美国封杀GAA半导体技术出口 中国突破3nm工艺要靠自己了

　　作者：宪瑞

　　由于众所周知的原因，美国正在收紧高科技的出口，日前美国政府制定了一份新的高科技出口禁令，包括量子计算机、3D 打印及 GAA 晶体管技术等在内，这其中 GAA 晶体管技术是半导体行业的新一代技术关键。

　　大家都知道半导体工艺跟晶体管息息相关，目前台积电、三星、Intel、格芯量产的先进工艺普遍是基于 FinFET 鳍式晶体管的，从 22nm 工艺到明年才能量产的 5nm 工艺都使用了 FinFET 晶体管。

　　5nm 往后半导体工艺制造愈发困难，要想获得性能及密度改进，晶体管就要转向新一代结构了，GAA 环绕栅极晶体管就是最有希望的，三星去年就率先发布了 3nm GAA 工艺——3GAE。

　　根据官方所说，基于全新的 GAA 晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。

　　此外，MBCFET 技术还能兼容现有的 FinFET 制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产，最快 2022 年就能量产。

　　台积电及 Intel 还没有具体公开 3nm 及以下工艺的详情，不过 5nm 之后转向 GAA 晶体管技术也是板上钉钉了，所以 GAA 晶体管技术会成为未来几年里半导体工艺的新选择。

　　美国封杀 GAA 晶体管技术出口，国内最大的晶圆代工厂中芯国际及华虹半导体是没可能获得外援了。不过话说回来，即便没有美国的封杀，国内指望海外技术转移升级 GAA 工艺也是没可能的。

　　中芯国际今年可以量产 14nm 工艺，这是国产第一代的 FinFET 工艺，后续也有改进型的 12nm FinFET 工艺，该工艺相比 14nm 晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低 20%、性能提升 10%，错误率降低 20%。

　　根据中芯国际之前在财报会议上的信息，12nm 工艺应该是他们的N+1 工艺，后续还会有更先进的N+2 代工艺，只不过官方没有明确N+2 是否就是 7nm 节点。

　　总之，美国现在禁止出口 GAA 工艺显然是想封锁中国公司的半导体技术能力，不过这件事目前来说影响并不大，因为国内距离 3nm 工艺还有点距离，国内的半导体公司也早就认识到技术研发要以自己为主，加大投资、吸引更多人才自主研发才是解决问题的关键。