C90FL Flash分配及擦写读使用笔记

如图，CPU总共有10个Block

一、分配原则：

1.只有Low Address Space可以作为程序启动地址。如此程序启动地址可以有6个。优先级由高到低L0>L1>L2...>L5

2.控制器上电后，最先启动的程序（如Start Boot Block）最好放在L0里，客户Boot放在L3或L4里，App程序从L5开始

3.不要把L0用作Nvram，因为程序运行过程中擦除Nvram时一旦断电，L0异常。连接UDE时UDE会首先读取L0里的数据，CPU触发Trap，软件一直复位，UDE一直连接失败，无法调试。

4.Nvram可以选用L1~L3中的两个。比如L1和L2两个48KB大小一样。

5.由于擦写Nvram的操作不能运行在同一个Patition里。所以Boot程序里如果要擦写Nvram，就两个不要放在同一个Partition里。不过如果擦写操作放在RAM环境下运行，可以不考虑此问题。

6.分配一个独立的Block专门存储标定数据，这样数据和程序可以独立刷新，提高刷新速度。数据区和程序区地址也要连续，但是数据区的空间不需要太大，不要占用程序区空间。所以L4用作数据区，L5~H1用作程序区。

二、Flash出错处理：

       程序运行正在擦除Flash过程中（比如刷新阶段擦除，NVram切换Block擦除）突然断电，会造成擦除块数据异常，在UDE里显示数据紊乱。之后如果读取异常块的数（不读没关系），CPU会触发一个Trap然后PC复位。因此，需要在Boot或App程序初始化完后首先监控Flash状态，如果发现异常，要立即清除异常的Nvram Block。防止主程序运行后从坏的EEPROM里读取数据复位。监控方法如下：如果MCR寄存器EER置位，则读ADR寄存内容，它保存了第一个异常Block的第一个异常数据的地址，然后擦除ADR保存的地址所在的Block。擦除完一个Block后可以主动复位，程序重新运行继续检查，直到EER不再置位。

三、Flash擦除：

1.擦实际是把Bit从0->1的操作

2. Flash只能以Block为单位擦除，Block Size越大，擦除时间越长。但也不是同Size成正比例关系。测试结果如下：

L1_16K  擦除时间_336ms

L2_64K  擦除时间_474ms

H0_256K擦除时间_1200ms

四、Flash写：

          1.写实际是把Bit从1->0的操作，而不能从0->1

          2.每次写4个字（16字节，128Bit）单位

       

          3.使用ECC机制，在一次写失败的时候，可以不擦除重新写一次。这在写EEPROM时很有用。

          

五、Flash读：

         1. 当程序擦/写某个Patation的数据时，不能读这个Patation的数据，反过来也一样。否则会触发软件Trap。所以，App和Boot程序（或Nvram）不能放在同一个Partation