MOSFET

关于IGBT(绝缘栅双极型晶体管）

IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过
OnePlusZero·2020-08-14 03:24

[收藏]一些电平转换方法

我是搞研发的～我说说所有的电平转换方法，你自己参考～(1)晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或MOSFET，C/D极接一个上拉电阻到正电源，输入电平很灵活，输出电平大致就是正电源电平。
ahch8077·2020-08-14 03:08

IGBT基础与运用

IGBT基础与运用IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点
Unique_Eric·2020-08-14 02:58

IGBT

奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT？其实都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。
qicaipiao·2020-08-14 02:26

MOS 管 场效应管 应用

Vgs:指g和s之耐压值,一般为±20V.Vgs(th):MOSFET开始ON时的输入电压值.Vgs(th)这个值很关键，选MOS时一定要注意。---MOS管和三极管在功能上有什么区别？
EmbededCoder·2020-08-13 19:56

MOS管开关时的米勒效应

一、MOSFET的开通过程MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程，当给栅极施加驱动电压后，MOSFET开通过程会分为4个阶段，其中
qlexcel·2020-08-13 16:17

MOSFET开时米勒平台的形成过程的详细解析！

适配器设计计算23步骤点击打开链接闲话少说，那个，先来一张MOSFET的符号图：为了描述方便，放一个boost电路先：其中S就是我们的MOSFET啦。
feiyingzaishi·2020-08-13 14:48

「MOS管知识汇总」分类、区分、寄生二极管、导通条件、开关电路、串联电阻、米勒效应

文章目录一、分类二、区分三、寄生二极管四、导通条件五、基本开关电路六、与三极管比较七、GS串联电阻八、G极串联电阻十、米勒效应1.概述2.产生原因一、分类场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET
记得诚·2020-08-13 11:24

STM32中GPIO的8种工作模式！

推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。
xiaoke5177·2020-08-11 15:41

常用的电平转换方案（74HC245、74LVC4245等）

作者：barbby转自：http://blog.sina.com.cn/s/blog_5f39a4380100dh62.html)晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或MOSFET，C/D极接一个上拉电阻到正电源
老瓦·2020-08-11 14:35

模拟电子技术之场效应三极管及其放大电路

金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管MOSFET基本共源极放大电路图解分析法小信号模型分析法共漏极和共栅极放大电路1.金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管场效应管是一种具有放大作用的元件,它是构成放大电路的基本器件
Mr.郑先生_·2020-08-11 01:05

AO3400的参数

AO3400是N型MOS管，AO3401是P型MOS管简要介绍：AO3400结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装提供极低的RDS(上)，适合作为负载开关或在PWM应用。
阿兰你在哪·2020-08-09 11:22

单片机I/O口推挽输出与开漏输出的区别（open-drain与push-pull）

推挽（push-pull）:推挽输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET，当Q1导通、Q2截止时输出高电平；而当Q1截止导通、Q2导通时输出低电平。一个导通另一个就截止。
zzwdkxx·2020-08-09 04:02

开漏（open drain）和开集（open collector）的概念

所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。
你来吻·2020-08-09 04:08

【(转)整理】open-drain, push-pull，MOSFET, MOS管，三极管等基础知识

【open-drain与push-pull】GPIO的功能，简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。但是在配置GPIO管脚的时候，常会见到两种模式：开漏（open-drain，漏极开路）和推挽（push-pull）。对此两种模式，有何区别和联系，下面整理了一些资料，来详细解释一下：图表1Push-Pull对比Open-DrainPush-Pull推挽输出Open-Drain开漏输出原理输出
xiaxi·2020-08-09 03:39

DSP C2000系列TMS320F28335学习之EPWM

前言PWM脉宽调制技术在控制领域中是非常常用的技术，电机控制、电源控制等都是通过PWM进行驱动IGBT或MOSFET等开关器件进行相关控制的。
lhm8013·2020-08-09 01:23

TPS54331 芯片手册 简介

概述TPS54331器件是一款28V，3A非同步降压转换器，集成了低RDS（on）高端MOSFET。为了提高轻载时的效率，自动激活脉冲跳跃Eco模式功能。
wonull·2020-08-08 22:44

Open drain & push pull 原理

所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。
tjuchenzj·2020-08-08 21:20

GPIO和open-drain, push-pull，MOSFET, MOS管，三极管等基础知识

【open-drain与push-pull】GPIO的功能，简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。但是在配置GPIO管脚的时候，常会见到两种模式：开漏（open-drain，漏极开路）和推挽（push-pull）。对此两种模式，有何区别和联系，下面整理了一些资料，来详细解释一下：图表1Push-Pull对比Open-DrainPush-Pull推挽输出Open-Drain开漏输出原理输出
qq_42282258·2020-08-08 20:42

Open-Drain&Push-Pull

对此两种模式，有何区别和联系，下面整理了一些资料，来详细解释一下：一、Push-Pull推挽输出1、原理输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET：当Q1导通、Q2截止时输出高电平；而当Q1截止导通
Christal_RJ·2020-08-08 20:40

Open drain & push pull 原理(转)

所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。
pan0755·2020-08-08 18:33

开漏和开集（转载）

所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。
ontheroad2535·2020-08-08 18:24

open-drain, push-pull，MOSFET, MOS管，三极管等基础知识

载自：http://bbs.chinaunix.net/thread-3577868-1-1.html整理】open-drain,push-pull，MOSFET,MOS管，三极管等基础知识版本：v20110804
风中之哨·2020-08-08 14:47

open-drain and push-pull(转)

具有开漏(OD)输出的器件是指内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET（Q1），这些器件可以用于电平转换的应用。输出电压由Vcc'决定。
asdfasdfhhh·2020-08-08 14:02

Open-drain与Totem-pole（开漏与推挽电路）

什么是开漏引脚开漏引脚是指以MOSFET的漏极作为输出的引脚。
luckfyzhang·2020-08-08 13:06

单相逆变器第三课、系统结构分析梳理

我们来详细看下系统：1、直流电源，这部分我准备用光伏阵列来搞，毕竟以后会从事光伏这方面的工作；2、逆变器，这部分就用低导通压降的MOSFET开关管来做；3、驱动电路，其实就是光耦，让
隔壁发哥·2020-08-08 12:42

AD20的一些笔记

AD20的一些笔记电路设计的金科玉律：“**电路越简单越好**”更改原理图纸大小层次原理图继电器与光耦电路继电器两触点的三触点的加个反激二极管保护MOSFET和继电器控制的区别继电器和光耦光耦优点继电器优点光耦使用方法光耦后面加继电器
fzx2020·2020-08-08 11:52

工艺增强提高电机驱动应用的IGBT效率

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种常见的电机驱动应用的选择，由于它的高阻断电压和低成本相比，功率MOSFET具有类似的电压等级。该技术允许设计变频驱动，这对节能系统很有好处。
刷脸时代·2020-08-07 18:21

JY02调试-无刷电机驱动芯片

JY02是国内研制的无刷电机驱动芯片，相比于之前的DRV11873，少了集成的MOSFET，只能通过外部扩展MOSFET驱动芯片和功率管达到功率输出的目的，虽然在电路设计上增加了复杂度，但可以极大的提高电机驱动的输出功率
一路狂奔的兔子·2020-08-04 22:37

N沟道和P沟道MOS FET开关电路

在电路中常见到使用MOSFET场效应管作为开关管使用。下面举例进行说明。
小坏坏_·2020-08-04 22:34

NMOS和PMOS区别

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管
CC攻城狮·2020-08-04 21:52

共源级放大电路偏置设计及小信号分析

转载文章来自：MOSFET理解与应用：Lec12—一篇文章搞定共源级放大电路https://baijiahao.baidu.com/s?
硬件攻城狮的秘密·2020-08-04 21:24

MC34063+MOSFET扩流 12V-5V 折腾出了高效率电路(转)

MOSFET看起来是很容易使用的一种元件，其最佳工
weixin_34320724·2020-08-04 20:43

TCON板详细介绍

逻辑板的作用是把数字板送来的LVDS或TTL图像数据信号，时钟信号进行处理移位寄存器存储将图像数据信号，时钟信号转换成屏能够识别的控制信号行列信号RSDS控制屏内的MOSFET管工作而控制液晶分子的扭曲度
weixin_33737134·2020-08-04 20:48

在Multisim里导入MOSFET 模型

转载于：http://digital.ni.com/public.nsf/allkb/e1da418dd7a5e4a1862574b800219513主要软件:主要软件版本:10.0.267主要软件修正版本:次要软件:N/A问题:如何在Multisim器件里导入以“.MODEL”声明的SPICEMOSFET模型?解答:任何以“.model”开头的SPICE模型是一种core模型，MultisimS
weixin_30360497·2020-08-04 19:51

场效晶体管MOSFET

N沟道增强型MOSFET,为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型
阴阳万物·2020-08-04 19:17

IGBT的驱动和过流保护电路的研究

IGBT的驱动和过流保护电路的研究1引言绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTramistor，IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、
tosharpCG·2020-08-04 18:02

常用的电平转换方案

原文地址：http://blogold.chinaunix.net/u/27817/showart_304150.html(1)晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或MOSFET，C/D极接一个上拉电阻到正电源
码农郭小帅·2020-08-04 18:59

开关电源输出电压不稳该如何解决？

开关电源一般多用于小型的通信基站和没有人看守的机房，一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成，做为电源产品所以必须配备电池管理，充放电管理，电压保护等功能。
qq_42792530·2020-08-04 17:10

open-drain, push-pull，MOSFET, MOS管，三极管等基础知识

【open-drain与push-pull】GPIO的功能，简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。但是在配置GPIO管脚的时候，常会见到两种模式：开漏（open-drain，漏极开路）和推挽（push-pull）。对此两种模式，有何区别和联系，下面整理了一些资料，来详细解释一下：图表1Push-Pull对比Open-DrainPush-Pull推挽输出Open-Drain开漏输出原理输出
nic_r·2020-08-04 16:58

增强型N沟道场效应管(MOSFET）的电池反接保护电路

功率场效应管(MOSFET)典型应用电路1．电池反接保护电路电池反接保护电路如图9所示。
iteye_13254·2020-08-04 14:55

一个电容引发的血案-经验教训篇

最近一直在调试ADS8364，我的系统中首先通过采样电阻采样MOSFET驱动的电磁铁的电流，采样出来是电压信号，电压信号送入隔离运放7800，在进7800之前并联了一个电容滤波，7800出来的是差分信号经过仪表放大器放大之后送入
emouse·2020-08-04 14:28

MOS管开关电路设计

原文摘录：MOS管基本知识http://www.51hei.com/bbs/dpj-31879-1.html(出处:单片机论坛)一直以来模拟电路就学的不好,好不容易把三极管了解完了,就一直没敢碰MOSFET
any__fly·2020-08-04 14:00

DC-DC BUCK中的BOOT电阻是什么？

BOOT电容的作用是SW在高电平时，利用电容两端电压不能突变特性，会将BOOT脚电压泵至比SW高的电压，维持高边MOSFET的导通状态。
记得诚·2020-08-04 11:08

DC/DC电路——自举电容（boost）的作用

DCDC电路中，偶尔存在有自举电容的情况，手册对该电容的定义如下，假如该点的电压低于MOSFET的最小开启电压，MOSFET将保持关断状态。
ma_clelo·2020-08-04 10:28

Emerging memories

MOSFET尺寸缩小原理，当Vdd、W、L、tox、NA（掺杂浓度）都变成1/k倍时，Ids=
summer_awn·2020-08-04 01:10

STM32的8种IO口的模式

推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。
溯流而上·2020-08-03 01:01

NOR Flash

大半生它能够提供完整的寻址与数据总线,并允许随机存取存储器上的任何区域,而且它可以忍受一万次到一百万次抹写循环,是早期的可移除式闪存储媒体的基础.NORFlash的原理从物理层面解释,NOR闸闪存的每个存储单元类似一个标准MOSFET
hunwo·2020-07-30 22:06

FPGA学习笔记01——数字逻辑基础

一、晶体管开关金属氧化物半导体场效应晶体管（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistors，MOSFET）。
上升沿有效·2020-07-30 16:16

电源

八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导
zr2856504·2020-07-30 13:44
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