晶体谐振器第36页

计算机硬件基础与计算机组装知识总结

1、第1代：电子管数字机(1946—1958年)2、第2代：晶体管数字机(1958—1964年)3、第3代：集成电路数字机(1964—1970年)4、第4代：大规模集成电路机(1970年至今)2.微型计算机的逻辑组成以及各部分的作用

梁辰兴·2022-12-17 13:18

计算机芯片和量子力学,半导体“革命者” 电脑芯片将多一个选择：量子芯片...

其实无论是Intel还是AMD，它们在本质上一样，都属于半导体芯片，基本单元都是半导体晶体管。未来，电脑芯片或许要多一个选择了：量子芯片。半导体芯片是在半

weixin_39717029·2022-12-16 20:27

傻白入门芯片设计，典型的2D/2D+/2.5D/3D封装技术（六）

先进的电子集成技术可以在不到芝麻粒大小的1平方毫米内集成1亿只以上的晶体管，一个指甲盖大小的芯片上集成的晶体管数量可轻松超过100亿甚至更多，而目前地球上的总人口才不到80亿。

好啊啊啊啊·2022-12-15 14:19

元启发式方法之模拟退火算法

为了生成规则晶体，先将原材料加热到熔化状态，再将晶体熔融液徐徐降温，使之凝固成晶体结构。

择思·2022-12-15 07:36

RK3588开发板的性能参数、功耗及功能特点|飞凌动态讲解

这款处理器芯片集成60多亿晶体管，采用8核CPU，8个EEGPU，6TOPS算力NPU，具有高算力、超强多媒体、丰富接口等特点。作为与瑞芯微有着

飞凌嵌入式·2022-12-14 15:56

计算机信息科学前沿题库,大学计算机信息技术题库精要.doc

(A)晶体管结构、电路和工艺(B)信号的形式(C)集成电路的功能(D)集成电路的用途2．下列关于集成电路的叙述错误的是(D)微电子技术以集成电路为核心现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模

qejoy·2022-12-14 09:42

最好别养成吃夜宵的习惯

其中四大害处对健康非常不利：危害一：容易生石人的排钙高峰期常在进餐后4～5小时，若夜宵过晚，当排钙高峰期到来时，人已上床入睡，尿液便滞留在输尿管、膀胱、尿道等尿路中，不能及时排出体外，致使尿中钙不断增加，容易沉积下来形成小晶体

资深膳食管理人·2022-12-14 07:02

ADI Blackfin DSP处理器-BF533的开发详解21：RTC实时时钟的原理及应用（含源码）

AD-HP530ICE：ADIDSP仿真器软件准备VisualDSP++软件硬件链接硬件设计原理图功能介绍ADSP-BF53x处理器上集成了一个实时时钟（RTC）模块，板卡上设计了一个专门用于RTC时钟源的晶体

ADI_OP·2022-12-14 06:31

RK3568之RTC系统及驱动开发

它为人们提供精确的实时时间,或者为电子系统提供精确的时间基准,目前实时时钟芯片大多采用精度较高的晶体振荡器作为时钟源。有些时钟芯

不负时光年华·2022-12-13 07:28

NRF24L01入门总结

无线收发器包括:频率发生器、增强型SchockBurstTM模式控制器、功率放大器、晶体振荡器、调制器、解调器。输出功率、频道选择和协议的设置可以通过SPI接口进行设置。

izar·2022-12-12 01:01

GPU加速深度学习训练

根据摩尔定律GPU的晶体管数量不断增多，硬件结构必然是不断的在

程序员子进·2022-12-10 03:13

虹科案例 | EtherCAT运动控制器与IO在半导体封装设备固晶机上的应用

纵贯全球半导体产业发展的时间轴，可以划分出七大时间节点：20世纪40-50年代晶体管时代及IC

虹科智能自动化·2022-12-08 10:05

【元胞自动机】基于元胞自动机模拟晶体生长附matlab代码

1内容介绍基于溶质扩散和界面能的作用,考虑成分过冷,曲率过冷,界面能各向异性和界面扰动等因素,建立了单个等轴枝晶的生长模型.采用元胞自动机(cellularautomata)方法模拟了枝晶生长,界面扰动和分枝的竞争演化.对液相中的溶质传输进行了计算.通过模拟发现,凝同过程中溶质容易富集在枝晶臂之间,同时,随着凝固时间的延长,界面前沿的溶质浓度梯度逐渐下降.2部分代码%clc;clear;close

matlab科研助手·2022-12-08 08:54

降低开关电路振铃现象的缓冲器设计方法

特别是高边场效应晶体管导

大话硬件·2022-12-08 06:14

计算机存储为什么用二进制,计算机为什么使用二进制存储数据？

现代计算机存储信息用的都是硬盘，是由成千上万个晶体管组

郝志鹄·2022-12-07 17:24

大学计算机期末考试重点,大学计算机基础期末考试.重点(1~).doc

-大学计算机基础期末考试知识点以下是我们即将期末考试的复习题知识点，希望大家认真复习：1、第一台计算机ENIAC诞生于1946年，是电子管计算机；第二代是晶体管计算机；第三代是中小规模集成电路；第四代是大规模集成电路

杨明月luna·2022-12-07 02:39

使用区块的网络（VGG）——【torch学习笔记】

这个领域的进展反映了芯片设计中的进展，工程师们从放置晶体管到逻辑元素再到逻辑块。同样，神经网络架构的设计也逐渐变得更加抽象，研究人员从单个神经元到整个层，再到现在的块，层的重复模式。

一个语文不好的NLPer·2022-12-06 11:29

英伟达公司CEO：摩尔定律已死

根据他在1965年对于技术发展的观察，晶体管体积正不断缩小，因此每年芯片制造商都能够在同等芯片面积之内容纳两倍于上一年的晶体管数量。而到1975年，这一速度下降为每两年实现一次倍增。

weixin_34391445·2022-12-05 10:44

黄仁勋说摩尔定律已死，Nvidia要用人工智能应对

他曾在1965年时提出，半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年增加一倍。1975年，他又根据当时的实际情况对摩尔定律进行了修正，把"每年增加一倍"改为了"每两年增加一倍"。

weixin_34051201·2022-12-05 10:13

LED显示屏常见术语

序号名词术语释义1LCD液晶显示器（LiquidCrystalDisplay）2TFT薄膜晶体管（ThinFilmTransistor）3LED发光二极管（LightEmittingDiode），是一种由固态化合物半导体材料制成的发光器件

Jameshu007·2022-12-04 17:06

（2）计算机组成原理

有关计算机的发展1、大型主机阶段：20世纪40到50年代，第一代电子管计算机经电子管数字计算机、晶体管数字计算机计算机的发展历程，技术逐渐走向成熟。

王聒噪·2022-12-04 16:28

计算机基础之计算机的发展历史

目录一、背景二、计算机的发展1．第一代电子管计算机（1946—1957）2．第二代晶体管计算机（1958—1964）3．第三代集成电路计算机（1965—1970）4．第四代大规模及超大规模集成电路计算

jiankang66·2022-12-03 01:36

氮化镓材料研究

新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓的一些独特特性。氮化镓具有与硅相当的电子迁移率，但具有一个三倍大的带隙，使之成为极好的高功率应用和高温的候选人操作。

华林科纳123·2022-12-02 16:14

专访纳微半导体：双碳时代的芯片，可以在氮化镓上造

氮化镓VS传统的硅，节能又减排众所周知，硅作为晶体管的首选材料，一直是半导体科技的基石。然而随着普

CNET_·2022-12-02 16:42

氮化镓（GaN）功率半导体之预测

氮化镓晶体可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。

EDA365电子论坛·2022-12-02 16:11

一文读懂量子计算的原理、分类与发展

目前，在半导体行业中，有一条经验法则叫做“摩尔定律”，即“集成电路上的晶体管数量每18个月翻一番”

Qforepost·2022-12-02 12:03

[激光原理与应用-25]：《激光原理与技术》-11- 激光产生技术-非线性技术之激光倍频、非线性晶体CLBO、BBO、LBO

目录第1章什么是激光倍频1.1什么是激光倍频1.2激光倍频的好处第2章激光倍频的基本原理2.1基本原理2.2倍频的条件2.3分类第3章倍频晶体3.1BBO，LBO晶体3.2CLBO（六硼酸铯锂）晶体第1

文火冰糖的硅基工坊·2022-12-01 23:01

存储器的概述——DRAM动态存储器

而DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路，如图所示。2.DRAM芯片的逻辑结构下面我们通过一个例子来看一下动态存储器的逻辑结构如图。

chy3232·2022-12-01 22:56

[渝粤教育] 周口师范学院大学计算机基础参考资料

A、过程控制时代B、晶体管时代C、网络时代D、数据处理时代参考资料【】3、【单

wx_yuyueshool·2022-12-01 15:32

【正点原子FPGA连载】第十五章 RGB LCD彩条显示实验摘自【正点原子】DFZU2EG/4EV MPSoC 之FPGA开发指南V1.0

）全套实验源码+手册+视频下载地址：http://www.openedv.com/thread-340252-1-1.html第十五章RGBLCD彩条显示实验TFT-LCD是一种液晶显示屏，它采用薄膜晶体管

正点原子·2022-12-01 12:36

光电器件仿真设计RSoft、COMSOL、FDTD

COMSOL多场耦合仿真技术与应用（一）案列应用实操教学：案例一光子晶体能带分析、能谱计算、光纤模态计算、微腔腔膜求解案例二类比凝聚态领域魔角石墨烯的moiré光子晶体建模以及物理分析案例三传播表面等离激元和表面等离激元光栅等案例四超材料和超表面仿真设计

lixuegaoyunfeng·2022-12-01 04:15

苹果也能做深度学习了！PyTorch宣布支持苹果M1芯片GPU加速：训练快6倍，推理提升21倍...

今年3月，苹果发布了其自研M1芯片的最终型号M1Ultra，它由1140亿个晶体管组成，是有史以来个人计算机中最大的数字。

风度78·2022-12-01 01:08

基于51单片机的秒表系统设计（源代码+Proteus仿真图）

目录总体设计晶体震荡电路复位电路按键控制电路LCD1602显示电路蜂鸣器电路Proteus仿真图调试结果源代码：Proteus仿真提取链接总体设计本设计是采用AT89C51单片机为中心，利用其定时器/计数器定时和记数的原理

haohao_不秃头·2022-11-30 00:08

计算机必备知识点分享来啦~纯干货无槽点

第一阶段：1946年～1957年，电子管第二阶段：1958～1965年，晶体管第三阶段：1966～1971年，中小规模集成电路第四阶段：1972年至今，大规模、超大规模集成电路二、计算机的分类1

恶霸程序员388·2022-11-29 00:22

计算机组成原理408

基础通过电信号传递二进制0/1，低电平为0(低电压)金属针脚就是用来接受电信号的，一个针脚接受一个二进制位主板上的印刷电路（一条一条的线）是用来导电的（传递电信号）一位=1bB=字节=8位(大多数情况)硬件发展：电子管-晶体管

Silentambition·2022-11-28 04:44

全国计算机等级考试（三级网络）基本概念与名词解释

一、计算机基础知识部分1.计算机系统发展历程：电子管计算机、晶体管计算机、集成电路计算机、大规模及超大规模集成电路计算机。

zmwg1·2022-11-27 17:50

STM32: LCD显示

一、TFTLCD概述1.1TFTLCDTFT-LCD即薄膜晶体管液晶显示器。

溪午闻璐·2022-11-27 16:56

科技的成就（三十九）

1955年，“晶体管之父”威廉·肖克利离开贝尔实验室，创建了肖克利半导体实验室，大批才俊跟随加入。但由于管理等问题，诺伊斯、摩尔等八人一起离开并创立了仙童半导体公司，这八人被肖克利称为“八叛徒”。

zyhomepage·2022-11-27 13:02

Handdle AI在芯片字符瑕疵识别检测中的应用

缺陷图片——该项目的难点在于缺陷区域与背景区域的对比度差别较小、形状近似，干扰因素大；对此，东声智能基于HanddleAI智能算法平台打造的芯片缺陷检测方案，可准确、快速识别晶圆表面的污染物颗粒、表面划伤、晶体原生凹坑

Dongsheng_2019·2022-11-25 20:58

原神（31）：那个绿色的家伙

风魔龙离开后，留下了一个红色的晶体，被我捡到收入行囊。当我和丽莎姐姐清理了三座庙宇的魔物，回到蒙德城时，偶然遇到了琴与【愚人众】的冲突。

大龙10·2022-11-25 16:41

通信电子线路——multisim高频小信号放大器设计

图中，W1、W2、RE为偏置电阻，用以保证晶体管工作于放大区域，使放大器工作于甲类。

nachr·2022-11-25 08:25

小信号谐振器电路仿真实验

其中，LC并联谐振网络做为晶体三极管的集电极负载；信号发生器输出的电压信号由电容C1耦合进谐振放大电路。

位沁QQ3423988359·2022-11-25 08:25

Multisim开启高频电路仿真（1）高频小信号放大器

例子下载链接：multisim实例-交流小信号晶体管放大器-嵌入式文档类资源-CSDN下载一、目的1、掌握小信号调谐放大器的基本工作原理；2、掌握谐振放大器电压增益、通频带、选择性的定义、测试及计算；3

海里的鱼2022·2022-11-25 08:54

高频小信号谐振放大器设计-课程设计Multisim仿真

（点击跳转人工智能学习资料）微信公众号：创享日记发送：高频课设获取完整报告+仿真源文件一、高频小信号谐振放大器理论知识1、高频小信号谐振放大器的简介（略）2、高频小信号谐振放大器的分类按元器件分为：晶体管放大器

叶绿体不忘呼吸·2022-11-25 08:22

超级详细-NMOS、PMOS的工作原理及相关内容整理（上）

意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。MOS晶体管有P型MOS管和N型MO

大彪爱工作·2022-11-25 05:38

沟道长度调制效应与短沟道效应

MOS晶体管在饱和与非饱和区的行为以NMOS为例，当VGS>VT且VGS=VGD时，形成厚度均匀的沟道；当MOS管工作在非饱和区时，VGS和VDS均大于阈值电压VT，这样才能形成源漏之间的沟道，此时，若