AO3400的参数

AO3400是N型MOS管，AO3401是P型MOS管
简要介绍：
AO3400结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装提供极低的RDS(上)，适合作为
负载开关或在PWM应用。

手册上的产品总要：

• Vds 30V
• Id（Vgs=10v情况下） 5.8A
• Rds(ON) (Vgs=10v情况下) <28mΩ
• Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) <33mΩ
• Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) <52mΩ

绝对最大额定参数

参数	最大值
Drain-Source Voltage （漏源电压Vds）	30v
Gate-Source Voltage （栅源电压Vgs）	±12v
Continuous Drain Current （漏极电流Id 25℃）	5.8A
Continuous Drain Current （漏极电流Id 70℃）	4.9A
Power Dissipation （功率损耗 25℃）	1.4W
Power Dissipation （功率损耗 70℃）	0.9W
Junction and Storage Temperature Range （温度范围）	-55~150℃

手册下面还有热特性和静态特性，建议自行阅读观看。
A03400手册：

http://aosmd.com/pdfs/datasheet/AO3400.pdf

关于MOS输出特性曲线的理解：
输出特性曲线的绘制是在VDS之间不加其他负载时绘制得到的，所以一条输出特性曲线上的ID，是在该UGS电压下，ID能提供的最大电流。从原理来讲的话，DS之间有一个受UGS与UDS控制的电阻，就是沟道，当其工作在恒流区的时候，这个电阻只受UGS控制，所以工作在恒流区的时候通过改变UGS就能改变RDS这个电阻的变化，其流过的电流ID就会发生改变。

实际的控制过程其实是通过UGS控制沟道电阻的变化，电阻的变化引起电流ID的变化。在实际的分析计算过程中略过了对沟道控制这个环节，直接将UGS与ID之间的变化关系用gm低频互导这个参数代替。这个参数就是从转移特性曲线绘制出来的。