【计算机组成原理】中国大学MOOC哈工大课程第四章题库

一、前言

接着上次第三章的题库，这次记录一下中国大学MOOC哈工大课程第四章的题库，由于整理起来比较繁琐，单选题中有一些重复选项，希望小伙伴们不要介意，哈哈。如果小伙伴们有补充，可以在评论区里评论我没有记录的题目，让题库更完善。

二、题库

单选

1. ___层次主要解决了CPU和主存速度不匹配的问题。
   A.无正确答案
   B.缓存-主存
   C.主存-辅存
   D.CPU-辅存
   正确答案：B

2. 动态RAM常用的三种刷新方式中不包括
   A.异步刷新
   B.集中刷新
   C.分散刷新
   D.静态刷新
   正确答案：D

3. 下列存储器中，CPU不能直接访问的是___
   A.RAM
   B.寄存器
   C.Cache
   D.硬盘
   正确答案：D

4. 一般的虚拟存储器系统是由___两级存储器构成。
   A.主存—辅存
   B.寄存器—缓存
   C.缓存—主存
   D.缓存—辅存
   正确答案：A

5. 随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。
   下图是静态RAM芯片Interl2114的外特征示意图。图中，A9_{A0为地址输入端；I/01}I/O4为数据输入/输出端；CS为片选信号（低电平有效）；WE为写允许信（低电平为写，高电平为读）；Vcc为电源端；GND为接地端。
   由Intel2114的外特征图，我们可知其存储容量为____

A.1K × 10位
B.1K × 4字节
C.2K × 4位
D.1K×4 位
正确答案：D
6. 随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。
动态RAM基础电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”，电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1~2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失。为此，必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，这个过程称为再生或刷新。
动态RAM的刷新有集中刷新，分散刷新，异步刷新之分。集中刷新是在规定的一个刷新周期内，对全部单元集中一段时间逐行进行刷新，刷新时必须停止读/写操作。在一个刷新周期内不能进行读/写操作的时间称为“死时间”，又称为“死区”，其所占的比率称为“死时间率”。
某动态RAM的刷新时间分配示意图如下，它的刷新方式为_____,死时间率是____

A.集中刷新、3.2%
B.异步刷新、1.2%
C.分散刷新、3.2%
D.集中刷新、1.2%
正确答案：A
7. 随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。
动态RAM基础电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”，电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1~2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失。为此，必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，这个过程称为再生或刷新。
动态RAM的刷新有集中刷新，分散刷新，异步刷新之分。
以下为某动态RAM的的刷新时间分配示意图如下，它的刷新方式为_____

A.异步刷新
B.集中刷新
C.分散刷新
D.上图不是刷新时间分配图
正确答案：C
8. 所谓存储容量一般是指___
A.主存存放二进制代码的总位数
B.主存的芯片个数
C.主存的地址线数量
D.主存的数据线数量
正确答案：A
9. 随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。下图是____存储器的基本电路图

A.动态RAM
B.相联存储器
C.磁盘
D.静态RAM
正确答案：D
10. 下列各类存储器中，属于随机存取存储器的是___
A.DRAM
B.SRAM
C.CDROM
D.HardDisk
正确答案：A、B
11. 从用户角度，存储器的主要性能指标不包括___。
A.存取方式
B.容量
C.每位价格
D.速度
正确答案：A
12. 半导体存储芯片的译码驱动方式有两种___
A.线选法和重合法
B. 片选法和重合法
C. 线选法和片选法
D.线选法和复用法
正确答案：A
13.以下存储器构成的体系结构中，存储器存取速度由慢到快的排列顺序是___
A.辅存—主存—Cache—寄存器
B. 辅存—主存—寄存器—Cache
C.主存—辅存—Cache—寄存器
D.辅存—寄存器—主存—Cache
正确答案：A
14.某一SRAM芯片，其容量为16K*8位，则其数据线和地址线的条数分别为___
A.地址线和数据线均为14根
B.地址线16根，数据线8根
C. 地址线14根，数据线8根
D. 地址线和数据线均为8根
正确答案：C
15.DRAM的刷新方式，是以____为单位进行的。
A. 列
B. 行
C. 行或者列
D.存储单元
正确答案：B

16.下列关于主存存取速度说法错误的是
A.存取时间分读出时间和写入时间两种
B.通常存取周期大于存取时间
C.存取时间又称为存储器的访问时间，是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间
D. 存取周期（Memory Cycle Time)是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间
正确答案：D

17.主存的实际结构如图4.4所示，根据MAR中的地址访问某个存储单元时，需经过地址译码、驱动等电路，才能找到所需访问的单元。读出时，需经过读出放大器，才能将被选中单元中存储字送到MDR。写入时，MDR中的数据也必须经过写入电路才能真正写入到被选中的单元中。
在现代计算机中，通常会将图中的____制作在CPU芯片中。

A.驱动器、译码器、读写电路
B. 地址总线、数据总线
C.图中所有器件
D.MAR 和MDR
正确答案：D
18.以下不属于主存基本组成的是___
A.CU
B.存储体
C.译码器
D. 读写电路
正确答案：A
19.所谓存储容量一般是指___
A.主存存放二进制代码的总位数
B.主存的数据线数量
C.主存的地址线数量
D.主存的芯片个数
正确答案：A
20.半导体存储芯片的译码驱动方式有两种___
A.线选法和片选法
B.片选法和重合法
C. 线选法和复用法
D. 线选法和重合法
正确答案：D
21.某一静态RAM芯片，其容量为1K×4位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最少数目为：
A. 12
B.10
C.16
D.14
正确答案：C
22.下列说法错误的是
A.动态RAM的集成度低于静态RAM的集成度
B.静态RAM的价格比动态RAM的价格高
C.动态RAM的速度比静态RAM的速度低
D. 动态RAM行、列地址按先后顺序输送，减少了芯片引脚，封装尺寸也减少
正确答案：A
23.下列存储器中，CPU不能直接访问的是___
A. Cache
B.寄存器
C. 硬盘
D. RAM
正确答案：C
24.计算机的存储系统采用分级方式主要是为了___
A.方便程序设计人员编程
B. 方便计算机硬件扩展
C. 解决容量、速度、价格三者之间的矛盾。
D. 方便硬件更新换代
正确答案：C
25.按照在计算机中的作用，存储器可以分为主存储器、辅助存储器和缓冲存储器，下列属于辅助存储器的是___
A.Flash Memory
B.静态RAM
C.磁盘
D.动态RAM
正确答案：C
26.以下技术指标中，一般与存储器性能不相关的是___
A.PCI总线带宽
B.存取周期
C. 存储器带宽
D.存取时间
正确答案：A

多选

27.为了提高存储器的带宽，可以采用的方式有___
A.增加存储字长
B. 缩短存储周期
C.增加存储体
D. 减少存储体
正确答案：A、B、C
28. 下列各类存储器中，存储信息在掉电后不易失的是____
A.DRAM
B. SRAM
C.PROM
D. EPROM
正确答案：C、D
29.下列关于半导体存储器的特点说法正确的是___
A.功耗低
B.存取时间短
C.体积小
D. 具有易失性
正确答案：A、B、C、D
30.为了提高存储器的带宽，可以采用的方式有___
A.增加存储体
B.缩短存储周期
C.增加存储字长
D.缩短存储字长
正确答案：A、B、C
31.下列各类存储器中，存储信息在掉电后不易失的是____
A.EEPROM
B. EPROM
C.SRAM
D.PROM
正确答案：A、B、D
32.以下关于动态RAM和静态RAM刷新操作的描述正确的是___
A.静态RAM不需要刷新
B.动态RAM需要刷新
C.动态RAM和静态RAM都需要刷新
D.动态RAM和静态RAM都不需要刷新
正确答案：A、B
33. 下列各类存储器中，存储信息在掉电后不易失的是____
A.PROM
B.SRAM
C.DRAM
D.EPROM
正确答案：A、D
34.主存各存储单元的空间位置是由单元地址号来表示的，不同的机器存储字长也不相同，通常用8位二进制数表示一个字节，因此存储字长都取8的倍数。通常计算机系统即可以按字寻址，也可以按字节寻址。
如下所示，某机器1的字长为32位，它的每一个存储字包含4个可独立寻址的字节，其地址分配如下图（左）所示。某机器2的字长为16位，字地址是2的整数倍，它用低位字节的地址来表示字地址，如下图（右）所示。
以下说法正确的是：____
A.设地址线24根，对于机器1，按字节寻址 2^24 = 16M
B.设地址线24根, 对于机器1，按字寻址4M
C.设地址线24根, 对于机器2，按字寻址4M
D.设地址线24根, 对于机器1，按字寻址8M
正确答案：A、B