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音频质量的评价方法：简单梳理

音频质量的评价方法1.语音质量评估（SQA）1.1主观评价和客观评价1.2主观音频评价标准ITU-T评价标准ITU-R评价标准1.3客观音频评价标准3.3一些概念2.主观评价指标平均意见得分（MOS）失真等级评分

Robin_Pi·2020-10-19 13:52

10分钟看懂内存的实现原理

电路先从一个简单电路看起，image二极管然而我们要控制二进制，在计算机里我们用两种互补的二极管（CMOS即n-MOS管和

linxinzhe·2020-10-11 00:34

2020/7/19学习笔记

MOS管 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，即通常被称作的PMOS

hanlinxu·2020-09-17 16:57

ORACLE ORA-04030之 out of process memory when trying to allocate

近期巡检中，一oracle11grac节点出现ORACLEORA-04030之outofprocessmemorywhentryingtoallocate报错，查询ORACLE官方MOS确定是：BUG11852492

clm20482·2020-09-17 15:33

OGG-00685 begin time prior to oldest log in log history

今天早生产库的某个逻辑备库部署ogg同步几张表，报上述错误去mos查询，得如下解决办法APPLIESTO:OracleGoldenGate-Version11.1.1.0.0andlaterInformationinthisdocumentappliestoanyplatform.SYMPTOMSOGG

bigclouder·2020-09-17 05:12

Oracel 12c Alert日志中的Creating new log segment

带着问题搜了搜MOS，查出原因记录如下：这是12c的一个新的行为，11g以后，Alert日志就分为两种格式存储在文件系统上了，一

cuanmi4326·2020-09-17 04:21

MOS体二极管的作用以及另外并联二极管的作用

MOS体二极管的作用保护MOS：当DS两级电压过高时，体二极管会被击穿，进而保护MOS；提供反向通路：用于电感续流或寄生参数产生的过流或者SD两级误加电压（其实也是保护作用）；用于开关技术的实现：软开关的续流通道

吃代码的小可爱·2020-09-17 04:18

普通变换器驱动波形和软开关驱动波形的区别：米勒平台的存在与否

1.MOS的等效电路图如下所示：2.MOS的开关波形（Vds、Vgs、Id）如下所示：可知存在米勒平台，关断时的波形和开通的对称。

吃代码的小可爱·2020-09-17 04:18

软起动电源开关电路

1、控制电源开关的输入信号Control为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs=0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT无输出。

Mr.Idleman·2020-09-17 03:13

产品电源供电部分采用缓启动电路，对其中上电和断电的过程分析

产品电源供电部分采用缓启动电路，对其中上电和断电的过程分析：就是C75R62起作用，C75充电，G脚电压逐渐降低，让MOS管缓慢打开。

gtkknd·2020-09-17 03:28

python-字符串及编码

Python提供了ord()和chr()函数，可以把字母和对应的数字相互转换：>>>ord('A')65>>>chr(65)'A'>>>ord('我')Traceback(mos

raoxiaoya·2020-09-17 01:34

电路常识性概念（8）-MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图

电路常识性概念（8）-MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图2008-05-2822:17现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。1、MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。

风中月隐·2020-09-16 07:09

关于接触器线圈控制电路设计分析

1.典型控制电路2.工作原理K1为接触器，D1为肖特基二极管，Q1为mos管，当控制信号RELAY为高电平时，Q1导通，B点为低电平，线圈产生磁力，接触器吸合。此时IQ=200MA,ID=0MA。

Tsd-Xu·2020-09-16 03:29

开关电容的基本知识

在MOS工艺中，制造电阻要比制造电容难得多。有源滤波器，主要由电阻、电容和运算放大器组成。如果能把其中的电阻用电容加开关来代替，则构成了新的器件即

Robinfengdan·2020-09-15 20:12

UCC29910A BUCK_PFC的调试

84V电压也可以用来给后端系统供电设计参数如下：电压：80V输出功率：300W20190729：电路的整体功能已经调试通过，参考TI的官方DEMO板，需要注意的是，板子如果不接外部Bias电压源只用耗尽型mos

队友呢！队友呢！队友呢！·2020-09-15 20:37

一些简单的面试问题波特率/运放/ldo/三极管mos/有源晶振与无源晶振/负反馈/pcb走线问题

1、波特率什么意思？在电子通信领域，波特（Baud）即调制速率，指的是有效数据讯号调制载波的速率，即单位时间内载波调制状态变化的次数。[1]波特率表示每秒钟传送的码元符号的个数，它是对符号传输速率的一种度量，它用单位时间内载波调制状态改变的次数来表示，1波特即指每秒传输1个符号。波特（Baud，单位符号：Bd）这一单位是以法国电讯工程师埃米尔·博多2、运放有什么特性无限大的输入阻抗（Zin=∞）趋

没有水杯和雨伞的工科男·2020-09-15 18:06

dataguard 中log_file_name_convert、db_file_name_convert的作用

参考mos((D

made-in-china·2020-09-15 14:10

无刷电机驱动器设计中开环、速度环、电流环

1、开环控制开环控制，驱动器通过PWM调制MOS管斩波频率的占空比来调节电机功率输出，空载情况下占空比100%时输出转速达到最高。2、速度环驱动器以转速为调整目标，电机的输出转矩为了保持速度而调整。

deedzhaoyun·2020-09-15 02:33

Linux Device Drivers 3rd Edition Interrupt Handling

.258CHAPTER10Chapter10InterruptHandlingAlthoughsomedevicescanbecontrolledusingnothingbuttheirI/Oregions,mos

menuconfig·2020-09-14 17:56

共栅级MOS管放大器小信号增益及与共源级的对比

想要了解共栅级和共源级两种放大器的小信号增益的联系和区别，首先我们先用我上一篇博客中《共源级MOS管饱和区的小信号增益的辅助理解》中的方法对共栅级放大器主要是本征增益一项进行考察，并仍用上文中的通用公式来考察共栅级

骑摩托的土扒鸽·2020-09-14 11:29

oracle create controlfile报 ORA-01503 ORA-01565 ORA-27037

如果一个很常规的操作报错找不到原因,并且在mos中搜索不到,那很可能就是犯了低级错误,呵,下面就是.在重建控制文件CREATECONTROLFILEREUSEDATABASE"DBTEST"NORESETLOGSARCHIVELOG

congse3359·2020-09-14 10:09

Oracle PL/SQL 性能分析工具 profiler 说明

可以从MOS上下载该脚本：ImplementingandUsingthePL/SQLProfiler[ID243755.1]也可以从我的CSDN上下载：http://download.csdn.net/

tiantiangeq·2020-09-14 04:01

数字万用表使用方法

从数字万用表的电压、电阻、电流、二极管、三极管、MOS场效应管的测量等测量方法开始，让你更好的掌握万用表测量方法。一、电压的测量1、直流电压的测量，如电池、随身听电源等。首先将黑表笔插进“com”孔

adazone·2020-09-14 03:17

等待事件 os thread startup

等待事件osthreadstartup官方文档和MOS上的信息比较少。

文档搬运工·2020-09-13 23:27

记录OGG-01028 Incompatible record (101) 故障一则

/dirdat/li000344,rba2706945(gettingheader).查询MOS1507462.1给出如下解决方式HowtoRecoverfromanOGG-01028IncompatibleRecordIftheTrailIsNotCorrupt

Small-A·2020-09-13 22:12

【翻译自mos文章】运行utlpwdmg.sql之后报ORA-28003, ORA-20001, ORA-20002, ORA-20003, ORA-20004 错误

运行utlpwdmg.sql之后报ORA-28003,ORA-20001,ORA-20002,ORA-20003,ORA-20004错误。适用于：OracleServer-EnterpriseEdition-Version8.1.7.0andlaterInformationinthisdocumentappliestoanyplatform.Checkedforrelevanceon15-Sep-

msdnchina·2020-09-13 22:28

电路功耗分析

芯片的静态电流，Icc电流需要算清楚：74ls244：输出低电平时，电源电流为27ma，内部结构为晶体管，电流驱动，所以电流较大；54hc244：电源电流8ua，功耗很小，内部结构为MOS管，电压驱动，

hainan16·2020-09-13 18:05

找工作笔试面试题目集（硬件篇）----持续更新

二、MOS管和BJT管的基础知识1.MOS管的

Dobolong·2020-09-13 09:15

简易的shell ---- MOS 的一个小练习题

想到自己的好多图片还有代码在上一次硬盘挂掉的时候丢失,心中就是阵痛...这个简单的shell代码被放在临时的pdf文档中得以被保留了下来...阿门...今天想写个简单的数据库的时候,感觉是不是要做个交互页面,不让用户写程序,模仿MySQL简单的命令,用户傻瓜化就好了...交互的方式可以是shell.其实中科院孟宁老师的一个OO课的前几课的一个小作业就是自己写个shell.不难.RTFSC于是...

JasonLeaster·2020-09-13 06:25

转MOS 中文文档列表 - Oracle Database (Doc ID 1533057.1)

ZhongWeicheng·2020-09-13 06:40

xcode 经常出现的警告问题解决方法ld: warning: directory not found for option '-L/Users/

,让人不爽.尤其是在我们引入第三方,然后又将其删除之后,就会出现类似的一些警告.ld:warning:directorynotfoundforoption'-L/Users/xxxx/Desktop/Mos

Frank_春儿·2020-09-13 05:44

【MOS】中文文档列表 - Oracle Database (文档 ID 1533057.1)

中文文档列表-OracleDatabase(文档ID1533057.1)类型:状态:上次主更新:上次更新:ANNOUNCEMENTPUBLISHED2017-2-232017-2-23文档内容详细信息操作Oracle数据库技术支持通讯安装/升级/降级/迁移相关日常管理相关性能相关集群及存储相关高可用相关TimesTen内存数据库联系人参考适用于:OracleDatabase-EnterpriseE

coco3600·2020-09-13 05:45

MOS(Doc ID 1029252.6)最佳实践

columnfile_nameformata50;columntablespace_nameformata15;columnhighwaterformat9999999999;selecta.tablespace_name,a.file_name,(b.maximum+c.blocks-1)*d.db_block_size/1024/1024"highwater(M)"fromdba_data_f

Fan_-_·2020-09-13 05:20

硬件岗面试问题记录（一）

可以谈的很多，例如细的方向上晶体管的参数、晶体管的工作状态、MOS

kyq___·2020-09-12 22:03

推挽电路

当内部输出1电平时，上边的MOS管导通同时下边的MOS管截至，IO口输出高电平。当内部输出0电平时，上边的MOS管截至同时下边的

Tiger-Li·2020-09-12 19:27

MOS管应用的一些注意事项

MOS管做为电压驱动大电流型器件，在电路尤其是动力系统中大量应用，MOS管有一些特性在实际应用中是我们应该特别注意的1、MOS管体二极管，又称寄生二极管，在单个MOS管器件中有，在集成电路光刻中没有，这个二极管在大电流驱动中和感性负载时可以起到反向保护和续流的作用

一路狂奔的兔子·2020-09-12 04:25

一个MOS管电平转换电路引发的坑

使用MOS管搭建双向电平转换电路，是比较常见的做法，电路如图1中虚线框所示，MOS管的部分参数如图2所示。

硬核电子·2020-09-12 04:34

3.3V 和 5V电平转换电路分享

MOS-FET管的门极和源极都是3.3V，所以它的VGS低于阀值电压，MOS-FET管不导通。这就允许“高电压”部分的总线线路通过它的上拉电阻Rp拉到5V。

eric_pyt@qq.com·2020-09-12 03:29

MOS管构成的简易双向电平转换电路

下图是USBDM电路图的一部分，我们借其分析一下电平转换过程：假设左边RST_IO是5V电平标准，右边BR1端是3.3V电平标准。我们分别对双高高低电平进行分析：1、左向右高电平转换：当RST_IO为高电平5V时，若BR1电压低于VDD_BDM(3.3V),则Q2导通使BR1达到VDD_BDM(3.3V)，当BR1达到VDD_BDM(3.3V)时Q2截止，从而使BR1可以达到VDD_BDM(3.3

vigour1000·2020-09-12 02:54

一种简单实用的双向电平转换电路(非常实用!)3.3V--5V

电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下:(原文件名:3.3-5V转换.jpg)上图中,S1，S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压.另外限制条件为:1，VCC

vigour1000·2020-09-12 02:53

SYK-0806-A2S1 工业自动化控制之【01-产品简介】

“SYK-0806-A2S1”这款是以IAP15W413AS单片机为主控制器，主要集成了以下几个功能：1、8路带光耦隔离的NPN输入端口2、6路共正极的N-MOS管NPN输出端口3、2路0-5V的模拟量采集

SingleYork·2020-09-11 23:10

硬件通鉴---第6章：MOS

MOS:视频链接：https://edu.csdn.net/course/play/28030微信公众号，每天不一样：

硬件先生·2020-09-11 23:46

硬件先生---第 2 部分：电子线路（柴米油盐)-2.6-MOS

电子线路-MOS视频解说链接：https://edu.csdn.net/course/play/25977微信公众号，每天不一样：

硬件先生·2020-09-11 23:45

晶体管与MOS管的并联理论

一、晶体管与MOS管并联理论：(1)、晶体管具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。

宇宙小那边·2020-09-11 23:48

MOS管击穿原因和防护措施！

MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回事？

kevinhg·2020-09-11 21:10

系统解析开关电源中的MOS管--15大知识点！

功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率MOSFET正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。功率MOSFET的反向导通等效电路（1）（1）：等效电路（门极不加控制）（2）：说明：即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET的体二极管

henryzpeng·2020-09-11 21:32

GaN（第三代器件）特性的总结

1.GaN的特点：GaN与传统的MOS管不同，由于没有PN结，不存在体二极管，所以不会有反向恢复的问题；DS之间的导通是通过中间的电子层，所以可以双向导通，即常开。

破风浪挂云帆·2020-09-11 21:07

Oracle exp导出时出现ORA-01555和ORA-22924的解决

2、问题解决通过实际的测试及查MOS，发现这是因为blob某些行有

cuanraoju7110·2020-09-11 19:56

组成原理---存储体系

文章目录存储体系概述存储器的分类存储器的层次结构主存储器概述主存储器性能指标主存储器的工作原理半导体存储芯片随机读写存储器静态MOS存储器（SRAM）动态MOS存储器（DRAM）DRAM的刷新只读存储器主存储器与

weixin_46265246·2020-09-11 18:18

MOS搭配自举升压电路

VGS上管的电压不足以使mos完全导通2.升压的原理:电容相当于并联在MOS上管的G,S极。

企鹅20133·2020-09-11 16:41

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