DDR4技术

DBI技术：一个降低DDR4系统功耗的方法是，尽量加大DDR4输出高的数量。这个就是为什么DDR4中多了“DBI管脚”。举个例子，当8bit lane中有至少有5个DQ都是低时，所有的Bit将会被翻转，并且DBI（Data Bus Inversion）置低，用来指示数据线的反转。通过这个方法，总共9个信号中（8个DQ和1个DBI），总有至少5个是被驱动为高电平。如果原始的数据中有4个或者更多的信号被驱动为高时，那么DBI信号也将会设为高，同样，还是9个里面至少有5个为高。这样的话，在每一个数据传输的过程中，都是至少有5/9的数据是高电平，可以在一定程度上降低了功耗。
立体矽堆叠（3DS）技术:在传统 堆叠中，DRAM堆叠是为了减少整体电路所需的涂料，但在DDR4的高速下，传统堆叠有局限性；立体矽堆叠可增加密度，其架构由一个主要DRAM和多达八 个从属的DRAM堆叠组成，甚至还能在单一载点上安装多达八个元件。
点对点总线技术：在传统的DDR 3等内存上，内存和内存控制器链接依靠的是多点分支总线（Multidropbus）。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。比如主板上往往为双通道设计四根内存插槽，每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。打个比方来说，这种设计类似于为每次只能双向通行一对汽车的道路边修建仓库，仓库直连道路，虽然每个仓库都有自己的运输车和运输能力，但道路只允许每次双向通行一对车，因此这种设计如果不停的加修仓库，只是扩大了存储能力而已，对运输能力帮助不大。
DDR 4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线。点对点总线的特性是：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于为每个仓库都设计了一条道路，有效利用了仓库本身的运输能力—换句话来说是有效利用了每个内存的位宽。
ZQ技术：ZQ pin, 用来外接一240Ω±1%上拉电阻。LPDDR4将其作为参考电阻，用来校准DRAM内部的240Ω电阻。因为芯片内部的240欧电阻是由CMOS构成，由于CMOS的天然特性，造成该电阻会随着PTV(制程，温度和电压)变化，因此必须对其进行校准。
ODT技术：
一个DDR通道，通常会挂接多个Rank，这些Rank的数据线、地址线等等都是共用；数据信号也就依次传递到每个Rank，到达线路末端的时候，波形会有反射，从而影响到原始信号；因此需要加上终端电阻，吸收余波。