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MOSFET
IXFP4N100参数及代换型号 数据表(PDF)中文资料
IXFP4N100参数及代换KNX41100AN沟道
MOSFET
–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V,漏极电流最大值为2A,可替换2sk119,主适用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩
KIA半导体
·
2022-12-28 01:40
电子元器件
关于MOS管详解
MOS管
半导体
电子元器件
高压MOS管
IXFP4N100
IXFP4N100代换
高压MOS管KNP41100A 2A/1000V【PDF数据手册】
高压MOS管KNP41100A2A/1000V半导体市场,现阶段1000-1500V超高压
MOSFET
几乎被进口品牌垄断,且存在价格高,交付周期长等弊端。
KIA半导体
·
2022-12-28 01:40
电子元器件
关于MOS管详解
MOS管
高压MOS管
光伏逆变器
充电桩
LED照明
驱动电源
高压MOS管1000V/2A 可代替IXFP4N100 数据表(PDF)
高压MOS管1000V/2A可代替IXFP4N100放眼半导体市场,现阶段1000-1500V超高压
MOSFET
几乎被进口品牌垄断,且存在价格高,交付周期长等弊端。
KIA半导体
·
2022-12-28 01:10
电子元器件
关于MOS管详解
MOS管
高压MOS管
半导体
电子元器件
MOS管的作用及原理介绍
MOS管的英文全称叫
MOSFET
(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型。
KIA半导体
·
2022-12-28 01:40
关于MOS管详解
MOS管
MOS管作用
MOS管工作原理
7n65场效应管参数-7N65参数代换KIA4665
一、7N65场效应管参数KIA7N65功率
MOSFET
是采用起亚半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。
KIA半导体
·
2022-12-28 01:40
关于MOS管详解
MOS管
LLC的
MOSFET
漏源极并联电容的作用
说法一:滤除DS电压尖峰,高频尖峰。减小DV/DT的值,改善EMI。曾经EMC整改试过,非常有用。但是不要加的太大了,一般就是471或者102的瓷片Y,加大了LLC就实现不了ZVS了,炸机了就更不好玩了。说法二:AsillustratedinFigs.9–12,inwideinputvoltageandwidedynamicloadvariationranges,theMOSFETsswitchi
cclistem81
·
2022-12-28 01:05
硬件
硬件工程
详解MOS管并联注意事项和采取措施
MOSFET
管并联工作时,需要考虑两个问题:1)满载时,并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡。2)通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡。
KIA半导体
·
2022-12-28 01:04
电子元器件
关于MOS管详解
MOS管
单片机
硬件工程
自动驾驶
Silvaco TCAD仿真10——
MOSFET
结构仿真
代码MOS器件结构goatlas#定义网格#二维非均匀网格meshx.ml=0.0spacing=0.3x.ml=0.5spacing=0.018x.ml=2.5spacing=0.018x.ml=3spacing=0.3y.ml=-0.02spacing=0.01y.ml=0.0spacing=0.01y.ml=0.3spacing=0.06y.ml=1.0spacing=0.2#定义材料reg
桐桐花
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2022-12-27 17:27
Silvaco
TCAD仿真
器件仿真
BJT/SCR/JFET/
MOSFET
/IGBT器件分析
本文章主要讲述五种主流器件:BJT,SCR,JFET,
MOSFET
,IGBT的器件工作原理,为阻态,开通,通态以及关断其器件内部的原理,从而更好的了解器件工作,更好的区分各器件更加适合应用在何项目中。
电子张sir
·
2022-12-12 15:27
功率半导体
材料工程
Simulink仿真:基于Matlab Simulink的H5光伏逆变器仿真建模
仿真建模参考文献:自建实验文档(数据和图可直接使用)仿真平台:MATLABSimulink主要内容:本文基于MatlabSimulink搭建了一个使用光伏电池作为电源的H5型光伏逆变器拓扑,利用正弦波和三角波驱动
MOSFET
「已注销」
·
2022-12-03 15:28
matlab
开发语言
I2C通信协议
2、总线通过上拉电阻接到电源,当I2C设备空闲时,
MOSFET
关断,输出高阻态。3、Cbus电容(总线负载电容)决定
karwen2020
·
2022-11-19 12:44
STM32
单片机
嵌入式硬件
电子元器件符号+实物图+命名规则(太全了,绝对收藏)
电子电路中常用的器件包括:电阻器(含电位器)、电容器、电感器、变压器、二极管、三极管、光电器件、电声器件、显示器件、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管、IGBT、
MOSFET
、继电器与干簧管、开关、保险丝、
EDA365电子论坛
·
2022-08-25 12:27
器件工程
器件工程
器件选型
电子元器件
硬件
模拟电路如何入门?刚入职不会设计怎么办?模拟电路设计入门系列
电感相关知识五、运算放大器经验技巧六、开关电源七、电路识图经验技巧八、模拟电路设计经验及技巧九、电路测量、识别、诊断经验技巧十、模电巧文通灵秘学来个小DEMOMOSFET跨导及夹断区的理解相比于晶体管,
MOSFET
迷人的秋
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2022-07-26 16:47
模拟电路
硬件工程
fpga开发
pcb工艺
灵动微电子SPIN系列工业级芯片将进行AEC-Q100认证
Allinone集成了
MOSFET
,LDO,电阻网络,运放,系统外部只需要一些电阻电容;专用MCU针对电机控制设计,多种方案搭配多种封装。灵动微的程序、方
·
2022-07-15 17:37
单片机
GaN图腾柱无桥 Boost PFC(单相)一
GaN图腾柱无桥BoostPFC(单相)拓扑结构图腾柱无桥BoostPFC电路包括构成高频桥臂的GaN功率开关管S1和S2、构成工频桥臂的
MOSFET
开关管S3和S4、升压电感L、母线电容C以及负载。
代码—0422
·
2022-07-07 14:33
单相PFC
c语言
不会看器件手册的工程师不是个好厨子
所以今天我就带大家解读一种非常常见,但又似懂非懂的器件——
MOSFET
,也就是我们常说的M
iron2222
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2022-07-02 09:00
MOS管相关知识
MOS管MOS管的英文全称叫
MOSFET
(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型。
猫捡球zj
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2022-05-16 20:31
硬件
硬件知识库
原创整合
单片机
硬件工程
物联网
MOSFET
, MOS管, 开关管笔记
MOSFET
的三端标记分别为G,S,D(Gate,Source,Drain),电路符号有多种形式,最常见的如下图所示,以一条垂直线代表沟道(Channel),两条和沟道平行的接线代表源极(Source)
Milton
·
2022-05-15 11:00
【Linux驱动】安卓充电芯片bq24735调试详解
bq24735为满足自动系统电源选择的需要,使用2个充电泵来分别驱动n-通道
MOSFET
(ACFET,RBFET和BATFET)。SMBus(I2C总线)控制的输入电流,充电电流,和充电电压DAC允许
一口Linux
·
2022-04-23 21:09
原创
从0学linux驱动
linux
芯片
充电芯片
LED照明电路:利用
MOSFET
提升效率并降低噪声的案例
LED照明电路(临界模式PFC+DC/DC):利用
MOSFET
提升效率并降低噪声的案例下面的电路摘自实际LED照明电路的相关部分。
纪客老白
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2022-04-20 13:43
硬件系统培训
LED
照明
电路
电路案例
提升效率
MOSFET
数字孪生实战【Python】
本文将介绍如何使用Python构建电子开关(晶体管)的数字孪生。1、什么是数字孪生?IBM将数字孪生定义如下“数字孪生是一种旨在准确反映物理对象的虚拟模型”,并指出创建数字孪生的主要促成因素是如何收集数据的传感器和以某种特定格式/模型将数据插入到对象的数字副本中的处理系统。此外,IBM表示,“一旦获知此类数据,虚拟模型可用于运行模拟、研究性能问题并产生可能的改进”。所以,我们可以画出这个心智模型:
新缸中之脑
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2022-04-04 07:56
数字孪生
ue4
以太坊
数字货币
IR2130与
MOSFET
驱动电路分析
1.IR2130与MOS管总体驱动框图2.IR2130芯片简单介绍是一款很老的片子。IR公司推出的IR21xx系列集成芯片是MOS、IGBT功率器件专用栅极驱动芯片,通过自举电路工作原理,使其既能驱动桥式电路中低压侧的功率器件,又能驱动高压侧的功率元件,因而在电机控制、伺服驱动、UPS电源等方面得到广泛应用。这些器件集成了特有的负电压免疫电路,提高了系统耐用性和可靠性,有些器件不仅有过流、过温检测
小幽余生不加糖
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2022-03-23 08:47
方案分析
技术笔记
经验分享
学习
硬件工程
电力电子
详解电流驱动电流检测电路
让我们首先探究其基本概念,它是一个运算放大器和
MOSFET
电流源(注意,如果您不介意基极电流会导致1%左右的误差,也可以使用双极晶体管)。图1A显示了一个基本的运算放大器电流源电路。
中信华电子
·
2022-02-20 18:33
2019-07-03
晶体管FQP3P50参数资料:FET类型:P沟道技术:
MOSFET
(金属氧化物)漏源电压(Vdss):500V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.7A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn
鲜花插在牛粪上
·
2022-02-10 23:40
MOS管损坏类型:雪崩坏?发热坏?内置二极管坏?
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率
MOSFET
的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
ltqshs
·
2022-02-04 16:33
电路设计
MOS
硬件工程
单片机
嵌入式硬件
模电(课外作业)
下图是由LM555定时器和
MOSFET
构成的简易调光灯电路。
糖FZ+L耗
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2021-10-30 09:44
模电
嵌入式硬件
灵动微MM32SPIN系列MCU白色家电应用方案
驱动MCU提供了集成电源的功能,预驱、LDO以及
MOSFET
等丰富的
·
2021-10-11 17:42
单片机
n沟道mos管9926贴片sop-8低压mos芯片
9926mos管是性能很高的沟槽N沟道
MOSFET
,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷,9926mos管符合RoHS和绿色产品要求,并获得全面的功能可靠性认证
骊微电子
·
2021-06-22 14:13
4842 mos管sop-8场效应管双N沟道
MOSFET
4842是一款常见的金氧半场效晶体管(
MOSFET
),广泛应用于各种模拟电路与数字电路中。最大耗散功率为2000(mW)。4842mos管由沟槽加工技术设计而成实现极低的导通电阻。
骊微电子
·
2021-05-17 01:39
PN8308H高性能3A同步整流芯片
随着DoE六级能效及CoCV5Tier2的实施,同步整流取代肖特基已成为大势所趋,骊微电子代理的PN8308H采用通态电阻极低的专用功率
MOSFET
,来取代整流二极管以降低整流损耗的,从而提高转换效率,
骊微电子
·
2021-05-09 16:06
什么是固态继电器?(2)--固态继电器的分类
DC型固态继电器使用功率半导体晶体管作为开关元件(例如BJT,
MOSFET
,IGBT)来控制DC负载电源的ON/OFF状态,而AC型固态继电器则使用晶闸管(例如(例如Tri
惠木工业
·
2021-05-05 05:17
灵动微MM32SPIN423C低压单片式电机驱动MCU
驱动MCU提供了集成电源的功能,预驱、LDO以及
MOSFET
等
·
2021-03-25 16:50
单片机
输入5V升压IC
输入电压范围可由低2V伏特到24伏特,升压可达28V可调,且内部集成极低RDS内阻100豪欧金属氧化物半导体场效应晶体管的(
MOSFET
),可实现高达2A大电流。
航誉微
·
2020-12-27 23:17
升压IC
升压芯片
输入电压范围可由低2V伏特到24伏特,升压可达28V可调,且内部集成极低RDS内阻100豪欧金属氧化物半导体场效应晶体管的(
MOSFET
),可实现高达2A大电流。
航誉微
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2020-12-27 11:48
升压IC
MCU缺货难道只是ST的锅?
驱动IC涨价,
MOSFET
涨价,电源IC涨价,一波接一波的涨价,点燃了所有人的情绪。还没等众人从涨价、不放假的消息中缓过神来。
英尚微电子
·
2020-12-24 17:09
单片机
stm
ad导出元件清单_2020年全国大学生电子设计竞赛校内赛元件清单
2020年全国大学生电子设计竞赛校内赛元件清单电源类(电气学院)A题转接板(sop8和sop16)电源管理芯片洞洞板高频电感高频磁芯漆包线(1.0mm2)滑线变阻器大功率电阻
mosfet
(大电流低内阻)
liu威
·
2020-12-12 22:26
ad导出元件清单
5v升压充电12.6V升压型三节锂电池充电控制集成电路
当接通输入电源后,FS4067进入充电状态,控制片外N沟道
MOSFET
导通,电感电流上升,当上升到外部电流检测电阻设置的上限时,片外N沟道
深圳市泛海微电子公司博客
·
2020-10-16 00:29
MCU技术编程
本土半导体功率器件设计企业新洁能上市 三季报营收净利双增
据了解,新洁能的主营业务为
MOSFET
、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。产品主要应用于消
经济观察报
·
2020-09-29 08:58
2020/7/19学习笔记
MOS管
MOSFET
管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,即通常被称作的PMOS
hanlinxu
·
2020-09-17 16:57
学习
半导体器件-----短沟道效应
MOSFET
的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的,这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。
zer1123
·
2020-09-17 00:48
电子元器件简介——场效应管篇
场效应管分成的JFET(结型场效应管)和
MOSFET
(金属氧化物半导体场效应管)两大类。
紫枫灬
·
2020-09-16 22:30
模电知识
场效应管简介
高压
MOSFET
控制器简化非隔离开关的设计
在许多应用中,在小封装中需要由AC电源供电的离线切换器,或者必须占用系统主板上的小空间。这些可以从家用智能电表、家用电器能耗监视器、高功率因数照明应用中的低成本离线LED驱动器的范围,以满足总谐波失真(THD)、EMC和安全的国际要求。更高的效率和输出电流能力是设备制造商迁移到交换机的更令人信服的原因。这些好处将有助于OEM满足降低电力消耗的法规要求,同时满足更大电流的需求。然而,其他开关的优点,
A奉献经验
·
2020-09-15 21:37
电子技术
仿真环路稳定性的几种方法
器件放置在要测量的反馈回路中,极性是任意的,但位置很重要,
MOSFET
的栅极通常是一个好位置。下图显示了测试电路中的probe:用
模拟ic学习
·
2020-09-15 19:02
【上证微路演】新洁能(605111)IPO网上行
权威、深度、实用的财经资讯都在这里路演花絮新洁能专业从事
MOSFET
、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售,并不断延伸产业链自建先进封装测试厂和研发中心。
上海证券报
·
2020-09-15 00:00
用于反激和准谐振的同步整流器MST1692DS
MST1692DS是集成了40V耐压、18mΩ内阻
MOSFET
的同步整流二极管,用于替换反激式转换器的整流二极管,能够显著减少发热,提升系统的转换效率。
IC00123
·
2020-09-14 22:27
同步整流器
MST1692DS
推挽电路
推挽电路是由两个三极管或
MOSFET
,以推挽方式存在于电路中,电路工作时,两只对称的开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力,又提高开关速度。
Tiger-Li
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2020-09-12 19:27
PLC
MOSFET
选型注意事项及应用实例
MOSFET
广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。
MOSFET
的优势在于:首先驱动电路比较简单。
小王的修行路
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2020-09-11 22:51
格州每天工作记录
CREE第二代SiC
MOSFET
驱动电路原理图及PCB板设计)
驱动电路原理图及PCB板设计电路原理图光耦隔离电路和功率放大电路原理图隔离电源电路原理图PCBlayout第一层layout第二层layout(负电层)第三层layout(负电层)第四层layout小技巧
MOSFET
逆变高压
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2020-09-11 22:45
电力电子
系统解析开关电源中的MOS管--15大知识点!
功率
MOSFET
的正向导通等效电路(1):等效电路(2):说明:功率
MOSFET
正向导通时可用一电阻等效,该电阻与温度有关,温度升高,该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关,驱动电压升高,该电阻变小。
henryzpeng
·
2020-09-11 21:32
后
MOSFET
时代,TFET是芯片的新选择?
我们所处的这个由永远在线的个人电脑、平板电脑和智能手机构成的世界的诞生,要归功于一个了不起的趋势:金属氧化物半导体场效应晶体管(
MOSFET
)的不断微型化。
weixin_34326558
·
2020-08-25 17:50
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