Mos

单片机学习（一）：单片机基础—STM32

输入下拉：悬空0V输入上拉：悬空高电平模拟输入：AD采样，低功耗省电IO四种输出工作模：开漏输出：输出通过控制N-MOS管，无法直接到高电平状态推挽输出：输出经过控制N-MOS管和P-MOS管复用开漏：
追涨杀跌一棵韭·2020-08-21 10:11

高端驱动和低端驱动--ir2110

http://bbs.dianyuan.com/topic/640411半桥电路的两个MOS管在电路中有什么区别驱动是需要共地的，否则只能自举或隔离了半桥为例子，你可以分别看看上下两个管子，在导通前后S
斗战胜佛任我行·2020-08-21 09:57

高端驱动与低端驱动

Mos管开关电路MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
Wang_yf_·2020-08-21 08:09

IR2104全桥驱动的自举问题

因为，在MOS管关断的时候，MOS管的寄生电容会放电，而放电回路就是通过自举电容。如果自举电容过小，会影响电路的自举。2、自举二极管，自举二极管也是一个
Aginpanda·2020-08-21 07:34

IR2104驱动

这三个控制上半桥的MOS导通。Vcc是低
weixin_45699119·2020-08-21 06:03

白话教程_场管自激特斯拉线圈

别急~下面就来教大家如何制作最简单的固态特斯拉线圈---场效应管自激（MOS管自激）下面我们来看一下电路图该电路利用场效应管自激来产生高频交流电，进而驱动线圈工作。
柯熹不等事·2020-08-21 05:09

杰理之升级方法

然后重新开机电脑升级：用一拖多工具升级特殊工具升级：仅仅方便开发者使用（注意区分MOS管开机这种升级完成不鞥进入睡眠模式）
Rambo-Lamborghini·2020-08-21 05:57

有刷直流电机H桥功率驱动电路的设计心得

有刷直流电机驱动电路可以说有太多太多的经典电路了，而基于MOS管的H桥驱动电路更普遍的应用到电机驱动中，而基于MOS的H桥驱动电路大类有两种设计方案：（1）、上桥臂采用PMOS管，下桥臂用NMOS管；（
genglinling·2020-08-21 05:35

按键开关机电路

1目标：今天我们利用MOS管来设计一个按键开关机电路2要求：长按按键2秒钟松开后，系统电源启动，再长按2秒钟后，系统电源切断。
ProgressingForever·2020-08-21 05:25

Blinker利用RGB做氛围灯

RGB为三色灯珠，颜色为红，蓝，绿；接线所有灯阴极接GED,蓝接GPIO15绿接GPIO13红接GPIO12支持语音（变色、亮度调节，开关灯）色温还有模式代码暂时不加，用不上，如果装灯带可以使用MOS管作为驱动
雨天实验室·2020-08-21 04:51

经典分立元件H桥驱动（稳定、低成本，可代替IR21XX集成IC驱动

IR21XX集成IC驱动）-anni713-八方缘的博客经典分立元件H桥驱动（稳定、低成本，可代替IR21XX集成IC驱动）-anni713-八方缘的博客本电路是在48V直流电机驱动上使用非常普遍的分立元件MOS
qq_25398541·2020-08-21 04:18

mos管h桥电机驱动电路与设计原理图-KIA

一、mos管H桥电路图1中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥驱动电路”是由于它的外形酷似字母H。
木木总裁·2020-08-21 04:10

一键开关机电路

Q3为P沟道增强型MOS管，因为Q2截止，Q3也截止，系统得不到电源。此时Q1的集电极为低电平0.3V左右，C1上的电压也为0.3V左右，当按下按键S1后，Q1基极被C1拉到0.3V，迅速截止。
guetcw·2020-08-21 03:00

线阵相机知识汇总

（RGB相机和TDI相机除外）关于线阵相机的传感器70年代大多数使用的是MOS，而从70年代末CCD开始迅速发展，一直到现
fantasysolo·2020-08-21 03:23

自己搭的12V 电机驱动电路设计

1、单MOS管驱动电路，采用P75NF75为主角构成。2、双MOS管电机驱动电路设计，采用D4184管组合。3、半桥驱动电路设计，采用BTS7960芯片，两路半桥构成全桥驱动电路。
呆萌蜗牛·2020-08-21 03:41

用mos管搭建一个长按按键开关机的电路

用mos管搭建一个长按按键开关机的电路给大家推荐一个通过长按一个按键，控制整个设备开关机的电路。直接上图。简单介绍一下工作原理，“Power_Ctrl”和“KEY1”是连接MCU的两个引脚。1.
ILLTT·2020-08-21 02:09

【大电流H桥电机驱动电路的设计与解析（包括自举电路的讲解，以IR2104+LR7843为例）】

此时便需要自行用半桥/全桥驱动芯片和MOS管搭建合适的H桥电机驱动电路实现对大电流电机的驱动控制。二.示例原理图和PCB展示此原理图和PCB采用的是
默默无闻小菜鸡·2020-08-21 02:57

开源编解码器 SOLO 源码解读：带宽扩展与窄带编码

该编解码器适用于需要实时音频交互的场景，特别针对弱网对抗进行了优化，并且在相同弱网环境下MOS分优于Opus。SOLO可应用于各类RTC应用，并且可不与AgoraSDK绑定使用。
LiveVideoStack·2020-08-21 02:26

美团云：稳定靠谱的云计算平台

约半年前，美团悄然上线了美团云（MeituanOpenServices，简称MOS），这是美团网根据自身虚拟化平台开发和运维经验开放的云计算服务，类似AWS。
思否编辑部·2020-08-20 19:20

寒武纪嵌入式软件笔试试题及解析

输出0时，N-MOS导通，P-MOS高阻，输出0。输出1时，N
梦醉花舞·2020-08-20 17:22

TDengine在华夏天信露天煤矿智慧矿山操作系统的应用

小T导读：华夏天信RED-MOS露天煤矿智慧矿山操作系统，基于微服务架构，结合HTAP混合大数据平台，将产、运、销各环节的生产与成本数据进行深度的挖掘和分析。
涛思数据·2020-08-20 17:43

TDengine在华夏天信露天煤矿智慧矿山操作系统的应用

小T导读：华夏天信RED-MOS露天煤矿智慧矿山操作系统，基于微服务架构，结合HTAP混合大数据平台，将产、运、销各环节的生产与成本数据进行深度的挖掘和分析。
涛思数据·2020-08-20 17:12

美团云：稳定靠谱的云计算平台

约半年前，美团悄然上线了美团云（MeituanOpenServices，简称MOS），这是美团网根据自身虚拟化平台开发和运维经验开放的云计算服务，类似AWS。
思否编辑部·2020-08-20 16:59

美团云：稳定靠谱的云计算平台

约半年前，美团悄然上线了美团云（MeituanOpenServices，简称MOS），这是美团网根据自身虚拟化平台开发和运维经验开放的云计算服务，类似AWS。
思否编辑部·2020-08-20 16:59

MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
zhoujk0520·2020-08-20 09:09

MOS管的开关特性

一、静态特性MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。图3.8(a)为由NMOS增强型管构成的开关电路。
zhoujk0520·2020-08-20 09:09

三极管和MOS管工作状态图解+实例

图说三极管的三个工作状态本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201603/287845.htm电子元件基础—BJT管大家都知道三极管是电流控制型元件，三极管工作在放大状态下存在Ic=βIb的关系，怎么理解三极管的放大模型呢?这儿我们抛开三极管内部空穴和电子的运动，还是那句话只谈应用不谈原理，希望通过下面的“图解”让初学者对三极管有一个形象的认识。三极管是一个
wilger·2020-08-20 09:00

计算机组成原理 学习总结3.3 DRAM存储器

3.3DRAM存储器动态RAM（DRAM）因为该存储器必须定时刷新，才能维持其中的信息不变；DRAM的存储元由MOS晶体管和电容组成的记忆电路；电容上的电量来表现存储的信息；充电—1，放电—0。
萌哒老司机·2020-08-20 09:56

计算机组成原理 学习总结3.2 SRAM存储器

3.2SRAM存储器主存储器的构成静态RAM（SRAM）由MOS电路构成的双稳触发器保存二进制信息；优点：访问速度快，只要不掉电可以永久保存信息；缺点：集成度低，功耗大，价格高；动态RAM（DRAM）由
萌哒老司机·2020-08-20 09:56

浅析MOS管门极驱动电路背后的秘密

（1)直接驱动电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。
weixin_43747182·2020-08-20 09:50

详解MOS管驱动电路的特别应用，这里有你想知道的一切

这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。2、宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。
weixin_43747182·2020-08-20 09:50

浅析N沟道增强型MOS管双向低频开关电路

【电路】MOS管-N场效应管双向电平转换电路--适用于低频信号电平转换的简单应用如上图所示，是MOS管-N场效应管双向电平转换电路。双向传输原理：为了方便讲述，定义3.3V为A端，5.0V为B端。
weixin_43747182·2020-08-20 09:49

模拟CMOS集成电路放大器总结（1）

对于模拟CMOS集成电路的分析和设计而言，放大器应用于许许多多的电路，因此放大器的设计和分析必不可少，而对于以MOS管为主的集成电路中，最基础的单级放大器主要以共源级放大电路，共源共栅级放大电路，以及源级跟随器等为主
WTX~~·2020-08-20 09:55

详细讲解MOSFET管驱动电路（转）

作者：来源：电源网关键字：MOSFET结构开关驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
weixin_33719619·2020-08-20 08:42

WNM2020 N通道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM

说明WNM2020N沟道，20V，0.90A，小信号MOSFETWNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。
szriley123·2020-08-20 08:12

世界集成电路产业结构的变化及其发展历程

http://www.bjic.org.cn/l_abc/001.html自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路
yesky12·2020-08-20 08:07

计算机系统的层次存储结构详解

1、存储器分类（1）按存储介质分类介质举例特征半导体存储器TTL、MOS易失磁表面存储器磁头、载磁体非易失磁芯存储器硬磁材料、环状元件非易失光盘存储器激光、磁光材料非易失（2）按存取方式分类①存取时间与物理地址无关
qinjianhuang·2020-08-20 07:13

MOSFET及MOSFET驱动电路总结

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
wzq666·2020-08-20 07:59

增强型、耗尽型MOS

(什么是增强型、什么是耗尽型？其内部的主要差别是什么？)作者：XieM.X.(UESTC，成都市)总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管（D-FET）就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET；增强型场效应晶体管（E-FET）就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。这两种类型的FET各有其特点和用途。一般，增强型FET在高速、低功耗电路中很有使用价值；并且这种
hututu_404·2020-08-20 07:16

N沟道增强型MOS管双向低频开关电路

【电路】MOS-N场效应管双向电平转换电路--适用于低频信号电平转换的简单应用(原文件名:MOS-N场效应管双向电平转换电路.jpg)如上图所示，是MOS-N场效应管双向电平转换电路。
碧_XIA·2020-08-20 07:32

MOS管安全工作区SOA

注：内容转自广州致远电子有限公司《如何确保MOS管工作在安全区》一、引出开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏
qlexcel·2020-08-20 07:32

增强型mos管

在上模电课时面对纯理论，填压式的教学，对Mos管的理解一知半解，后来有幸看到有关于mos管的知识，看完后感觉对它不是很陌生了。
Darren_pty·2020-08-20 07:49

模拟集成电路设计基础知识(二)：MOS管二级效应及其小信号等效

文章目录二级效应体效应沟道长度调制亚阈值导电MOS的小信号等效：在前一篇文章介绍了MOS管结构及其I/V特性，本篇文章接着介绍MOS管的几个二级效应以及其小信号等效。
小周洲粥·2020-08-20 07:00

计算机组成原理---第四章 存储器（中）

存储器容量的扩展2.相关计算4.2.6存储器的校验1.汉明码原理2.汉明码的纠错过程4.2.7提高访问存储器的措施1.单体多字2.多体并行4.2.4只读存储器只读存储器的种类1.掩模ROM行列选择线交叉处有MOS
许挂挂·2020-08-20 06:33

在绝缘栅型场效应管N沟道增强型MOS管中,为什么Vds增大,反型层靠近漏极部分变窄

"没加Uds时，只在Ugs的作用下反型层应该是均匀分布的",确实是这样；MOS在用的时候，通常源和衬底接地，所以Ugs=Vg;当Vds增大时，栅和漏之间电压为Ugs-Vds，电压变小，反型层自然变窄。
nolatin·2020-08-20 06:03

MOS场效应管基本知识

半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），简称场效应管。场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。在如果你在某宝里搜索“场效应管”你会发现，搜索出来的基本上是绝缘栅场效
张巧龙·2020-08-20 06:39

计算机组成原理 存储器概述

1.1概述一、存储器分类1、按存储介质分类（1）半导体存储器：TTL、MOS易失（断电不存储数据）TTL（晶体管晶体管逻辑）集成度低功耗高但速度快、MOS（金属氧化物半导体）功耗低集成度高（2）磁表面存储器
CASTANEA·2020-08-20 05:56

增强型N沟道mos管（如si2300）开关条件

增强型N沟道mos管（如si2300）开关条件增强型N沟道mos管的S（source源极）和D（drain漏极）导通条件取决与Vgs，即栅极和源极间的电压压差。
张连臣·2020-08-20 05:17

浅析N沟道增强型MOS管的工作原理

1.vGs对i及沟道的控制作用MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。
weixin_43747182·2020-08-20 05:40

MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）

MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）+FPGA从0到1学习资料集锦（开发指南+电路图集+例程源码）链接：https://pan.baidu.com/s/1UGmuOz9SR-tEfYMMuqcUMA
WUAILINA·2020-08-20 05:03
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