
社交电子
场效应管
的识别和检测,你真的会吗?
今天给大家分享一下,如何对现有的
场效应管
进行识别和检测。
砖一谈芯
·
2024-01-28 04:40
硬件工程
信息与通信
物联网
社交电子
嵌入式硬件
AP40N05
场效应管
MOS管 N道沟MOS管 大小功率MOS管
The40N05isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.The40N05meettheRoHSandGreenProductBVDSSRDSONID40V19mΩ7AThe40N05i
深圳市世微半导体有限公司
·
2024-01-27 09:36
电源管理芯片
LED电源驱动IC
降压恒流芯片
开源
LED电源驱动
单片机
方案开发
2019-05-13
三极管和
场效应管
的区别1、
场效应管
是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用
场效应管
。而在信号源电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应用三极管。
剩下的盛夏0320
·
2024-01-25 12:43
LDO和DCDC电路的概述和区别
只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器.常见的DCDC电路有buck、boost、buck-boost分别是降压、升压、降压升压电路二、什么是LDOLDO是一种线性稳压器,使用在其饱和区域内运行的晶体管或
场效应管
在邯郸睡大觉
·
2024-01-21 01:05
硬件笔记本
嵌入式硬件
场效应管
在电路中如何控制电流大小
场效应管
的概念场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称
场效应管
。
梓德原
·
2024-01-17 08:50
单片机
嵌入式硬件
51单片机
物联网
【读书笔记】《你好,放大器》第一章
放大器全家谱晶体管放大器运算放大器功能放大器晶体管晶体管分为两类:双极型晶体管(BipolarJunctionTransistor-BJT,分为NPN型、PNP型)单极型晶体管(也称
场效应管
,FieldEffectTransistor-FET
miskirito
·
2024-01-15 22:17
硬件学习笔记
单片机
学习
笔记
IPB120N04S4-02-VB
场效应管
一款N沟道TO263封装的晶体管
**IPB120N04S4-02-VB****丝印:**VBL1402**品牌:**VBsemi**参数:**TO263;N—Channel沟道,40V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V**封装:**TO263**详细参数说明:**-**沟道类型:**N—Channel-**最大承受电压:**40V-**最大电流:**180A-**导通电阻:**2
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:05
mosfet参数解析
IPB120N04S4-02
嵌入式硬件
MOSFET
MOS管
AP9435GM-VB
场效应管
一款P沟道SOP8封装的晶体管
**详细参数说明:**-**型号:**AP9435GM-VB-**丝印:**VBA2333-**品牌:**VBsemi-**封装:**SOP8-**沟道类型:**P-Channel-**额定电压(Vds):**-30V-**额定电流(Id):**-6A-**导通电阻(RDS(ON)):**40mΩ@VGS=10V,VGS=20V-**阈值电压(Vth):**-1.5V**应用简介:**适用于中功率
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:05
mosfet参数解析
5G
AP9435GM-VB
嵌入式硬件
MOS管
MOSFET
AOD414-VB
场效应管
一款N沟道TO252封装的晶体管
VBsemiAOD414-VBMOSFET参数:-封装:TO252-沟道类型:N—Channel-最大电压:30V-最大电流:100A-RDS(ON):2mΩ@VGS=10V,VGS=20V-阈值电压:1.9V应用简介:该MOSFET适用于高电流、低电压的应用,常用于电源开关、电机驱动和功率管理电路。N—Channel沟道类型使其在负载开关和电源管理中表现出色。使用领域模块:1.电源开关:作为高电
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:04
mosfet参数解析
单片机
嵌入式硬件
AOD414-VB
MOSFET
MOS管
IRFR13N15DTRPBF-VB
场效应管
一款N沟道TO252封装的晶体管
型号:IRFR13N15DTRPBF-VB丝印:VBE1158N品牌:VBsemi参数:-封装:TO252-沟道类型:N—Channel-最大耐压:150V-最大电流:25A-开态电阻:RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=20V-阈值电压:Vth=2V应用简介:IRFR13N15DTRPBF-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应晶体管(PowerMOSFET),封装为TO25
VBsemi_MOS
·
2024-01-08 18:04
mosfet参数解析
单片机
嵌入式硬件
IRFR13N15DTRPBF
MOS管
MOSFET
搞懂三极管PNP NPN MOS管N-MOS P-MOS
220VAC常开点,常闭点,此处不提;P-MOS用于推挽输出,见下图NMOS和PMOS应用电路和实物接线;NMOS:PMOS目录1、三级管驱动电路设计及使用1.1、NPN型三极管1.2、PNP型三极管2、
场效应管
驱动电路设计及使用
总结所学
·
2024-01-07 15:36
电子电路硬件知识
嵌入式硬件
数字IC设计——数字电路基本元器件
现代数字集成电路基本由CMOS晶体管构成,而CMOS门电路由PMOS
场效应管
和NMOS
场效应管
以对称互补的形式组成,所谓“互补”,即利用互补型MOSFET,即pMOS和nMOS,二者成对出现构成互补电路
KGback
·
2024-01-03 23:03
#
数字IC设计
数字IC
原理图中VCC、VDD、VEE、VSS、VBAT各表示什么意思
表示电路的意思,即接入电路的电压(2)VDD:D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压;(3)VSS:S=series表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压(4)VEE:负电压供电;
场效应管
的源极
code_snow
·
2023-12-24 03:45
嵌入式电路板
单片机
嵌入式硬件
MOSFET我们通常也叫mos管,
场效应管
Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor的缩写),萨科微slkor(www.slkoric.com)销售工程师孙高飞为大家介绍说,MOSFET我们通常也叫mos管,
场效应管
chbin9935
·
2023-12-24 03:54
单片机
嵌入式硬件
分立半导体 CTS521二极管、AONS62922(N)
场效应管
、PJQ4401P(P)增强型MOSFET、AZ5A25-01F.R7G(ESD)瞬态电压抑制器件
1、CTS521二极管30V200mA表面贴装型SOD-882CTS521小信号肖特基势垒二极管采用SOD-882封装、电压和额定电流,可满足各种设计要求。电压范围为30V,平均电流为200mA。该小信号肖特基势垒二极管具有高速开关和低漏电流特性。技术:肖特基电压-DC反向(Vr)(最大值):30V电流-平均整流(Io):200mA不同If时电压-正向(Vf):500mV@200mA速度:小信号=
Summer-明佳达电子
·
2023-12-23 18:19
明佳达优势
经验分享
综合资源
其他
开关电源厚膜集成电路引脚功能
STR50213、STR50103引脚号引脚功能1接地,内接稳压基准电路2开关管基极3开关管集电极4开关管发射极5误差比较电压信号输入,兼待机控制二、STR3302、STR3202引脚号引脚功能1内部半桥变换电路
场效应管
工作电源输入
梓德原
·
2023-12-22 16:59
单片机
嵌入式硬件
51单片机
物联网
硬件基础-OC门、OD门、开漏、推挽、图腾柱
2.OD门OD门:OpenDrain,漏极开路门,和上面其实是一样的,只不过上面是针对三极管而言,OD们是针对
场效应管
而言,也很好理解,MOS管的D漏极开路的电路。
若忘即安
·
2023-12-22 11:28
硬件基础知识
单片机
嵌入式硬件
硬件工程
LDO的工作原理
LDO使用的是在线性区域内运行的晶体管或者
场效应管
。通过调节晶体管或
场效应管
两端的电压,产生经过调整过的输出电压。但仅能使用在降压应用中,也就是输出电压必须小于输入电压。
The Kite
·
2023-12-21 17:19
单片机
嵌入式硬件
硬件电路
BQ25898DYFFR 4A电池充电器、D2315-5R0E贴片电感、PMZ290UNE2和PB5A2BX均是N型
场效应管
(MOSFET)
1、BQ25898DYFFR具有电源路径和HVDCP的I2C单节4A降压电池充电器bq25898/98D是一款适用于单节锂离子电池和锂聚合物电池的高度集成型4A开关模式电池充电管理和系统电源路径管理器件。该器件支持高输入电压快速充电,适用于各类智能手机、平板电脑和便携式设备。其低阻抗电源路径对开关模式运行效率进行了优化、其低阻抗电源路径对开关模式运行效率进行了优化、缩短了电池充电时间并延长了放电阶
Mandy_明佳达电子
·
2023-12-19 19:06
明佳达电子
经验分享
综合资源
其他
电子元器件里的半导体分立器件
常见的半导体分立器件包括二极管、三极管、
场效应管
、晶闸管等。这些器件的主要制造材料包括硅、锗等半导体元素。二、半导体分立器件的分类二极管二极管是一种具有单向导电性
淘晶驰AK
·
2023-12-17 12:03
电子元器件
人工智能
逆变器、转换器、DCDC、继电器等器件的原理和作用
但是手动或者机械的方法很难实现,所以就使用
场效应管
mosf
m0_61973119
·
2023-12-04 13:57
BMS
单片机
嵌入式硬件
观海微电子---基础电子元器件--
场效应管
场效应晶体管:(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称
场效应管
.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件。
9亿少女的噩梦
·
2023-12-01 20:02
观海微电子
显示驱动IC
规格说明书
【模电】绝缘栅型
场效应管
绝缘栅型
场效应管
N沟道增强型MOS管工作原理特性曲线与电流方程N沟道耗尽型MOS管P沟道MOS管VMOS管 绝缘栅型场效应的栅极与源极、栅极、漏极之间均采用SiO2SiO\tiny2SiO2绝缘层隔离
妖兽喽
·
2023-11-30 23:03
模电
基带工程
【模电】
场效应管
的主要参数
场效应管
的主要参数直流参数开启电压UGS(th){U}{\tinyGS(th)}UGS(th)夹断电压UGS(off){U}{\tinyGS(off)}UGS(off)饱和漏极电流IDSS{I}{\tinyDSS
妖兽喽
·
2023-11-30 23:03
模电
基带工程
【模电】结型
场效应管
结型
场效应管
结型
场效应管
的工作原理结型
场效应管
的特性曲线输出特性曲线可变电阻区(也称非饱和区)恒流区(也称饱和区)夹断区可转移特性
场效应管
(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件
妖兽喽
·
2023-11-30 23:02
模电
基带工程
IGBT工作原理及作用
一、IGBT是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型
场效应管
)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
Filthyfrank
·
2023-11-27 18:38
硬件工程
五个无刷马达驱动电路分享!
在电机驱动部分使用6个功率
场效应管
控制输出电压,四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12V.驱动电路中,Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道),Q4~Q6为IRFR1205(N沟道)
其利天下技术
·
2023-11-21 03:05
无刷电机驱动方案
单片机
嵌入式硬件
mcu
arm
stm32
STM32电源名词解析
VEE:负电压供电;
场效应管
的源极(S)VPP:编程/擦除电压。V*与V*A的区别是:数字与模拟的区别数字电路供电VCC模拟电路供电VCC
SofterICer
·
2023-11-20 10:30
嵌入式
物联网
stm32
单片机
嵌入式硬件
三极管和
场效应管
-易错点
NPN三极管是电流控制器件。共发射极电路中:放大区:Ice=Ibxβ,Vbe正偏,Vbc反偏,电势:Vc>Vb>Ve饱和区:Ice<Ibxβ,两个都正偏,电势:Vb>Vc>Ve,Vce之间是饱和管压降Vces。截止区:Ice≈0,两个都反偏电势:Vb<Vc和Ve反向放大区:Vbe反偏,Vbc正偏电势:Vc<Vb<Ve易错点:增大图中Vcc,不会增大Vce,反而会减小Vce,因为电流变大,Rc电阻分
qq_1615549892
·
2023-11-19 21:56
fpga开发
二极管、三极管、MOSFET管知识点总结(后端基础第二篇)
二极管、三极管、MOSFET管知识点总结二极管三极管MOS管晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,包括二极管、三极管、
场效应管
、晶闸管。。
IC后端小白
·
2023-11-16 17:06
IC后端从零开始
tensorflow
自然语言处理
NAND FLASH 原理
http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml闪存保存数据的原理:与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与
场效应管
有相同的名称
服务器技术研究
·
2023-11-12 11:09
存储技术
硬件设计基础----MOS管
1什么是MOS管MOS管属于
场效应管
,
场效应管
分为结型(JunctionField-EffectTransistor)和金属-氧化物-半导体型(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor
鲁棒最小二乘支持向量机
·
2023-11-11 22:26
笔记
一起学硬件设计
嵌入式硬件
硬件设计
经验分享
MOS管
MOS管的工作原理以及设计理念
一、MOS管工作原理1、大种类以及结构形式MOS管总体上分为N型MOS管(N沟道
场效应管
)和P型MOS管(P沟道
场效应管
)。
逐梦之程
·
2023-11-11 22:56
硬件电路
嵌入式硬件
驱动开发
【硬件】P沟道和N沟道MOS管开关电路设计
场效应管
做的开关电路一般分为两种,一种是N沟道,另一种是P沟道,如果电路设计中要应用到高端驱动的话,可以采用PMOS来导通。
米杰的声音
·
2023-11-11 22:51
硬件设计笔记
MOSFET
硬件基础——mos管
文章目录前言一、技术理论二、增强型NMOS管三、增强型PMOS管四、寄生参数五、器件选型1.MOS管类型2.Vgs电压3.Id电流4.Vds电压5.开关性能前言MOS管设计重点一、技术理论
场效应管
分类:
陈思朦
·
2023-11-11 22:21
硬件基础
单片机
硬件工程
嵌入式硬件
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用
一、MOS管分类MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型
场效应管
,主要分为N沟道和P沟道两大类。
瑞森半导体
·
2023-11-10 22:57
集成学习
嵌入式硬件
硬件工程
open drain和push pull
GPIO常常可以设置为输出和输入;在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull); 这里先熟悉下什么是mos管:MOS管,即绝缘性
场效应管
ForDream321
·
2023-11-09 20:46
【硬件知识】
硬件
gpio
open-drain
push-pull
电路
什么是分立器件高速测试系统,如何进行ATE测试?
它能够对各种类型的分立器件进行功能和交参数测试,如二极管、三极管、绝缘栅型
场效应管
、结型
场效应管
、单向和双向可控硅、普通和高速光耦、整流桥、共阴共阳二极管及多阵列器件等各类半导体分立器件。
纳米软件Namisoft
·
2023-11-06 18:43
分立器件高速测试系统
怎么用万用表检测
场效应管
的好坏?
场效应管
(AO4435)带字的一面朝着自己,从左到右依次为:G(栅极),D(漏极),S(源极)。
Sofie_6804
·
2023-10-31 16:34
三极管和
场效应管
测量
将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。若
夏天来了85
·
2023-10-31 13:00
运算放大器工艺
制造商最初使用的工艺是双极工艺,它使用普通晶体管,而不是FET(
场效应管
)或MOSFET(金属氧化物半导体FET)。使用双极工艺意味着该器件
科兄
·
2023-10-30 01:54
上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
下一页
按字母分类:
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
其他