MOSFET 第9页

2020/7/19学习笔记

MOS管 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，即通常被称作的PMOS

hanlinxu·2020-09-17 16:57

半导体器件-----短沟道效应

MOSFET的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的，这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。

zer1123·2020-09-17 00:48

电子元器件简介——场效应管篇

场效应管分成的JFET（结型场效应管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）两大类。

紫枫灬·2020-09-16 22:30

高压MOSFET控制器简化非隔离开关的设计

在许多应用中，在小封装中需要由AC电源供电的离线切换器，或者必须占用系统主板上的小空间。这些可以从家用智能电表、家用电器能耗监视器、高功率因数照明应用中的低成本离线LED驱动器的范围，以满足总谐波失真(THD)、EMC和安全的国际要求。更高的效率和输出电流能力是设备制造商迁移到交换机的更令人信服的原因。这些好处将有助于OEM满足降低电力消耗的法规要求，同时满足更大电流的需求。然而，其他开关的优点，

A奉献经验·2020-09-15 21:37

仿真环路稳定性的几种方法

器件放置在要测量的反馈回路中，极性是任意的，但位置很重要，MOSFET的栅极通常是一个好位置。下图显示了测试电路中的probe：用

模拟ic学习·2020-09-15 19:02

【上证微路演】新洁能(605111)IPO网上行

权威、深度、实用的财经资讯都在这里路演花絮新洁能专业从事MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，并不断延伸产业链自建先进封装测试厂和研发中心。

上海证券报·2020-09-15 00:00

用于反激和准谐振的同步整流器MST1692DS

MST1692DS是集成了40V耐压、18mΩ内阻MOSFET的同步整流二极管，用于替换反激式转换器的整流二极管，能够显著减少发热，提升系统的转换效率。

IC00123·2020-09-14 22:27

推挽电路

推挽电路是由两个三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，电路工作时，两只对称的开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力，又提高开关速度。

Tiger-Li·2020-09-12 19:27

MOSFET选型注意事项及应用实例

MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于：首先驱动电路比较简单。

小王的修行路·2020-09-11 22:51

CREE第二代SiC MOSFET驱动电路原理图及PCB板设计)

驱动电路原理图及PCB板设计电路原理图光耦隔离电路和功率放大电路原理图隔离电源电路原理图PCBlayout第一层layout第二层layout（负电层）第三层layout（负电层）第四层layout小技巧MOSFET

逆变高压·2020-09-11 22:45

系统解析开关电源中的MOS管--15大知识点！

功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率MOSFET正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。

henryzpeng·2020-09-11 21:32

后MOSFET时代，TFET是芯片的新选择？

我们所处的这个由永远在线的个人电脑、平板电脑和智能手机构成的世界的诞生，要归功于一个了不起的趋势：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的不断微型化。

weixin_34326558·2020-08-25 17:50

半导体词汇

waferacceptancetesting)2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCESS：一个EDA（EngineeringDataAnalysis）系统4.Acid：酸5.Activedevice：有源器件，如MOSFET

duanxingheng·2020-08-24 19:49

Matlab 建立全桥DCDC模型

在Simulink中选取DCVoltagesource、Mosfet、LinearTransformer、Diode、SeriesRLCBranch、

云在青天水在瓶（Q835304205）·2020-08-23 01:32

张飞硬件设计与开发第四部

MOSFET管的导通电压Vgs直接可以接电压源，不需要串接电阻保护，升压越快则更短的时间经过米勒区间，发热量会减少巧妙的推挽电路使的MOSFET快速的开关，无串宏现象，结构简单实用放大器的静态工作点Q

叶知秋霜·2020-08-21 12:40

三极管NPN和PNP开关电路

1.简述三极管开关属于电流控制开关，Ib控制Ic，与MOSFET管电压控制相反：NPN和PNP的电流方向、电压极性相反。1）NPN:以B→E电流控制C→E电流。

weixin_30449239·2020-08-21 10:35

高端驱动和低端驱动

一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET，N型MO

wayxl184·2020-08-21 10:21

高端驱动与低端驱动对比

一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET，N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动，驱动电流很小，驱动功耗低，而且工作频率可以很高，适用于高速控制，另外MOSFET的导通内阻很低，在毫欧级别，可以通过的稳定电流很大

青春很烂漫·2020-08-21 07:37

H桥电机驱动基本原理

目前一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动，如下图1所示，要做好驱动电路，必须得了解清楚MOSFET的一些原理，才不会出错。

whereismatrix·2020-08-21 07:13

推挽输出与开漏输出的区别

其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.要实现线与需要用OC(opencollector)门电路.是两个参数相同的三极管或MOSFET

简斯易达·2020-08-21 03:41

MOSFET驱动电路应用实例

HOMSEMIPOWERMOSFET驱动电路应用实例1.主要参数及特性MOSFET是由电压控制型器件，输入栅极电压VG控制着漏极电流ID，即一定条件下，漏极电流ID取决于栅极电压VG。

zhoujk0520·2020-08-20 09:09

MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

zhoujk0520·2020-08-20 09:09

MOSFET管开关电路基本知识总结

般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的,因为我是用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用MOSFET做,这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题

xueleilei123·2020-08-20 09:46

详细讲解MOSFET管驱动电路（转）

作者：来源：电源网关键字：MOSFET结构开关驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。

weixin_33719619·2020-08-20 08:42

MOSFET及MOSFET驱动电路总结

下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(

wzq666·2020-08-20 07:59

MOSFET参数理解

最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压

jtdeng1021·2020-08-20 06:00

场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数

IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET（MetalOxide

gdaswater·2020-08-20 06:29

N沟道增强型场效应晶体管NCE75H11

产品型号：NCE75H11产品种类：MOSFET产品特性：N沟道增强型场效应晶体管漏源极击穿电压（最大）：75V连续漏极电流（最大）：110A功率耗散（最大）：210W栅源极击穿电压：25V漏源导通电阻

chiaixian2107·2020-08-20 06:00

MOS场效应管基本知识

场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。在如果你在某宝里搜索“场效应管”你会发现，搜索出来的基本上是绝缘栅场效

张巧龙·2020-08-20 06:39

场效应管（FET）分类、符号、特性曲线

场效应管分结型（JFET）、绝缘栅型(MOSFET)两大类。

碎碎思·2020-08-20 06:30

MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）

+例程源码）链接：https://pan.baidu.com/s/1UGmuOz9SR-tEfYMMuqcUMA提取码：qe91回复可见解压码MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/MOSFET

WUAILINA·2020-08-20 05:03

浅谈MOSFET驱动电路

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。

白小白ani·2020-08-20 05:43

音频功率放大器

D类放大器比AB类放大器效率高得多，因为输出级的MOSFET管可从极高阻抗转变为极低阻抗，从而在作用区的操作时间只有几个ns。利用上述技术原理，输出级的损率变得极低。

GiveUping·2020-08-20 05:03

MOS管三个工作状态

MOS管三个工作状态##MOS管三个工作状态#MOSFET工作区域的判定方法（NMOS）：当VgsVth且VdsVth且Vds>Vgs-Vth时，饱和区(恒流区)。

小白流浪记·2020-08-20 05:27

集电极开路、漏极开路、上拉电阻、下拉电阻等接口相关基本概念

漏极开路电路概念中提到的“漏”是指MOSFET的漏极。同理，集电极开路电

weixin_33805743·2020-08-20 02:02

推挽输出、开漏输出、OC、OD、线或、线与、竞争、冒险、毛刺【基本概念，常看看】

其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.要实现“线与”需要用OC(opencollector)门电路.是两个参数相同的三极管或MOSFET

wq_T·2020-08-20 00:53

运放的主要参数详细介绍

晶体管分类：双极性晶体管：NPN和PNP管；单极性晶体管：场效应管（MOSFET和JFET）2.分类按照电源种类分，可以分为单电源运放和双电源运放；按照输入

千里沽山·2020-08-18 17:41

开关电源基础（一）

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。

Pandas00·2020-08-18 17:10

常用的电平转换方案

(1)晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或MOSFET，C/D极接一个上拉电阻到正电源，输入电平很灵活，输出电平大致就是正电源电平。(2)OC/OD器件+上拉电阻法跟1)类似。

shawn_____·2020-08-18 15:06

精通开关电源设计（一）

2.MOSFET的寄生参数（电容）是限制其开关速度（转换时间）的重要因素。3.有些损耗从本质上与频率无关（如导通损耗）。实际上，其他损耗几乎都随频率的升高而成比例的增加，如交叉损耗。

Tongji_joie·2020-08-18 14:01

开关电源

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。

weixin_30929011·2020-08-18 13:14

常用的电平转换方案（74HC245、74LVC4245等）

原文地址：：http://blog.sina.com.cn/s/blog_5f39a4380100dh62.html(1)晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或MOSFET，C/D极接一个上拉电阻到正电源

jinn·2020-08-18 11:13

MOS管：沟道分析

MOSFET的工作就是通过控制MOS的半导体表面势阱——反型层（导电沟

Chipei Kung·2020-08-18 10:14

FET细解：FET(IGFET、JFET、MESFET)、IGFET(MOSFET/MISFET、HFET)、HFET(MODFET、HIGFET)

FET(FieldEffectTransistor)结构场效应晶体管，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，区别于双极型晶体管（如三极管）。它属于电压控制型半导体器件，与双极型晶体管和功率晶体管是同一阶层的王者。按照一般分类标准有，结型场效应管（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）两种结构的