MRAM

Everspin MRAM串行SPI MR25H256ACDF

总览MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上将存储器阵列组织为32Kx8（SPI）总线。
宇芯电子·2020-04-27 14:17

新型存储器与传统存储器介质特性对比

目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM
宇芯电子·2020-04-24 16:21

医疗应用中的Everspin MRAM存储器

日本Nikkiso是工业，在其血液透析机中使用MRAM作为机器性能参数以及各个患者参数的数据日志，是航空航天和医疗设备市场的领导者，其工程师选择EVERSPIN4Mb和16MbMRAM产品是因为MRAM
英尚微电子·2020-04-24 13:57

研究人员开发一种新的MRAM单元结构

MRAM存储芯片可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业，军事及太空应用，这些对于MRAM存储芯片开发人员来说是重要的部分。
宇芯电子·2020-04-20 14:16

Everspin MRAM磁场抗扰度

everspinTechnologies，Inc.是设计，制造和商业销售分立和嵌入式MRAM存储器到市场和应用程序的全球领导者，在这些市场和应用程序中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
宇芯电子·2020-04-10 16:49

Everspin MR2A16Axxx35可替换赛普拉斯CY14B104NA-BA

用Everspin的MR2A16Axxx35MRAM替换赛普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XInvSRAM用MRAM替换nvSRAM的一般注意事项每次使用MRAM进行写操作都会立即保持至少20
英尚微电子·2020-04-10 14:12

Everspin Serial MRAM存储芯片MR20H40CDF

MR20H40CDF是Everspin所生产的由4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。
英尚微电子·2020-04-09 15:59

选择MRAM的理由

MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。
宇芯电子·2020-04-08 14:17

专用于工业应用的Everspin MRAM

Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
宇芯电子·2020-04-07 15:21

新型MRAM技术量产实现低功耗

在新型ram技术中，MRAM对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存-NAND闪存-低得多的功耗，同时实现非易失性数据存储。
英尚微电子·2020-04-07 11:45

MRAM的优势与劣势

MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。
宇芯电子·2020-04-07 11:36

非易失性MRAM诞生过程

MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础，MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。
英尚微电子·2020-04-03 12:24

MRAM关键工艺步骤

非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产，下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.(1)底部电极的形成(参考图1)：经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要抛光至平坦
英尚微电子·2020-03-31 11:13

超低功耗ST-MRAM内存架构

ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术，因为它是一种存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可扩展至10nm以下，并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。
宇芯电子·2020-03-27 16:16

贝尔金belkin F9K1113 AC1200路由器拆机维修

FLASH:16MRAM:128M。带两个USB接口，其中一个是USB3.0、另外一个USB2.0。有线LAN接口使用了千兆网口。
河南猫猫无线·2020-03-25 06:16

everspin生态系统和制造工艺创新

everspin公司主要生产的MRAM有两种类型——切换MRAM和STTMRAM。STTMRAM需要控
英尚微电子·2020-03-23 11:51

嵌入式MRAM关键应用与制造商

STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中，STT-MRAM具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。
英尚微电子·2020-03-20 15:01

WR703n刷OpenWRT杂记

这个小路由本身是没有什么硬件亮点的，我拿到的是被改过内存的，8MFlash+64MRam,这个配置可玩性一般，但是我在这个砖机倾注了太多的心血，在这里就当做个折腾笔记吧。
Thresh0ld·2020-03-19 07:59

为MRAM工艺打造的量测方案

在不久的将来，我们将看到嵌入式STT-MRAM(eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。
英尚微电子·2020-03-18 14:09

为MRAM工艺打造的量测方案

在不久的将来，我们将看到嵌入式STT-MRAM(eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。
英尚微电子·2020-03-18 14:56

MRAM与FRAM技术比较

MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。
英尚微电子·2020-03-10 14:47

STT-MRAM万能存储器芯片

自旋转移矩—磁随机存储器器件（SpinTransferTorque-MagneticRandomAccessMemory：STT-MRAM）就是
NETSOL·2020-02-20 15:00

STT-MRAM万能存储器芯片

自旋转移矩—磁随机存储器器件（SpinTransferTorque-MagneticRandomAccessMemory：STT-MRAM）就是
NETSOL·2020-02-20 15:00

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。
NETSOL·2020-02-19 14:00

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。
NETSOL·2020-02-19 14:00

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

everspin提供8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。
英尚微电子·2020-02-19 14:39

新型存储器以工业级规模生产

台积电近年来积极推动将嵌入式快闪存储器（eFlash）制程改成MRAM及ReRAM等新型存储器嵌入式制程，与应用材料有很深的合作关系。
NETSOL·2020-02-11 11:00

新型存储器以工业级规模生产

台积电近年来积极推动将嵌入式快闪存储器（eFlash）制程改成MRAM及ReRAM等新型存储器嵌入式制程，与应用材料有很深的合作关系。
NETSOL·2020-02-11 11:00

基于NAND闪存的SSD解决方案的STT-MRAM

作为克服现有基于NAND闪存的SSD的解决方案，Everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通过提供高速非易失性存储来提高SSD的系统性能和可靠性。机上数据。
NETSOL·2020-02-09 21:00

基于NAND闪存的SSD解决方案的STT-MRAM

作为克服现有基于NAND闪存的SSD的解决方案，everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通过提供高速非易失性存储来提高SSD的系统性能和可靠性。机上数据。
英尚微电子·2020-02-09 21:21

关于EOS RAM的一些看法

前天，Chaince交易所的吴子臻做客7MRAM微信群，直播介绍了自己投资RAM的所思。直播所有详细内容请打开下面链接。
元征·2020-02-05 11:23

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。
NETSOL·2020-02-04 14:00

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。
NETSOL·2020-02-04 14:00

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。
英尚微电子·2020-02-04 13:47

三星正在改善1Gb MRAM寿命问题

MRAM芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存以及硬盘的新型存储器介质。写入速度可达到NAND闪存的数千倍，此外其制作工艺要求低，产
NETSOL·2020-01-21 15:00

三星正在改善1Gb MRAM寿命问题

mram芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存以及硬盘的新型存储器介质。写入速度可达到NAND闪存的数千倍，此外其制作工艺要求低，产
英尚微电子·2020-01-21 15:16

Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供性能，持久性和耐用性。
NETSOL·2020-01-20 16:00

Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供了性能，持久性和耐用性。
英尚微电子·2020-01-20 16:45

Everspin串口串行mram演示软件分析

在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
NETSOL·2020-01-19 15:00

everspin非易失性存储器MR4A16B

Everspin科技公司表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。
NETSOL·2020-01-17 15:00

everspin非易失性存储器MR4A16B

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(IntegratedMagnetic)产品的领导厂商everspin公司16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。
英尚微电子·2020-01-17 15:31

到2029年MRAM收入将增长170倍

一份新市场报告预计，从2018年到2029年，独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍，达到近40亿美元的收入。
NETSOL·2020-01-16 15:00

到2029年MRAM收入将增长170倍

一份新市场报告预计，从2018年到2029年，独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍，达到近40亿美元的收入。
NETSOL·2020-01-16 15:00

到2029年MRAM收入将增长170倍

一份新市场报告预计，从2018年到2029年，独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍，达到近40亿美元的收入。
英尚微电子·2020-01-16 15:10

STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。
NETSOL·2020-01-15 14:00

STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。
NETSOL·2020-01-15 14:00

STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。
英尚微电子·2020-01-15 13:19

MRAM技术进入汽车应用

通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。
NETSOL·2020-01-14 11:00

MRAM技术进入汽车应用

通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。
NETSOL·2020-01-14 11:00

everspin MRAM在汽车市场中的应用

通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。
英尚微电子·2020-01-14 11:56
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