充电识别过程及QC2.0

一、BC1.2

1.Data Contact Decect

DCD机制使用了向D+提供的电流源Isp_src来检测PD连接host（SDP）后，数据信号的连接。

• PD检测VBUS有效（>Votg_sess_vld）.
• PD使能D+上的电流源IDP_SRC和D-线上的下拉电阻Rdm_dwn.
• PD检测到D+线保持Tdcd_dbnc（Data contact detect debounce min=10ms）低电平.
• 关闭D+电流源Idp_src和D-线上的下拉电阻Rdm_dwn.

如果检测超时（Tdcd_timeout max=900ms）则转到Primary Detection.

2. Primary Detection

• 打开D+上的Vdp_src（D+ Source Voltage 0.5~0.7v）和D-比较器上的Idm_sink（D- Sink Current 25~175 μA），D+被Vdp_src拉高.
• 检测D-的电压值：将 D- 与Vdat_ref（Data Detect Voltage 0.25~0.4  v）比较，如果大于则可能的充电类型为 DCP 或CDP .

3.Secondary Detection

二次检测用来区分DCP及CDP。PD在检测到VBUS的Tsvld_con_pwd（Session valid to connect time for powered up peripheral max=1s）时间内，如果PD还没做好被枚举的准备，则要求PD进行二次检测.如果PD做好了被枚举的准备，则可以跳过二次检测.

• 打开D-上的Vdm_src，D-被Vdm_src拉高.
• 然后检测D+的电压值，将其与Vdat_ref比较，若高于则为 DCP，低于则是 CDP.

总结以上

DCD

Primary detection

D+=0.6V —— 测D- —— ①D-SDP

                                        ②D-＞Vdat_ref —— CDP或DCP

Secondary detection

D-=0.6V —— 测D+ —— ①D+CDP

                                        ②D+>Vdat_ref —— DCP

 

充电类型

高通QC2.0：

　　快充的充电器与手机通过micro USB接口中间两线（D+D-）上加载电压来进行通讯，调节QC2.0的输出电压。握手过程如下：当将充电器端通过数据线连到手机上时，充电器默认通过 MOS让D+D-短接，手机端探测到充电器类型为DCP（专用充电端口模式）。此时输出电压为5v，手机正常充电。

　　若手机支持QC2.0快速充电协议，则Android用户空间的HVDCP进程将会启动，开始在D+上加载0.325V（图中为0.6V，具体是多少？）的电压。当这个电压维持大于1s 后，充电器将断开D+和D-的短接， D-上的电压将会下降；手机端检测到D-上的电压下降后，HVDCP获取手机预设的充电器电压值，比如 9V，则设置D+上的电压为VDP_UP（D+ pull-up Voltage 3.0~3.6 V），D-上的电压为VDM_SRC（D- Source Voltage 0.5~0.7 V），充电器输出9v电压。

　　快充技术的优点是，很好地解决常规手机充电电流的限制，由于充电器输出电压的提高，手机充电环路的阻抗限制的充电电流的问题得到了很好地解决，缺点是，效率仍不是很高，在手机端发热量还比较大。

　　随着高通QC3.0的发布，很好的弥补了QC2.0效率偏低的问题。

　　充电速度是传统充电方式的四倍，是Quick Charge 1.0的两倍，比Quick Charge 2.0充电效率高38%。Quick Charge 3.0采用最佳电压智能协商（INOV）算法，可以根据掌上终端确定需要的功率，在任意时刻实现最佳功率传输，同时实现效率最大化。另外，其电压选项范围更宽，移动终端可动态调整到其支持的最佳电压水平。具体来说，Quick Charge 3.0支持更细化的电压选择：以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这样，你的手机可以从数十种功率水平中选择最适合的一档。