华为IC岗笔试题（部分总结含答案解析

总结一下一部分不太熟悉的题目，顺便把答案和解析放在这里，主要的类型是一些好久没碰的数字电路题，和一些平时不太接触到的概念题，还有经典的异步同步问题

1.形式验证技术

形式验证技术需要外界提供测试向量和时钟激励

答案：错误
解释：
形式化验证能够在芯片设计前期彻底找出一些隐藏较深的 很难发现的设计错误。由于形式化验证不需要测试平台和测试向量

2.竞争冒险现象

答案：D
解释：
竞争：在组合电路中，信号经由不同的途径达到某一会合点的时间有先有后。
冒险：由于竞争引起电路输出发生瞬间错误现象称为冒险。表现为输出端出现了原设计中没有的窄脉冲，常称其为毛刺。
竞争与冒险的关系：有竞争不一定会产生冒险，但有冒险就一定有竞争。
在组合逻辑中，由于门的输入信号通路中经过了不同的延时，导致到达该门的时间不一致叫竞争。
产生毛刺叫冒险。如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象。
链接：https://zhidao.baidu.com/question/152237344.html

3.时钟占空比

脉冲占空比是指高电平在一个脉冲周期中所占的比例。选D

4.业界常用的验证学方法

选BD

来源：http://bbs.eetop.cn/thread-452768-1-1.html

5.分解测试点的关注

这个也是验证的题目了

答案：BC
分解测试点不关注: a) 偶然的设计失误; b) 无充分道理的揣测;

6.modelsim命令在tb中的执行顺序

Vlib建立仿真库/Vmap映射/Vlog编译/Vsim仿真
选C

7. 触发器

BC都是对的，选D可能是都字不对

链接：https://wenku.baidu.com/view/003d223a0a4c2e3f5727a5e9856a561252d3217e.html

8.门控时钟

答案：正确

9.跨时钟域问题

答案：C

10.异步FIFO

错误，正好相反

11.同步设计时序模型

选B

12. SRAM和DRAM

选D

13.HVT和降低峰值功耗

牛客网上写的答案是B
然后有网友解析答案说是C，解析在下面

不过我个人还是选HVT吧
HVT：high voltage value 晶体管：开启慢，漏电流小，功耗小

14.逻辑电路的动态功耗

ABCD好像都有，没找到正确答案，有网友知道答案的话，欢迎补充。

15.异步处理&格雷码

解析：异步转换为格雷码的是地址，选C

http://dengkanwen.com/238.html