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MOSFET
MOS管工作原理及特性
MOS管的英文全称叫
MOSFET
(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型。
做手持风扇的我
·
2020-07-08 00:18
MOS管开关电路详解
CSDN没有时间排版抱歉,关注微信公众号号阅读吧:扫描下方微信公众号二维码获取更多信息:一、
MOSFET
介绍今天和同事讨论起了公司用到的一个MOS管开关电路,针对其中的几个关键点做了比较系统的分析总结。
madmanazo
·
2020-07-07 23:16
Hardware
BJT三极管和FET场效应管的几个问题讨论
1场效应管主要有两种类型,分别是JFET和
MOSFET
。
宗师之路
·
2020-07-07 20:25
硬件
电赛DC-DC开关电源:BUCK电路详解和应用
一、BUCK电路的基本电路结构如图电路主要元器件包括开关管T(物理实现可以用IGBT,
MOSFET
),续流二极管D,储能电感L,输出滤波电容C及负载电阻R。输入直流电源为Us,输出直流电压为Uo。
电子圈的哪些事儿
·
2020-07-07 15:43
笔记
MOS管的工作原理
P沟道和N沟道MOS的原理要使增强型N沟道
MOSFET
工作,要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。
ProgressChen
·
2020-07-07 13:08
电子技术
深入理解功率
MOSFET
数据表
在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率
MOSFET
了。
emouse
·
2020-07-07 09:58
电子设计点滴
电路设计
MOSFET
常用品牌及特点
IR(InternationalRectifier国际整流器公司)--老牌劲旅,贵且缺着,但还是要用ST(STMicroelectronics意法半导体公司)--性价比不错的老牌子FSC(FAIRCHILD飞兆半导体大家习惯叫“仙童”)--MOS逐渐谈去,期待IGBTInfineon(Infineon英飞凌半导体)--COOLMOS痛并快乐着,贵有贵的道理。ON(Onsemi安森美半导体)--痛。
duibudui11
·
2020-07-07 07:05
PCB
MOSFET
从原理到使用
0引子最近打算把项目中的继电器开关控制换成
MOSFET
开关控制,继电器虽然控制简单但是关断次数有限,不适合高频率的关断闭合,而
MOSFET
属于压控组件,只要通过改变栅源电压就可以实现快速开关动作,且MOS
Slash Ace
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2020-07-07 02:10
#
【硬件设计】
常见MOS管型号及参数对照表
常见MOS管型号及参数对照表场效应管分类型号简介封装1
MOSFET
2N700060V,0.115ATO-922
MOSFET
2N700260V,0.2ASOT-233MOSFETIRF510A100V,5.6ATO
Britripe
·
2020-07-06 21:42
电子元器件
IGBT简介、结构及原理
IGBT融合了BJT和
MOSFET
的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。而平时我们在实际中使用的IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二
打怪升级ing
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2020-07-06 19:40
元器件
MOSFET
结构及其工作原理详解
1.
MOSFET
的工作原理
MOSFET
的原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管),即以金属层(M
zzw--开发小农
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2020-07-06 18:30
硬件电路基础
linux驱动开发
MOSFET
与IGBT的区别详细分机及去举例说明-KIA MOS管
对
MOSFET
与IGBT详细的区别分析以及举例说明
MOSFET
和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同。
树卡花
·
2020-07-06 18:19
关于MOS管详解
MOS管
人工智能
MOS管参数每一个参数详解-收藏版
MOSFET
是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述.gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量
树卡花
·
2020-07-06 18:19
关于MOS管详解
MOS管
MOSFET
(MOS场效应管)工作原理
MOS场效应管也被称为
MOSFET
,即MetalOxideSEMIconductorFieldEffectTransistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。
matin01
·
2020-07-06 16:17
电子基础
MOSFET
、IGBT的结构与工作原理详解
来自百度百科先学习一下
MOSFET
图1是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。
飞由于度
·
2020-07-06 15:40
项目经验
电源模块同步降压转换器的击穿现象
这种同步降压转换器采用高端及低端的
MOSFET
取代传统降压转换器的箝位二极管,以便降低负载电流的损耗。工程师设计降压转换器时经常忽视“击穿”的问题。
zitn2019
·
2020-07-06 13:56
IGBT与MOS管的区别,IGBT与可控硅的区别,IGBT驱动电路设计
IGBT和MOS管的区别:IGBT和可控硅的区别:IGBT驱动电路设计:1、IGBT驱动电路的设计2、IGBT驱动器的选择3、IGBT驱动电路的设计IGBT和MOS管的区别:IIGBT在结构上是NPN行
MOSFET
zhuimeng_ruili
·
2020-07-06 13:29
电子电路
MOSFET
驱动电路总结
下面是我对
MOSFET
及
MOSFET
驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MO
漂在南方
·
2020-07-06 11:08
功率MOS管
栅极驱动参数对IGBT开通的影响
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有
MOSFET
刘纳尔多到底有多多
·
2020-07-06 11:28
IGBT
驱动参数
mos管的参数及选择(比较好) 并附三极管
jeanscheng.blog.163.com/blog/#m=0&t=1&c=fks_087071086086089065086081082095085087083070087082086066085首先要进行
MOSFET
weixin_30466953
·
2020-07-05 21:27
放大器定义、分类和选择原则
晶体管晶体管分两类:双极型晶体管(BJT),又分为NPN型、PNP型单极型晶体管(也称场效应管,FET),场效应管还分为JFET和
MOSFET
,就是结型管和金属氧化物管,它们有N沟道和P沟道之分。双
结界很厚
·
2020-07-05 12:54
放大器
MOS管及MOS管的驱动电路设计
摘要:本文将对
MOSFET
的种类,结构,特性及应用电路作一简单介绍,并控讨了一下
MOSFET
驱动电路设计问题在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等
sfrysh
·
2020-07-05 11:56
硬件设计
I2C总线3.3V与5V双向电平转换电路
整个电路工作过程:从电路中可以看出,SDA和SCL的电平转换电路结构是一样的,每个总线上都串有一个分立的
MOSFET
,和相应的上拉电阻。
warm朵朵
·
2020-07-05 04:33
硬件
I2C
电平转换
详细讲解MOS管驱动电路
MOSFET
管FET的一种(另一种是JEFT),可以被制造成增强型
nolatin
·
2020-07-05 01:02
一个有趣的自锁开关电路
电路原理分析:电路上电后,由于IRF5305(P型
MOSFET
)栅极经R1上拉,处于高电位,IRF5305处于截止状态,当按下轻触开关S1,5V电源经R1,R2,R3,C1与R5分压得到一个能使Q2导通的电压
longzhishen
·
2020-07-04 22:55
电子技术
STM32中GPIO的8种工作模式!
推挽电路是两个参数相同的三极管或
MOSFET
,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。
kevinhg
·
2020-07-04 20:53
嵌入式系统
MOS器件的重要特性——15个为什么?
(一)(1)为什么E-
MOSFET
的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大?而随着温度的升高而下降?【答】E-
MOSFET
的阈值电压就是使半导体表面产生反型层(导电沟道)所需要加的栅极电压。
gtkknd
·
2020-07-04 16:19
模拟电路
汽车芯片:半导体芯片巨头加速成长
汽车半导体按种类可分为功能芯片MCU(MicrocontrollerUnit)、功率半导体(IGBT、
MOSFET
等)、传感器及其他。
人工智能学家
·
2020-07-04 12:02
MOS管驱动电路,看这里就啥都懂了!
1、MOS管种类和结构
MOSFET
管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管
少林达摩祖师
·
2020-07-04 02:20
embedded
无线大功率智能开关(ESP8266+MQTT+Arduino)
硬件英飞凌CoolMOSC7金色SJMOSFET英飞凌TLI4970电流传感器英飞凌EiceDRIVER™1EDI20N12AFXUMA1
Mosfet
驱动程序定制PCB乐鑫ESP8266ESP-12E电容器
国外课栈
·
2020-07-04 00:08
编程
IoT
MOSFET
使用总结
2.
MOSFET
的GS之间需要电阻一般在1k~10k,可以防静电。3.GS超过平台电压以后,DS之间无论有没有电路,都是导通的。4.
MOSFET
属于压控压型器件,三极管属于流控流型器件。
D_Katter
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2020-07-01 08:40
Hardware
硬件
MOSFET
GS波形
栅极
振荡
手机充电原理分析及问题总结
CPU开始启动如下模块:1,ADC采样,主要是采集Vchrg,Vbat及从
MOSFET
漏极输出的电压,可以算出充电电压和充电电流;2,发消息给MMI层,让它显示充电状态及一些采样数据;3,检测电池电压有没有超过保护电压及电池连接是否连接正确
DBOY
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2020-06-30 13:47
嵌入式系统硬件
锂电池过充电、过放电、混合使用会出现什么问题
关注、星标公众号,不错过精彩内容素材来源:网络编辑整理:strongerHuang下面电路主要由锂电池保护专用集成电路DW01,充、放电控制
MOSFET
1(内含两只N沟道
MOSFET
)等部分组成,单体锂电池接在
ybhuangfugui
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2020-06-30 06:29
TB6612FNG直流电机驱动
定义:TB6612FNG是一款直流电机驱动器件,它具有大电流
MOSFET
-H桥结构,双通道电路输出,可同时驱动2个电机。
Cool_qingshan
·
2020-06-29 15:26
电子器件
常见芯片封装类型介绍
一、直插封装1、晶体管外形封装(TO)2、双列直插式封装(DIP)3、插针网格阵列封装(PGA)二、贴片封装SMD1、晶体管外形封装(D-PAK),这种封装的
MOSFET
有3个电极,其中漏极引脚被剪断不用
大帅......
·
2020-06-29 02:24
Altuim
Designer
正确理解功率
MOSFET
的RDS(ON)温度系数特性
通常,许多资料和教材都认为,
MOSFET
的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。
weixin_34208185
·
2020-06-28 13:32
在设计PCB时如何增强防静电ESD功能
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁
MOSFET
和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的
大飞飞飞飞飞飞
·
2020-06-28 10:40
FinFET简介
MOS的全名是“金属-氧化物-半导体场效电晶体(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,
MOSFET
)”,构造如图一所示,左边灰色的区域(矽)叫做“源极
weixin_30852419
·
2020-06-28 01:38
BSIM4
MOSFET
Model
NonlinearDevices>Chapter5:DevicesandModels,MOSPrintversionofthisBook(PDFfile)BSIM4_Model(BSIM4MOSFETModel)SymbolAvailableinADSandRFDESupportedviamodelincludefileinRFDEParametersNameDescriptionUnitsDef
vzhenyi
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2020-06-27 11:46
模拟集成电路
ETA9640同步整流输入1A输出1A移动电源IC
ETA9640延续并升级了"PowerSOC“的概念,以一颗芯片,无需外围搭配
MOSFET
,DW01,肖特基等器件,解决了一个移动电源的几乎所有需求,并创造性的提出了单颗LED的电量显示方式。极大的
IC展嵘-梁东
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2020-06-27 11:51
集成电路
集成电路
IC供应
使用 SiC
MOSFET
:挑战与设计建议---凯利讯半导体
对于电网转换、电动汽车或家用电器等高功率应用,碳化硅(SiC)
MOSFET
与同等的硅IGBT相比具有许多优势,包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的导通电阻。
刷脸时代
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2020-06-26 21:21
电子技术
DRV11873PWPR三相无传感器电机驱动器
DRV11873是一款具有集成功率
MOSFET
的三相无传感器电机驱动器,连续驱动电流达1.5A,峰值驱动电流高达2A。
szrileyH
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2020-06-26 17:13
TI
Power Integrations高度灵活的门极驱动器系统适合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC双功率模块
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司PowerIntegrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出SCALE-iFlex™门极驱动器系统,新产品适合耐用介于1.7kV至4.5kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC)
MOSFET
sinat_41698914
·
2020-06-26 12:15
Power Integrations可提供已涂覆三防漆的SCALE门极驱动器
增强在严苛环境下的耐用性;提高了生产物流的效率美国加利福尼亚州圣何塞--(美国商业资讯)--中高压逆变器应用领域IGBT和
MOSFET
驱动器技术的领导者PowerIntegrations(纳斯达克股票代号
sinat_41698914
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2020-06-26 12:42
ir2110s驱动工作原理
由于它具有体积小、成本低、集成度高、响应速度快、偏值电压高、驱动能力强等特点,自推出以来,这种适于功率
MOSFET
、IGBT驱动的自举式集成电路在电机调速、电源变换等功率驱动领域中获得了广泛的应用。
sinat_21139313
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2020-06-26 10:41
STM32的8种GPIO端口模式配置——上拉、下拉、模拟、浮空输入、推挽、开漏、复用输出
推挽电路是两个参数相同的三极管或
MOSFET
,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也
Undefined variable
·
2020-06-26 07:47
暴走的STM32
常用的推挽输出、开漏输出、上拉输入
推挽电路是两个参数相同的三极管或
MOSFET
,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称
Mr.林先生
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2020-06-26 01:16
STM32学习之路
TB6612电机驱动板
简介:●TB6612FNG是东芝半导体公司生产的一-款直流电机驱动器件,它具有大电流
MOSFET
-H桥结构,双通道电路输出,可同时驱动2个电机。
Yulin_zhuang
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2020-06-26 00:46
电机驱动
MOS管在2020年即将爆发的十大电子应用领域-KIA MOS管
提供功率
MOSFET
的型号选型及应用问题分析以及AC-DC,DC-DC电源IC方案型号推荐—场效应管MOS管在2020年即将爆发的十大电子应用在哪个领域呢?
树卡花
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2020-06-26 00:31
关于MOS管详解
MOS管
深入理解
MOSFET
规格书/datasheet
引言作为一个电子工程师、技术人员,相信大家对
MOSFET
都不会陌生。
qq_40752349
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2020-06-25 18:49
技术资料
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