MRAM

企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

随着企业固态驱动器（SSD）在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进，SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同时，还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备，下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构，这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的
NETSOL·2020-01-13 11:00

企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

随着企业固态驱动器（SSD）在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进，SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同时，还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备，下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构，这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的
英尚微电子·2020-01-13 11:21

各大原厂看好MRAM发展

MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍，此外，其制作工艺要求低，良品率高，可以很好的控制成本。
NETSOL·2020-01-10 16:00

各大原厂看好MRAM发展

MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍，此外，其制作工艺要求低，良品率高，可以很好的控制成本。
英尚微电子·2020-01-10 16:26

everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者，向市场展示了其28nm单机1GbSTT-MRAM芯片。
英尚微电子·2020-01-09 14:30

everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者，向市场展示了其28nm单机1GbSTT-MRAM芯片。
NETSOL·2020-01-08 14:00

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
英尚微电子·2020-01-07 14:55

案例研究RAID控制器应用程序中的everspin mram

MRAM实时捕获事务信息，以便在发生系统故障时可以恢复数据。写入MRAM的数据日志还可以捕获系统状况和状态，以进行远程诊断和修复
英尚微电子·2020-01-07 14:52

案例研究RAID控制器应用程序中的everspin mram

MRAM实时捕获事务信息，以便在发生系统故障时可以恢复数据。写入MRAM的数据日志还可以捕获系统状况和状态，以进行远程诊断和修复
NETSOL·2020-01-06 13:00

案例研究RAID控制器应用程序中的everspin mram

MRAM实时捕获事务信息，以便在发生系统故障时可以恢复数据。写入MRAM的数据日志还可以捕获系统状况和状态，以进行远程诊断和修复
NETSOL·2020-01-06 13:00

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
NETSOL·2020-01-06 13:00

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。
NETSOL·2020-01-06 13:00

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况，时间和温度而泄漏和击穿的相反，MRAM（磁性随机存取存储器）使用1个晶体管–1个磁性隧道结（MTJ）体系结构作为MTJ
NETSOL·2019-12-31 11:00

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况，时间和温度而泄漏和击穿的相反，MRAM（磁性随机存取存储器）使用1个晶体管–1个磁性隧道结（MTJ）体系结构作为MTJ
英尚微电子·2019-12-31 11:24

everspin 4Mb串行SPI MRAM专用于智能电表

随着技术的进步，批量生产的静止式电表能以很低的成本获得强大的数据处理和存储能力，促使了小型用户电表的智能化水平得到大幅提升，静止式电表也逐步取代了传统的机电式电表。智能电表是基于现代通信技术、计算机技术、测量技术，对电能信息数据开展采集、分析、管理的先进计量装置。智能电表需要进行数据记录以进行能源管理和计费，并具有增强的可靠性，以便在恶劣环境下长期使用。另外需要长时间保留数据，以便公用事业公司可以
英尚微电子·2019-12-30 14:06

汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM

MRAM（磁阻式随机存取存储器）具有消除这种复杂性的潜力，并使KAM和NVM的管理过程更轻松，更强大。板载MRAM器件与下一代动力总成微处理器一起使用。
NETSOL·2019-12-27 15:00

汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM

MRAM（磁阻式随机存取存储器）具有消除这种复杂性的潜力，并使KAM和NVM的管理过程更轻松，更强大。板载MRAM器件与下一代动力总成微处理器一起使用。
英尚微电子·2019-12-27 15:28

航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器

TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司（ÅAC）开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据，以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4MbitMRAM（磁性随机存取存储器）芯片由EverspinTechnologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。ÅACMicr
NETSOL·2019-12-26 14:00

航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器

TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司（ÅAC）开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据，以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4MbitMRAM（磁性随机存取存储器）芯片由EverspinTechnologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。ÅACMicr
NETSOL·2019-12-26 14:00

航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器

TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司（ÅAC）开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据，以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4MbitMRAM（磁性随机存取存储器）芯片由EverspinTechnologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。ÅACMicr
英尚微电子·2019-12-26 14:52

精密MRAM芯片制造系统

MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠，由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成，部分薄膜层的厚度仅达数埃，比人类的发丝还要薄500000倍，相近于一颗原子的大小，如何控制这些薄膜层的厚度、沉积均匀性
NETSOL·2019-12-25 14:00

精密MRAM芯片制造系统

MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠，由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成，部分薄膜层的厚度仅达数埃，比人类的发丝还要薄500000倍，相近于一颗原子的大小，如何控制这些薄膜层的厚度、沉积均匀性
NETSOL·2019-12-25 14:00

最为精密的MRAM芯片制造系统

MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠，由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成，部分薄膜层的厚度仅达数埃，比人类的发丝还要薄500000倍，相近于一颗原子的大小，如何控制这些薄膜层的厚度、沉积均匀性
英尚微电子·2019-12-25 13:37

MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。
NETSOL·2019-12-24 17:00

MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。
NETSOL·2019-12-24 17:00

MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。
英尚微电子·2019-12-24 16:59

EVERSPIN非易失性存储器具吸引力嵌入式技术

相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使
NETSOL·2019-12-20 15:00

EVERSPIN非易失性存储器具吸引力嵌入式技术

相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使
NETSOL·2019-12-20 15:00

EVERSPIN非易失性MRAM具吸引力的嵌入式技术

相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使
英尚微电子·2019-12-20 13:40

everspin自旋转矩MRAM技术

MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成：自由层（freelayer），固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。
NETSOL·2019-12-19 14:00

everspin自旋转矩MRAM技术

MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成：自由层（freelayer），固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。
NETSOL·2019-12-19 14:00

everspin自旋转矩MRAM技术

MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成：自由层（freelayer），固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。
英尚微电子·2019-12-19 14:36

STT-MRMA技术优点

但是，随着EverspinTechnologies推出256MbSTT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。
NETSOL·2019-12-17 14:00

STT-MRAM技术改变现状

但是，随着EverspinTechnologies推出256MbSTT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。
英尚微电子·2019-12-17 13:24

Everspin非易失性MRAM切换技术

切换MRAM技术切换MRAM使用1个晶体管，1个MTJ单元来提供简单的高密度存储器。Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。
NETSOL·2019-12-11 15:00

Everspin非易失性MRAM切换技术

切换MRAM技术切换MRAM使用1个晶体管，1个MTJ单元来提供简单的高密度存储器。Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。
NETSOL·2019-12-11 15:00

Everspin非易失性MRAM切换技术

拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
英尚微电子·2019-12-11 14:49

STT-MRAM存储器技术结构图

目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视
英尚微电子·2019-12-10 14:46

MRAM在哪方面适合物联网

MRAM在哪里适合物联网？作为快速写入的非易失性存储器，MRAM可能具有许
英尚微电子·2019-12-06 14:10

OpenWRT配置IPV6

原文链接：https://juejin.im/post/5cc3e4f4518825253d0343fb准备材料智博通WG3526路由器(MT7621A16MROM,512MRAM)中国移动光纤入户(PrefixDelegation
weixin_33827590·2019-04-27 05:32

TL-WR720n 硬改 16M rom

TL-WR720nv34Mrom32Mram硬改为16Mrom使用W25Q128FVSSIG16MFlash芯片，先使用土豪金XTW100编程器写入u-boot-ar9331-wr720nv3_wr710n.bin
EvilTernary·2019-03-02 23:00

spring cloud feign 调用服务脱钩（异步）处理

下面给大家罗列一下基本西信息1.环境win10i5-3230MRAM12Gmysql远程数据库2.技术采用springcloudfeign负载hystrix做熔断处理3.暂时无接入MQ做解耦一、原先技术架构是一步到位
Roy_Xiong·2018-12-17 19:33

STT-MRAM：“万能存储器”

一、SRAM、DRAM，以及Flash存储器是电子系统的重要组成部分。当前，绝大多数电子系统均采用寄存、主存加硬盘的存储体系结构（如图1（a）），与之相对应，静态随机存储器（SRAM）、动态随机存储器（DRAM）、闪存（Flash）或硬盘（HDD）成为实现这三种存储体系的传统存储技术。然而，随着信息和纳米加工技术高速发展，基于传统存储体系构建的电子系统正面临着巨大的挑战。一方面新兴的移动计算、云计
Taofca·2017-05-24 17:17

华硕RT-AC66U B1值得买吗？1750M华硕RT-AC66U B1开箱体验图解评测

双频千兆无线路由器是华硕经典型号AC66U的升级版，硬件配置用上了与AC68U一样的博通BCM4708双核处理器+双博通BCM4360无线芯片分别对应2.4G频段和5G频段，另外128MROM+256MRAM
佚名·2017-04-13 16:38

Openwrt上Php+Mysql+Lighttpd的安装配置

路由器用的是TL-WDR4310,已经改为16MFLASH,128MRAM。一、安装Lighttpd1.使用如下命令安装LightHttpd。
king_jie0210·2016-04-13 13:00

WR720N上实现基于opwnwrt的Upnp音乐播放器（DLNA-wifi音箱移植）

一、准备工作硬件准备：WR720N（Ar9331芯片）无线路由开发板（400M主频、64MRAM、8Mspi-flash）（8Mflash有些紧张，建议选择16Mflash比较富余些）USB声卡一个耳机或音箱一个数据线及电源线
fallinlovelj·2016-04-01 16:00

Huawei C8500

HUAWEIC8500 MSM7625ARM1136EJ-S528MhzARMV6256MRAM512MROM cat /proc/cpuinfo Processor       : ARMv6-compatible
xzhang·2015-11-03 12:00

OpenWrt 系统定制WR841N Reset Button不工作

前言：移植AR9341到开发板上，64MRAM,8MROM,工作内容就是系统能跑起来，最好无线性能好，但是这个真的不是我的目前能搞定的。
qianguozheng·2014-08-06 13:00

在不足256M内存的机器上启动RHAS 3时总要停顿10秒的问题

在VM里安装rhas3.0,由于只分配了256MRAM，系统起动总是提示不足256M.我查了一下[root@rhas3mrtg]#grep-ri"Normalstartupwillcontinuein10seconds
lcgweb·2014-05-19 19:00

AIX操作系统的安装介绍

阅读更多安装介质与方式AIX操作系统的安装可以：通过Tape安装，需要16MRAM，PCI总线的RS/6000系列小型机不支持该方式；通过CD-ROM安装，需要有8MRAM；通过网络安装，这需要使用AIXNetworkInstallManager
yxw22·2014-02-26 20:00
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