MRAM

STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。
EVERSPIN·2020-09-17 04:31

Linux 内存取证之常识问题

/dev/mem文件只能存放896MRAM数据Fmem和LIME获取物理内存的差距Fmem创建一个字符驱动在用户区域，才可以有访问内存权限Fmem优点是可以获取到超过896M的内存数据Fmem缺点是需要调查员检查
NFMSR·2020-09-15 16:01

NVM(非易失性内存)科普篇

常见NVM：相变存储器（PCM，phasechangememory）磁阻式存储器（MRAM，Magnetoresi
uestc-leon·2020-09-12 20:34

NVM

常见NVM：相变存储器（PCM，phasechangememory）磁阻式存储器（MRAM，Magnetoresi
Andylbc·2020-09-12 20:14

Openwrt上Php+Mysql+Lighttpd的安装配置

路由器用的是TL-WDR4310,已经改为16MFLASH,128MRAM。一、安装Lighttpd1.使用如下命令安装LightHttpd。
king_jie0210·2020-09-10 22:48

用Everspin MR2xH40xDF SPI-MRAM替换赛普拉斯CY15B104QN SPI-FRAM

EVERSPIN内存Everspin是设计，制造和商业销售分立磁阻RAM（MRAM）到市场和应用的全球领导者，在这些市场和应用中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
英尚微电子·2020-08-26 23:06

比较FRAM和MRAM的区别

本篇文章由专注于供应MRAM,FRAM,SRAM等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍非易失性MRAM与FRAM之间的区别。疲劳MRAM技术使用磁态进行数据存储。
英尚微电子·2020-08-25 16:29

比较FRAM和MRAM的区别

本篇文章由专注于供应MRAM,FRAM,SRAM等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍非易失性MRAM与FRAM之间的区别。疲劳MRAM技术使用磁态进行数据存储。
英尚微电子·2020-08-25 16:03

太空应用中多功能性工业级Everspin 4Mbit MRAM

CAES是太空存储器市场的翘楚，并基于Everspin的技术交付生产级，符合太空要求的磁阻随机存取存储器（MRAM），为太空工业提供辐射硬化，高度可靠的非易失性不受单事件翻转（SEU），低压单事件闩锁（
英尚微电子·2020-08-24 17:52

Everspin MRAM解决方案的新应用程序

Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商，在包括40nm，28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM
英尚微电子·2020-08-24 16:28

everspin生态系统和制造工艺创新

everspin公司在生产嵌入式MRAM领域是行业的领先者，主要生产的MRAM有两种类型——切换MRA
英尚微电子·2020-08-24 15:59

比较FRAM和MRAM的区别

疲劳MRAM技术使用磁态进行数据存储。在两种状态之间切换磁极化不需要原子的运动，因此MRAM器件没有磨损机制。
英尚微电子·2020-08-24 14:34

非易失性存储器MRAM与FRAM的比较

MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。
英尚微电子·2020-08-22 16:45

MRAM技术随着航空航天局走向轨道

MRAM（磁性RAM）是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。
英尚微电子·2020-08-22 16:18

切换面向5G的MRAM准备

高密度MRAM作为新兴内存的潜力取代DRAM和闪存等现有设备,通常使它已经成功取代ToggleMRAM形式的成熟技术的阴影。
英尚微电子·2020-08-22 16:04

基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案

在2019全球闪存峰会上，Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMeSSD构建未来的云存储的解决方案。
英尚微电子·2020-08-22 16:28

基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案

在2019全球闪存峰会上，Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMeSSD构建未来的云存储的解决方案。
英尚微电子·2020-08-22 16:27

非易失性MRAM技术发展

切换(或场驱动)MRAM包括大部分的独立MRAM设备。然而切换MRAM的规模不足以取代大多数其他记忆。STT-MRAM产品将扩展到更高的密度，需要更低的能量写比切换MRAM。
英尚微电子·2020-08-22 15:30

当前存储器和新兴非易失性存储器技术的特点

新兴的非易失性存储器技术的制造和测试，这些技术将支持物联网，人工智能以及先进的网络开发和商业化，但首先让我们看一下当前存储器和新兴的非易失性存储器技术的特点，并了解为什么MRAM能够立足出来。
英尚微电子·2020-08-22 15:53

医用呼吸机Everspin MRAM应用笔记

EverspinTechnologies提供了一种独特的MRAM存储技术，它将为这类设备的电子系统设计带来好处。
英尚微电子·2020-08-22 15:25

太空应用中多功能性工业级Everspin 4Mbit MRAM

CAES是太空存储器市场的翘楚，并基于Everspin的技术交付生产级，符合太空要求的磁阻随机存取存储器（MRAM），为太空工业提供辐射硬化，高度可靠的非易失性不受单事件翻转（SEU），低压单事件闩锁（
英尚微电子·2020-08-22 15:49

医疗应用中的Everspin MRAM存储器

Everspin拥有包括40nm，28nm及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM生产。
英尚微电子·2020-08-22 14:35

非易失性存储器MRAM应用领域

Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
英尚微电子·2020-08-22 13:15

STT-RAM取代DRAM内存

自旋转移扭矩随机存取存储器（STT-RAM）技术希望用其下一代MRAM取代DRAM，最终取代NAND。它结合了DRAM的成本优势，SRAM的快速读写性能以及闪存的非易失性。
英尚微电子·2020-08-22 13:22

医疗设备专用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM

EverspinMR25H40-4MbSPI串行接口MRAM适用于医疗设备中的非易失存储器，例如在医用呼吸中，4Mb(MR25H40)的MRAM可用于存储操作软件程序变量。
英尚微电子·2020-08-21 15:26

非易失性存储器MRAM与FRAM的比较

MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。
英尚微电子·2020-08-21 04:02

使SPI MRAM MR10Q010适应在3.3vI/O系统中的操作

EverspinMR10Q010该存储器1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。
英尚微电子·2020-08-21 04:36

MRAM技术随着航空航天局走向轨道

MRAM（磁性RAM）是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。
英尚微电子·2020-08-21 04:13

切换面向5G的MRAM准备

高密度MRAM作为新兴内存的潜力取代DRAM和闪存等现有设备,通常使它已经成功取代ToggleMRAM形式的成熟技术的阴影。
英尚微电子·2020-08-21 04:16

Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。
英尚微电子·2020-08-21 03:33

非易失性存储器MRAM应用领域

Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
英尚微电子·2020-08-21 03:42

STT-RAM取代DRAM内存

自旋转移扭矩随机存取存储器（STT-RAM）技术希望用其下一代MRAM取代DRAM，最终取代NAND。它结合了DRAM的成本优势，SRAM的快速读写性能以及闪存的非易失性。
英尚微电子·2020-08-21 03:08

比脑力更强大的DDR SDRAM控制器

接下来由专注于代理销售SDRAM、SRAM、PSRAM、MRAM
英尚微电子·2020-08-21 03:21

非易失性MRAM技术发展

切换(或场驱动)MRAM包括大部分的独立MRAM设备。然而切换MRAM的规模不足以取代大多数其他记忆。STT-MRAM产品将扩展到更高的密度，需要更低的能量写比切换MRAM。
英尚微电子·2020-08-21 02:07

应用于医疗设备中的并行接口MRAM-MR5A16A

Everspin并行输入/输出MRAM产品的简单异步静态随机存取存储器标准JEDEC接口和QSPI/SPI接口使设计易于实现，无需额外的组件或生态系统支持。
英尚微电子·2020-08-21 02:42

应用于医疗设备中的并行接口MRAM-MR5A16A

Everspin并行输入/输出MRAM产品的简单异步静态随机存取存储器标准JEDEC接口和QSPI/SPI接口使设计易于实现，无需额外的组件或生态系统支持。
英尚微电子·2020-08-21 02:09

非易失性MRAM诞生过程

MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础，MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。
英尚微电子·2020-08-20 23:27

非易失性MRAM诞生过程

MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础，MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。
英尚微电子·2020-08-20 23:27

嵌入式等级考试常错2

内核的嵌入式处理器芯片采用系统总线与外围总线两层结构的方式构建片上系统，其中的系统总线主要用于连接高带宽快速组件2嵌入式系统的存储器以半导体存储器为主，随着技术发展，新型存储器不断出现，主要包括FRAM铁电随机存取寄存器，MRAM
位沁·2020-08-20 07:27

STT-MRAM存储器技术结构图

目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视
EVERSPIN·2020-08-20 05:11

非易失性存储器MRAM与FRAM的比较

MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。
英尚微电子·2020-08-18 13:21

非易失性存储器MRAM应用领域

MRAM和STT-MRAM其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
英尚微电子·2020-08-17 14:22

Everspin MRAM优化系统能耗

与EEPROM或闪存相比，诸如MRAM之类的技术可以显着降低系统总能耗。对于许多无线和便携式应用程序，尤其是在不断增长的物联网中，能源预算（一段时间内消耗的总功率）是至关重要的组成部分。
宇芯电子·2020-08-17 11:00

Everspin MRAM优化系统能耗

与EEPROM或闪存相比，诸如MRAM之类的技术可以显着降低系统总能耗。对于许多无线和便携式应用程序，尤其是在不断增长的物联网中，能源预算（一段时间内消耗的总功率）是至关重要的组成部分。
宇芯电子·2020-08-17 11:00

ubuntu下安装keycloak-9.0.2

一、SystemRequirements：Java8JDK512MRAM1Gdiskspacedatabase：mysql、postgresql、oracle、etc二、下载与安装1.下载keycloak
一只叫羊的羊·2020-08-16 14:09

STT结构涡轮增压MRAM

新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。
宇芯电子·2020-08-13 15:00

STT结构涡轮增压MRAM

新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。
宇芯电子·2020-08-13 15:00

STT结构涡轮增压MRAM

新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。
宇芯电子·2020-08-13 15:37

OpenWrt U盘根目录设置

手头设备参数：型号：Tp-LinkTL-WR703NROM：4MRAM：32MCPU：400MHz由于ROM只有4M，空间很有限，很多应用软件因为空间受限，无法安装。顾需找办法解决。
netsain·2020-08-11 21:52

使SPI MRAM MR10Q010适应在3.3vI/O系统中的操作

EverspinMR10Q010该存储器1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。
英尚微电子·2020-08-11 18:40
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