IS61LV25616芯片技术手册

256K*16告诉异步CMOS静态RAM(支持3.3V)

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特性

• 高速访问时间：8,10,12和15ns
• CMOS 低功耗运行
• 兼容TTL接口电平
• 单3.3V±10%供电
• 全静止操作：不需要提供时钟或者刷新
• 三态输出
• 上下字节的数据控制
• 工业温度内可用

描述

ICSILS61LV25616(后面简称25616)芯片是一个高速的，4 194 304 bit静态RAM，其中包含262144个16位字长。它是通过ICSI高性能CMOS技术制造而成。这种高度可靠的工艺与电路设计技术相结合，制造出高性能，低功耗的设备。
当$\overline{\mathrm{C}\mathrm{E}}$是电平时(未被选中)，这个设备假定在等待模式状，功耗可以降低到CMOS输入水平。
提供简单内存扩展，设置芯片使能和输出使能的输入信号，分别为$\overline{\mathrm{C}\mathrm{E}}$和$\overline{\mathrm{O}\mathrm{E}}$。低电平写入使能$\overline{\mathrm{W}\mathrm{E}}$在内存的读取与写入时都有效。允许高字节($\overline{\mathrm{U}\mathrm{B}}$)和低字节($\overline{\mathrm{L}\mathrm{B}}$)访问。
25616被封装成JEDEC标准44管脚400mil SOJ和48管脚 6*8TFBGA。

功能块框图

管脚配置图

管脚描述

A0-A17	地址输入
I/O0-I/O15	数据输入输出
$\overline{\mathrm{C}\mathrm{E}}$	芯片使能输入
$\overline{\mathrm{O}\mathrm{E}}$	输出使能输入
$\overline{\mathrm{W}\mathrm{E}}$	写入使能输入
$\overline{\mathrm{L}\mathrm{B}}$	低字节控制(I/O0~I/O7)
$\overline{\mathrm{U}\mathrm{B}}$	高字节控制(I/O8~I/O15)
NC	无连接
VCC	电源
GND	地信号

真值表

状态	$\overline{\mathrm{W}\mathrm{E}}$	$\overline{\mathrm{C}\mathrm{E}}$	$\overline{\mathrm{O}\mathrm{E}}$	$\overline{\mathrm{L}\mathrm{B}}$	$\overline{\mathrm{U}\mathrm{B}}$	IO0~IO7	IO8~IO15	VCC
未被选	X	H	X	X	X	高阻	高阻	ISB1，ISB2
输出禁止	H X	L L	H X	X H	X H	高阻	高阻	ICC