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MOSFET
MOSFET
驱动电路应用实例
HOMSEMIPOWERMOSFET驱动电路应用实例1.主要参数及特性
MOSFET
是由电压控制型器件,输入栅极电压VG控制着漏极电流ID,即一定条件下,漏极电流ID取决于栅极电压VG。
zhoujk0520
·
2020-08-20 09:09
电子器件应用
MOSFET
与
MOSFET
驱动电路原理及应用
下面是我对
MOSFET
及
MOSFET
驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。
zhoujk0520
·
2020-08-20 09:09
电子器件应用
MOSFET
管开关电路基本知识总结
般来讲,三极管是电流驱动的,
MOSFET
是电压驱动的,因为我是用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用
MOSFET
做,这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题
xueleilei123
·
2020-08-20 09:46
模拟电子
详细讲解
MOSFET
管驱动电路(转)
作者:来源:电源网关键字:
MOSFET
结构开关驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。
weixin_33719619
·
2020-08-20 08:42
MOSFET
及
MOSFET
驱动电路总结
下面是我对
MOSFET
及
MOSFET
驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构
MOSFET
管是FET的一种(
wzq666
·
2020-08-20 07:59
MOSFET
参数理解
最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS最大漏-源电压在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压
jtdeng1021
·
2020-08-20 06:00
电源分享
场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数
IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管
MOSFET
(MetalOxide
gdaswater
·
2020-08-20 06:29
ELECTRONIC
CIRCUIT
N沟道增强型场效应晶体管NCE75H11
产品型号:NCE75H11产品种类:
MOSFET
产品特性:N沟道增强型场效应晶体管漏源极击穿电压(最大):75V连续漏极电流(最大):110A功率耗散(最大):210W栅源极击穿电压:25V漏源导通电阻
chiaixian2107
·
2020-08-20 06:00
MOS场效应管基本知识
场效应管可以分成两大类,一类是结型场效应管(JFET),另一类是绝缘栅场效应管(
MOSFET
)。在如果你在某宝里搜索“场效应管”你会发现,搜索出来的基本上是绝缘栅场效
张巧龙
·
2020-08-20 06:39
场效应管(FET)分类、符号、特性曲线
场效应管分结型(JFET)、绝缘栅型(
MOSFET
)两大类。
碎碎思
·
2020-08-20 06:30
电路小常识
MOS管驱动电路设计秘籍(工作原理+电路设计+问题总结)
+例程源码)链接:https://pan.baidu.com/s/1UGmuOz9SR-tEfYMMuqcUMA提取码:qe91回复可见解压码MOS管驱动电路设计秘籍(工作原理+电路设计+问题总结)/
MOSFET
WUAILINA
·
2020-08-20 05:03
浅谈
MOSFET
驱动电路
MOSFET
因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。
MOSFET
的驱动常根据电源IC和
MOSFET
的参数选择合适的电路。下面一起探讨
MOSFET
用于开关电源的驱动电路。
白小白ani
·
2020-08-20 05:43
硬件电路
MOS管
硬件电路
音频功率放大器
D类放大器比AB类放大器效率高得多,因为输出级的
MOSFET
管可从极高阻抗转变为极低阻抗,从而在作用区的操作时间只有几个ns。利用上述技术原理,输出级的损率变得极低。
GiveUping
·
2020-08-20 05:03
Circuit
design
summary
MOS管三个工作状态
MOS管三个工作状态##MOS管三个工作状态#
MOSFET
工作区域的判定方法(NMOS):当VgsVth且VdsVth且Vds>Vgs-Vth时,饱和区(恒流区)。
小白流浪记
·
2020-08-20 05:27
电路
集电极开路、漏极开路、上拉电阻、下拉电阻等接口相关基本概念
漏极开路电路概念中提到的“漏”是指
MOSFET
的漏极。同理,集电极开路电
weixin_33805743
·
2020-08-20 02:02
推挽输出、开漏输出、OC、OD、线或、线与、竞争、冒险、毛刺【基本概念,常看看】
其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.要实现“线与”需要用OC(opencollector)门电路.是两个参数相同的三极管或
MOSFET
wq_T
·
2020-08-20 00:53
运放的主要参数详细介绍
晶体管分类:双极性晶体管:NPN和PNP管;单极性晶体管:场效应管(
MOSFET
和JFET)2.分类按照电源种类分,可以分为单电源运放和双电源运放;按照输入
千里沽山
·
2020-08-18 17:41
硬件知识
开关电源基础(一)
开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和
MOSFET
构成。
Pandas00
·
2020-08-18 17:10
硬件电路
常用的电平转换方案
(1)晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或
MOSFET
,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。(2)OC/OD器件+上拉电阻法跟1)类似。
shawn_____
·
2020-08-18 15:06
精通开关电源设计(一)
2.
MOSFET
的寄生参数(电容)是限制其开关速度(转换时间)的重要因素。3.有些损耗从本质上与频率无关(如导通损耗)。实际上,其他损耗几乎都随频率的升高而成比例的增加,如交叉损耗。
Tongji_joie
·
2020-08-18 14:01
开关电源设计
开关电源
开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和
MOSFET
构成。
weixin_30929011
·
2020-08-18 13:14
常用的电平转换方案(74HC245、74LVC4245等)
原文地址::http://blog.sina.com.cn/s/blog_5f39a4380100dh62.html(1)晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或
MOSFET
,C/D极接一个上拉电阻到正电源
jinn
·
2020-08-18 11:13
电路
原件
专业小知识
电平转换小结
工作
通讯
测试
MOS管:沟道分析
MOSFET
的工作就是通过控制MOS的半导体表面势阱——反型层(导电沟
Chipei Kung
·
2020-08-18 10:14
FETBasicStudy
FET细解:FET(IGFET、JFET、MESFET)、IGFET(
MOSFET
/MISFET、HFET)、HFET(MODFET、HIGFET)
FET(FieldEffectTransistor)结构场效应晶体管,由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管,区别于双极型晶体管(如三极管)。它属于电压控制型半导体器件,与双极型晶体管和功率晶体管是同一阶层的王者。按照一般分类标准有,结型场效应管(junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)两种结构的
Chipei Kung
·
2020-08-18 10:14
FETBasicStudy
关于
mosfet
的点点滴滴
2、金属氧化物膜用你与电气隔离,形成电场不形成电流,因此
mosfet
也就是电压控制的3、寄生电容越是高品质的寄生电容,金属氧化膜也就约薄,形成寄生电容越大。
没有水杯和雨伞的工科男
·
2020-08-18 05:40
求职
硬件开发
浅谈半导体工艺变革
浅谈半导体工艺变革
MOSFET
基础 纯净的硅中所有的价电子都参与了成键(下图(a)),里面没有自由电子是很少的,所以是电的不良导体。
yetwanng
·
2020-08-17 19:47
从原理的视角,一文彻底区分MOS
MOSFET
NMOS PMOS CMOS
从原理的视角,一文彻底区分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS傻傻分不清由基础说起
MOSFET
登场NMOS电路抽象PMOS电路抽象什么是CMOS双向导通开关MOS管本文为原创作品,转载请注明出处!
malcolm_110
·
2020-08-16 19:48
电路基础
Analog-BJT, JFET,
MOSFET
的噪声分析
(1)双极型晶体管(BJT)的噪声来源晶体管本身产生的噪声,与p-n结二极管的噪声类似(因为它们都是少数载流子工作的器件),也主要有三种,即热噪声(Johnson噪声)、散粒噪声和闪变噪声(1/f噪声)。热噪声和散粒噪声都是与频率无关的白噪声。①热噪声。这是由于载流子的热运动而产生的电流起伏及其在电阻上产生的电压起伏。因此,热噪声既与温度T有关,也与电阻R有关。对于BJT,各个区域材料的体电阻以及
weixin_30345577
·
2020-08-16 02:22
推挽输出与开漏输出的区别【转】
其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.要实现线与需要用OC(opencollector)门电路.是两个参数相同的三极管或
MOSFET
wwb_byt
·
2020-08-15 12:06
学科理论
绝缘栅双极晶体管IGBT
而电力
MOSFET
是单极型电压驱动器件,开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单。
Andres_Lionel
·
2020-08-14 03:25
电力电子技术
关于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
IGBT融合了BJT和
MOSFET
的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过
OnePlusZero
·
2020-08-14 03:24
Semiconductor
[收藏]一些电平转换方法
我是搞研发的~我说说所有的电平转换方法,你自己参考~(1)晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或
MOSFET
,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。
ahch8077
·
2020-08-14 03:08
IGBT基础与运用
IGBT基础与运用IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由
MOSFET
(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有
MOSFET
器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点
Unique_Eric
·
2020-08-14 02:58
硬件基础知识
IGBT
奇怪吧,它到底是
MOSFET
还是BJT?其实都不是又都是。不绕圈子了,他就是
MOSFET
和BJT的组合体。
qicaipiao
·
2020-08-14 02:26
电子基础
MOS 管 场效应管 应用
Vgs:指g和s之耐压值,一般为±20V.Vgs(th):
MOSFET
开始ON时的输入电压值.Vgs(th)这个值很关键,选MOS时一定要注意。---MOS管和三极管在功能上有什么区别?
EmbededCoder
·
2020-08-13 19:56
硬件电路
MOS管开关时的米勒效应
一、
MOSFET
的开通过程
MOSFET
的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对
MOSFET
的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程,当给栅极施加驱动电压后,
MOSFET
开通过程会分为4个阶段,其中
qlexcel
·
2020-08-13 16:17
开关电源
器件&传感器
MOSFET
开时米勒平台的形成过程的详细解析!
适配器设计计算23步骤点击打开链接闲话少说,那个,先来一张
MOSFET
的符号图:为了描述方便,放一个boost电路先:其中S就是我们的
MOSFET
啦。
feiyingzaishi
·
2020-08-13 14:48
模拟电路
电机控制
「MOS管知识汇总」分类、区分、寄生二极管、导通条件、开关电路、串联电阻、米勒效应
文章目录一、分类二、区分三、寄生二极管四、导通条件五、基本开关电路六、与三极管比较七、GS串联电阻八、G极串联电阻十、米勒效应1.概述2.产生原因一、分类场效应管分为结型(JFET)和金属-氧化物-半导体型(
MOSFET
记得诚
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2020-08-13 11:24
#
电子元件
STM32中GPIO的8种工作模式!
推挽电路是两个参数相同的三极管或
MOSFET
,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。
xiaoke5177
·
2020-08-11 15:41
STM32
常用的电平转换方案(74HC245、74LVC4245等)
作者:barbby转自:http://blog.sina.com.cn/s/blog_5f39a4380100dh62.html)晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或
MOSFET
,C/D极接一个上拉电阻到正电源
老瓦
·
2020-08-11 14:35
数字电路
模拟电子技术之场效应三极管及其放大电路
金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管
MOSFET
基本共源极放大电路图解分析法小信号模型分析法共漏极和共栅极放大电路1.金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管场效应管是一种具有放大作用的元件,它是构成放大电路的基本器件
Mr.郑先生_
·
2020-08-11 01:05
模拟电子技术
AO3400的参数
AO3400是N型MOS管,AO3401是P型MOS管简要介绍:AO3400结合了先进的沟槽
MOSFET
技术与低电阻封装提供极低的RDS(上),适合作为负载开关或在PWM应用。
阿兰你在哪
·
2020-08-09 11:22
笔记
单片机I/O口推挽输出与开漏输出的区别(open-drain与push-pull)
推挽(push-pull):推挽输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的
MOSFET
,当Q1导通、Q2截止时输出高电平;而当Q1截止导通、Q2导通时输出低电平。一个导通另一个就截止。
zzwdkxx
·
2020-08-09 04:02
单片机
开漏(open drain)和开集(open collector)的概念
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指
MOSFET
的漏极。同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以
MOSFET
的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。
你来吻
·
2020-08-09 04:08
电子电路
【(转)整理】open-drain, push-pull,
MOSFET
, MOS管,三极管等基础知识
【open-drain与push-pull】GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull)。对此两种模式,有何区别和联系,下面整理了一些资料,来详细解释一下:图表1Push-Pull对比Open-DrainPush-Pull推挽输出Open-Drain开漏输出原理输出
xiaxi
·
2020-08-09 03:39
仓库
DSP C2000系列TMS320F28335学习之EPWM
前言PWM脉宽调制技术在控制领域中是非常常用的技术,电机控制、电源控制等都是通过PWM进行驱动IGBT或
MOSFET
等开关器件进行相关控制的。
lhm8013
·
2020-08-09 01:23
DSP
TPS54331 芯片手册 简介
概述TPS54331器件是一款28V,3A非同步降压转换器,集成了低RDS(on)高端
MOSFET
。为了提高轻载时的效率,自动激活脉冲跳跃Eco模式功能。
wonull
·
2020-08-08 22:44
Open drain & push pull 原理
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指
MOSFET
的漏极。同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以
MOSFET
的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。
tjuchenzj
·
2020-08-08 21:20
硬件
GPIO和open-drain, push-pull,
MOSFET
, MOS管,三极管等基础知识
【open-drain与push-pull】GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull)。对此两种模式,有何区别和联系,下面整理了一些资料,来详细解释一下:图表1Push-Pull对比Open-DrainPush-Pull推挽输出Open-Drain开漏输出原理输出
qq_42282258
·
2020-08-08 20:42
基本电路硬件知识
Open-Drain&Push-Pull
对此两种模式,有何区别和联系,下面整理了一些资料,来详细解释一下:一、Push-Pull推挽输出1、原理输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的
MOSFET
:当Q1导通、Q2截止时输出高电平;而当Q1截止导通
Christal_RJ
·
2020-08-08 20:40
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