计算机组成原理---双端口RAM和多模块存储器

1.双端口RAM

        所谓双端口RAM就是一个有两个独立端口的RAM，两边各有一个cpu连着，类似这种形状：▭|▭|▭ （中间的RAM通过数据线、地址线、读写控制线允许异步操控访问存储单元）

注：可能产生数据冲突或者错误的操作：

1.两个端口对同一地址单元写入数据（产生覆盖）

2.两个端口对同一地址单元进行写入数据与读入数据（读入错误）

2.多模块存储器

        多模块存储器可以用来提高访存速度，也分为单体多字存储器和多体低位交叉存储器

        1.单体多字存储器

                存储器里面就一个存储体，读的时候只能一次读连续的一行，很不方便，灵活性较差，如果一次取一行的话速度是挺快的

        2.多体并行存储器

                1）高位交叉编址

                        体号在前，后面为体内地址

                        然后对于高位交叉编址的存储器来说，它是按照列来排的，比如说4个模块，每列的体号分别为00 01 10 11总共4列，每列转化为10进制为0 1 2 3 4 5 6 7 8......

                2）低位交叉编址

                        体号在后，前面为体内地址

                        对于低位交叉编址的存储器来说，它是按照行来排的，比如说4个模块，每列的体号分别为00 01 10 11总共4列，第一列第一行为0，第二列第一行为1，以此类推。这样有一个好处就是可以利用刷新时间的间隔来访问其他的存储空间。假设有四个模块，存储周期为T，访问一个存储体的时间为r，对于高位交叉编址的存储器来说访问按顺序4个存储模块所需要的时间为

4*（r+3r）=4T因为需要额外的3r来进行刷新操作，而低位交叉编址的效率貌似更高，因为它是按行顺序存取，在访问完一个存储模块时，下一个已经做好了准备，因此可以一个接着一个地进行访问其所花费的时间为T+（m-1）r，m为存取的字的个数，下面也有道题目详细解释。

此外，低位交叉编址模块数量应该大于m=T/r。

【例题】

本题的总耗时其实是包含刷新的时间，对于1而言，前79次都是2T，而最后一次的2T还要加上刷新的0.25T，所以为160.25T,而对于二也是如此前面的59次都是2T，最后面的一次加上刷新的时间为2.75T,总共为120.75T，所以选择C