磁阻

用Everspin MR2xH40xDF SPI-MRAM替换赛普拉斯CY15B104QN SPI-FRAM

EVERSPIN内存Everspin是设计，制造和商业销售分立磁阻RAM（MRAM）到市场和应用的全球领导者，在这些市场和应用中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
英尚微电子·2020-08-26 23:06

太空应用中多功能性工业级Everspin 4Mbit MRAM

CAES是太空存储器市场的翘楚，并基于Everspin的技术交付生产级，符合太空要求的磁阻随机存取存储器（MRAM），为太空工业提供辐射硬化，高度可靠的非易失性不受单事件翻转（SEU），低压单事件闩锁（
英尚微电子·2020-08-24 17:52

小程序开发API之监听罗盘wx.startCompass

现代利用先进加工工艺生产的磁阻传感器为罗盘的数字化提供了有力的帮助。21世纪初，主要有用磁阻传感器和磁通门加工而成的电子罗盘。
钢丝球 M.Siebel·2020-08-22 16:48

太空应用中多功能性工业级Everspin 4Mbit MRAM

CAES是太空存储器市场的翘楚，并基于Everspin的技术交付生产级，符合太空要求的磁阻随机存取存储器（MRAM），为太空工业提供辐射硬化，高度可靠的非易失性不受单事件翻转（SEU），低压单事件闩锁（
英尚微电子·2020-08-22 15:49

医疗设备专用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM

MR25H40是一个4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存
英尚微电子·2020-08-21 15:26

应用于医疗设备中的并行接口MRAM-MR5A16A

MR5A16A是一个33，554，432位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，由16位的2，097，152个字
英尚微电子·2020-08-21 02:42

应用于医疗设备中的并行接口MRAM-MR5A16A

MR5A16A是一个33，554，432位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，由16位的2，097，152个字
英尚微电子·2020-08-21 02:09

非易失性MRAM诞生过程

此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。在MRAM存储器中有一个富含创造性的设计，这也是EVERS
英尚微电子·2020-08-20 23:27

非易失性MRAM诞生过程

此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。在MRAM存储器中有一个富含创造性的设计，这也是EVERS
英尚微电子·2020-08-20 23:27

【报告】2019-2025年中国新能源汽车电机行业技术发展趋势研究（附77页PDF文件下载）

与其相忘江湖，不如点击“蓝字”关注电动汽车的电机有三种主要形式：异步电动机、开关磁阻电动机和永磁同步电动机。
汽车之地·2020-08-19 19:07

科普：手机的各种传感器原理及用途

现代利用先进加工工艺生产的磁阻传感器为罗盘的数字
十一月zz·2020-08-14 00:47

学习笔记-第五周-学习笔记

开关磁阻电机（SwitchedReluctanceDrive:SRD）是继变频调速系统、无刷直流电动机调速系统之后发展起来的最新一代无级调速系统。可用于高速运转。
weixin_30817749·2020-08-07 20:22

非易失性MRAM诞生过程

此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。在MRAM存储器中有一个富含创造性的设计，这也是EVERS
英尚微电子·2020-08-07 07:17

巨磁阻效应分析与应用

1、巨磁阻效应与层结构分析所谓磁阻效应是指导体或半导体在磁场作用下其电阻值发生变化的现象，巨磁阻效应在1988年由彼得•格林贝格（PeterGrünberg）和艾尔伯•费尔（AlbertFert）分别独立发现
森林也是会反抗的·2020-08-04 18:58

开关磁阻电机的直接瞬时转矩控制（DITC）

摘要—本文提出了一种用于开关磁阻电机的在线瞬时转矩控制技术，称为直接瞬时转矩控制。该方法包括两种新颖方面。首先根据端子量（即磁链和相电流）估算扭矩，所以转矩估算与转子位置无关。
林牧23333·2020-08-04 17:29

弱磁扩速

可以得到转矩和IdIq的关系如下：因为q轴代表永磁转矩（Tem）,恒转矩曲线上各点是永磁转矩和磁阻转矩的合成。
weixin_30832143·2020-08-04 04:29

旋变的初级理解

其中旋转变压器又名旋变，分为经典款和可变磁阻款。
Mr.DBH·2020-07-28 21:20

CC7030——内置AMR磁阻和霍尔的微功耗、高灵敏度全极型、并具有闩锁输出的磁传感开关芯片

概述CC7030是一颗同时内置AMR磁阻和霍尔的微功耗、高灵敏度全极型、并具有闩锁输出的磁传感芯片，可直接取代传统的磁簧开关。适用于使用电池作为电源的便携式电子产品以及其他低功耗电路。
霍尔元件应用·2020-07-14 08:48

膜厚仪价格？膜厚仪多少钱？

膜厚仪是什膜厚仪属于测厚仪的一种，膜厚仪测量覆膜薄膜的厚度，手持式的有涂层测厚仪，为磁阻法和电涡流原理，台式的不同原理也有好多种，电感原理等。
大成精密·2020-07-13 11:27

电磁学小结

电磁学：洛沦兹力+磁场中电荷运动+安培+电磁感应+法拉第+磁阻+电感+变压器磁场中电荷运动：有速度v的运动电荷，在磁场中，受到力做半径为r做圆周运动，磁场不提供能量，只改变方向，是能量转化为动能的中介。
prototypeAlert·2020-07-10 17:17

传感技术复习笔记（4）——变磁阻式传感器

1工作原理变磁阻式传感器是利用电磁感应原理将被测非电量如位移、压力、流量、重量、振动等转换成传感器线圈电感（自感量或互感量）的变化，再由测量电路转换为电压或电流的变化量输出的装置。
双圣树下的阿尔达·2020-07-10 10:43

医疗设备专用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM

MR25H40是一个4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存
英尚微电子·2020-07-10 03:28

TLE5012的使用和3线SPI通信（SSC）说明

一、TLE5012介绍TLE5012是采用巨磁阻原理的15位绝对磁编码器，支持SSC、PWM、IIF、HSM、SPC通信接口，其中SSC是兼容传统SPI的3线接口，通讯频率可达8M。
qlexcel·2020-07-09 21:58

反激变压器气隙宽度计算公式推导

1.求气隙定律磁阻公式——磁动势，——磁通，H——磁场强度，B——磁感应强度，磁密。——磁芯截面积，——绝对磁导率，——磁路长度。在中柱加气隙后，等效磁路为不加气隙与加气隙部分串联。
tuxinbang1989·2020-07-08 08:24

Arduino笔记四电子指南针罗盘HMC5883L

电子指南针罗盘HMC5883L是三轴磁阻传感器，用来测量周围的磁感应强度，测量范围-8g~8g单位是高斯。
我用国芯·2020-07-05 15:37

《思维导图宝典》笔记

这些神经细胞通道就叫作＂记忆轨迹＂……当你每次产生一个想法时，带有这个想法的神经通道中的电磁阻力就会减少。右半脑主要负责下列功能：节奏、空间感、整体概念、想象、白日梦、色彩及维度；左
稻叶·2020-07-05 06:58

电子罗盘详解之原理和特点

电子罗盘的原理三维电子罗盘由三维磁阻传感器、双轴倾角传感器和MCU构成。
zitn2019·2020-06-30 18:59

电子罗盘的使用原理是什么

三维电子罗盘由三维磁阻传感器、双轴倾角传感器和MCU构成。三维磁阻传感器用来测量地球磁场，倾角传感器是在磁力仪非水平状态时进行补偿；MCU处理磁力仪和倾角传感
zitn2019·2020-06-30 18:58

技术管理之《人人都是产品经理2.0》笔记

只做一次的事情找可行解，反复做的事情求最优解先搞清问题，后选择方法用户、需求、场景在移动设备里，常见的可以被利用的硬件包括话筒、GPS、距离感应器、环境光感应器、影像传感器、磁阻传感器、重力感应器、方向感应器
映影留心·2020-06-30 17:57

电机学

磁场磁路安培定律：HL=NI磁通密度：B=μH磁通：Φ=BA磁动势：F=ΦR磁阻：R=L/μA法拉第：E=-N·dΦ/dt电磁力：F=IBL电动势：E=vBL变压器电动机转速n=60·f/p=60×50
treesbook·2020-06-26 20:10

基于NB-IoT的智能停车系统——简单搭建

基于NB-IoT的智能停车系统——简单搭建1产品功能2基本原理2.1磁阻传感器AMR2.2NB-IoT和STM32单片机模块2.3Java应用程序与MySQL数据库3功能实现3.1前端采集3.2信息处理
笑舞阳·2020-06-26 12:44

基于线性霍尔套磁环的电流传感模块设计考量

传统上，常见到的检测技术包括电阻采样式（Shunt），电流互感器式（CurrentTransformer），罗戈夫斯基线圈式（RogowskiCoil），磁阻式（xMR），以及本文会着重分析到的霍尔式（
霍尔元件应用·2020-06-22 20:30

各厂商磁编码器对比，AS5047、AS5048、AS5600、TLE5012、MA730

新增补了一篇，详细介绍了GMR磁编码器原理、同类对比优劣、安装方式、设计注意事项，欢迎阅览：TLE5012B磁编码器原理，巨磁阻(GMR)磁编码器原理及优点，径向充磁磁铁的安装AMS产品：主打产品是AS5047
Mark_md·2020-06-21 19:14

AMS磁编码器：AS5048与AS5047区别，伺服电机闭环系统位置反馈

blog.csdn.net/Mark_md/article/details/100181701新增补了一篇，详细介绍了GMR磁编码器原理、同类对比优劣、安装方式、设计注意事项，欢迎阅览：TLE5012B磁编码器原理，巨磁阻
Mark_md·2020-06-21 18:13

医疗设备专用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM

MR25H40是一个4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存
英尚微电子·2020-06-01 12:20

应用于医疗设备中的并行接口MRAM-MR5A16A

MR5A16A是一个33，554，432位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，由16位的2，097，152个字
英尚微电子·2020-05-29 14:38

研究人员开发一种新的MRAM单元结构

东京工业大学的研究人员开发了一种新的MRAM单元结构，该结构依赖于单向自旋霍尔磁阻（USMR）。新的单元结构只有两层。这可能导致成本更低的MRAM器件。
宇芯电子·2020-04-20 14:16

Everspin Serial MRAM存储芯片MR20H40CDF

MR20H40CDF是Everspin所生产的由4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。
英尚微电子·2020-04-09 15:59

非易失性MRAM诞生过程

此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。在MRAM存储器中有一个富含创造性的设计，这也是EVERS
英尚微电子·2020-04-03 12:24

跟老胡学软件_开关磁阻电机电压斩波控制及DSP编程实现（原创）

背景：正在做的开关磁阻电机项目，控制芯片采用的是TMS320F28069，功率电路采用的是不对称半桥结构，以一相绕组为例，如图1所示。
胡文宏Peter·2020-04-03 10:45

《思维导图》学习笔记（拆书1）

当你每次产生一个想法时，带有这个想法的神经通道中的升华电磁阻力就会减少。这就像在丛林之中清出一条小路来一样。第一次的费一点儿劲儿，因为你必须清除掉一路的杂草缠藤。
平白书·2020-03-06 12:46

听说了吗，王若可辞职了

“小王不可能就这样辞职，她昨天才把最新的应用巨磁阻效应的温彻斯特式大容量存储设备的改进草案发给我，怎么可能今天就辞职！这可是今年能接到的最大的项目。她人在哪儿，马上联系她！”
森生·2020-02-28 22:19

赢双电机-磁阻式旋转变压器应用于各大汽车厂家新能源车中

公司成立以来先后参与十多项国家“863”计划重大专项、上海市科委、上海市经信委科技项目技术攻关，在新能源电机驱动系统中的位置传感器-磁阻式旋转变压器的研发取得了一系列重大突破。
节能与新能源汽车年鉴·2020-02-07 02:53

三星正在改善1Gb MRAM寿命问题

据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器（eFlash）的嵌入式磁阻随机访问内存（eMRAM），容量为1Gb，测试芯片的优良率已达90%。
NETSOL·2020-01-21 15:00

三星正在改善1Gb MRAM寿命问题

据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器（eFlash）的嵌入式磁阻随机访问内存（eMRAM），容量为1Gb，测试芯片的优良率已达90%。
英尚微电子·2020-01-21 15:16

Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供性能，持久性和耐用性。
NETSOL·2020-01-20 16:00

Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供了性能，持久性和耐用性。
英尚微电子·2020-01-20 16:45

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
英尚微电子·2020-01-07 14:55

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
NETSOL·2020-01-06 13:00

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
NETSOL·2020-01-06 13:00
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