晶振的负载电容和频偏的计算方法总结

负载电容的计算方法
在做电路设计的时候，很多工程师不知道晶振的负载电容改如何计算，在设计的时候，很多人都凭借的经验加个20PF,或者22PF，18PF。

晶振的两个引脚与芯片（如单片机）内部的反相器相连接，再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2，组成一个皮尔斯振荡器（Pierce oscillator）。如下图所示：

上图中，U1为增益很大的反相放大器，CL1、CL2为匹配电容，是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以保证电路持续振荡，它们会稍微影响振荡频率，主要用与微调频率和波形，并影响幅度。 X1是晶体，相当于三点式里面的电感，R1是反馈电阻（一般≥1MΩ），它使反相器在振荡初始时处于线性工作区，R2与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。
这里涉及到晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL（Load capacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
负载电容的公式如下所示：
C_L=C_S+(C_D×C_G)/(C_D+C_G )
其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容（Shunt Capacitance）
CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2
CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1
一般CS为1pF左右，CI与CO一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册
（这里假设CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。
比如规格书上的负载电容值为18pF，则有
则CD=CG=34.4pF，计算出来的匹配电容值CL1=CL2=25pF

频偏的计算方法
我们描述频偏的时候一般是以ppm作为单位来描述的，ppm是百万分之一的意思也就是10^-6。假如我们有一个晶振，它的频率标值是12MHZ，但是我们测试到的是11.99998MHZ。那么Foffset=12-11.99998=0.00002MHZ。
ppm=(0.00002/12)*10^6=1.67。
一般在选中晶振的时候选中精度相对好点的。类似STM32这样的芯片其实ppm<30的时候 基本可以接受。